Новости Hardware

Последние 10

MSI представила теплораспределительные экраны для накопителей SSD M.2
Сегодня утром в ленте Twitter компании MSI появилось изображение теплораспределителя M.2 Shield, название которого говорит само за себя. Радиатор или экран (крышка) M.2 Shield предназначен для отвода тепла от твердотельных накопителей в формфакторе M.2.

Раньше особой надобности в подобных радиаторах не было. Сегодня с переходом клиентских SSD в формфакторе M.2 с интерфейса SATA 6 Гбит/с на PCI Express 3.0 x4 быстро растёт производительность SSD и, соответственно, нагрузка на микросхемы памяти накопителя и на его контроллер. Очевидно, что повышение рабочей температуры до критических величин может привести к нестабильности характеристик накопителей. Радиаторы призваны решить эту проблему.

Разработчик оставил за кадром новости информацию о материале радиатора и не раскрыл других данных о новинке. Можно предполагать, что речь идёт об алюминии в комплекте с термопрокладкой для защиты от короткого замыкания. Также можно рассчитывать, что вскоре подобная продукция повалит валом. Решение MSI, кстати, предусматривает крепление радиатора не только к SSD длиной 80 мм, но также к другим типоразмерам SSD M.2: 60 мм и 42 мм.
Автор: GreenCo Дата: 30.11.2016 13:12
HPE показала прототип компьютера с акцентом на память, а не на процессор
Как вы можете помнить, компания HPE (Hewlett Packard Enterprise) разрабатывает собственную вычислительную архитектуру под кодовым именем The Machine. Центром новой архитектуры призвана стать энергонезависимая память, а не центральный процессор. Подобный подход обещает ускорить обработку огромных массивов данных, поток которых с приходом вещей с подключением к Интернету грозит превратиться в непрекращающееся информационное цунами. Центральные процессоры и традиционная вычислительная архитектура, по мнению HPE и других компаний, к этому не могут быть готовы по определению.

В идеале память в составе архитектуры HPE Memory-Driven Computing Architecture (управляемые памятью вычисления) должна быть энергонезависимой. Сначала разработчики предполагали использовать для этого память типа ReRAM. Потом память ReRAM в ранних прототипах The Machine была заменена на память с изменяемым фазовым состоянием вещества или PCM (PRAM). Новый прототип проекта The Machine, который компания закончила собирать в октябре этого года, использует модули NVDIMM, которые на одной планке памяти располагают микросхемами DRAM и NAND-флэш. Это даёт возможность хранить данные в пределах модуля и быстро возвращать их из флэш-памяти в оперативную память без длительных загрузок после пропадания питания.

Кроме модулей NVDIMM в составе прототипа компьютера HPE с акцентом на память используется ряд других новшеств. Это встроенный оптический интерфейс для передачи данных (на основе предложений консорциума Gen-Z), включая специальный модуль X1, а также новая информационная шина, с оптимизацией для работы памяти, а не для передачи команд (Fabric-Attached Memory). Согласно расчётам специалистов компании HPE, новая система обеспечит прирост производительности в вычислениях до 8000 раз на различных нагрузках с дальнейшим ростом производительности по мере наращивания массивов памяти и других ресурсов.
Автор: GreenCo Дата: 30.11.2016 12:02
TSMC планирует представить 12-нм техпроцесс
Если верить китайским источникам, для выпуска полупроводников компания TSMC собирается предложить своим клиентам 12-нм техпроцесс. Отметим, только в конце октября TSMC представила третье поколение 16-нм техпроцесса (две разновидности так называемого техпроцесса CLN16FFC) и находится в фазе подготовки к запуску в массовое производство 10-нм чипов. Появление в списке предложений компании 12-нм техпроцесса якобы связано с маркетинговыми соображениями, чтобы перехватить часть заказов на выпуск 14-нм решений компаний Samsung и GlobalFoundries. Утверждается, что между 16-нм и 12-нм техпроцессами TSMC есть существенная разница в размерах элементов, а не простое размещение условно 12-нм транзисторов на 16-нм межслойной контактной группе (сохранение 16-нм проводников для цепей с 12-нм транзисторами/затворами). Иными словами, 12-нм техпроцесс TSMC сможет обеспечить лучшие сигнальные характеристики для транзисторов, чем 16-нм или 14-нм техпроцессы.
Автор: GreenCo Дата: 29.11.2016 14:23
Карты SD для запуска приложений получат отличительную метку
Рядовой покупатель редко задумывается о выборе какой-то особенной карточки памяти для установки в смартфон или планшет. Главное, чтобы ёмкость была больше. Тем не менее, для данного класса техники по мере развития устройств и программ скорость работы карты памяти с приложениями становится важным параметром для комфортной работы. Длительная загрузка и медленное исполнение кода вызывают раздражение. Уменьшить этот раздражитель может помочь простая метка на карточках памяти, информирующая покупателя о назначении карты для запуска на ней приложений.

Отраслевая организация SD Association в обновлённых спецификациях SD Specification 5.1 ввела новую метку Application Performance Class. Карты памяти c меткой A1 появятся на рынке несколько месяцев спустя. Наличие метки A1 на карточке будет означать, что скорость произвольного доступа к данным на карте в режиме чтения будет не менее 1500 IOPS, а скорость записи произвольных блоков не опустится ниже 500 IOPS. При этом устоявшаяся скорость передачи данных с карты не должна быть ниже 10 МБ/с. В дальнейшем будут определены другие классы скорости для запуска приложений и, безусловно, никто не запрещает использовать карты памяти с метками для запуска приложений для записи файлов, фото и видео.
Автор: GreenCo Дата: 29.11.2016 12:30
Samsung Electronics может разделиться на две компании
Информагентство Reuters со ссылкой на издание Economic Daily сообщает, что во вторник совет директоров компании Samsung Electronics рассмотрит вопрос разделения на две компании: управляющую компанию и холдинг. Предложение разделить Samsung Electronics на две части поступило в октябре от крупного инвестора в лице хэдж-фонда Elliott Management. Разделение Samsung Electronics — жемчужины группы компаний Samsung — улучшит управляемость компанией и повысит её инвестиционную привлекательность. Впрочем, агентство Reuters связывает возможное разделение компании с усилением влияния в руководстве представителей семейства, основавшего группу Samsung. В компании никак не комментируют ситуацию, а запрос со стороны южно-корейской биржи остался без ответа.
Автор: GreenCo Дата: 28.11.2016 13:01
В новом году TSMC начнёт опытный выпуск 5-нм чипов
Компания TSMC уже сообщала о планах разработать 5-нм и 3-нм техпроцессы. Интересно, когда она перейдёт от планов к действиям? Если верить публикации на интернет-ресурсе CTimes, опытное производство с использованием 5-нм технологических норм компания TSMC начнёт в 2017 году. Рассекретить эту информацию пришлось по той причине, что переход на новый техпроцесс потребует увеличенных расходов воды и электроэнергии.

Перевод производства с 28-нм техпроцесса на 5-нм повлечёт за собой увеличение расхода воды на 37 % и увеличение потребления электричества на 43 %. На всё это производитель должен получить разрешение у профильных регулирующих органов задолго до начала массового производства. За распределением ресурсов в технопарке Tainan Science Park of Taiwan, где расположено производство TSMC, следит организация Taiwan Environmental Protection Administration. Так, ввод в строй 5-нм техпроцесса повлечёт за собой ежедневное повышение расхода воды и энергии на 50 тыс. тонн и, соответственно, на 700 тыс. кВт. Таким образом, даже из открытых источников можно узнать много интересного.
Автор: GreenCo Дата: 28.11.2016 11:24
Цены на память продолжат свой рост в первом квартале 2017 года
По прогнозам аналитиков группы DRAMeXchange торговой площадки TrendForce, цены на компьютерную память продолжат расти даже в традиционно вялый для покупок и продаж первый квартал нового года. Ожидается, что по отношению к ценам на 4-ГБ модули памяти DRAM в четвёртом квартале цена на модули увеличится ещё на 15 % и достигнет $20 за одну планку памяти. Рост цен на память для ПК будет обусловлен теми же причинами, что и до этого: страховочными закупками памяти сборщиками систем из-за опасения дефицита и благодаря переориентации производителей на выпуск модулей памяти для серверов и телефонов.

Как заявляют в DRAMeXchange, положение на рынке трёх основных производителей памяти настолько прочное, что какие-то подвижки невозможны. Это ведёт к снижению инвестиций в разработку новых технологий и в развитие производства памяти, включая интенсификацию перевода производства на нормы менее 20 нм. На фоне дальнейшего увеличения объёма памяти на устройство всё это приведёт к недостаточным поставкам памяти в течение всего 2017 года и, соответственно, к дальнейшему росту цен на память.
Автор: GreenCo Дата: 24.11.2016 10:28
Производители ноутбуков отмечают дефицит комплектующих
За последние два месяца уже не раз отмечалось, что в третьем квартале этого года возник несколько неожиданный для производителей всплеск спроса на ноутбуки. Значительный рост продаж мобильных ПК наблюдался в США и в Японии с умеренным ростом спроса в Западной Европе. Зато возникший на этом фоне дефицит компьютерной памяти почувствовали покупатели во всех регионах мира. Как оказалось, кроме памяти возник также дефицит других комплектующих, включая LCD-панели и графические карты для ноутбуков (за это надо благодарить NVIDIA?). И этот дефицит ведёт к тому, что сборка ноутбуков будет активно продолжаться в обычно спокойном для производителей первом квартале нового года.

Другими факторами текущего высокого спроса на ноутбуки называют продолжение цикла обновления парка ПК с учётом перехода бизнеса на системы под управлением Windows 10 и, что интересно, повышенный спрос на новые модели ноутбуков компании Apple (MacBook Pro). Сегодня комплектующих в полном объёме для сборки всего этого нет, и выполнение заказов будет перенесено на первую четверть 2017 года. Интересно, как это повлияет на цены на мобильные ПК?
Автор: GreenCo Дата: 23.11.2016 08:52
Китайская компания GigaDevice покупает американского DRAM-производителя ISSI
За последний год и, особенно, в последние недели и даже дни китайские компании сделали несколько решительных шаговв сторону национального рынка памяти. Например, на прошлой неделе стало известно, что выпускать компьютерную память будут три крупных китайских компании. Среди трёх названых имён одно было малоизвестным — это компания GigaDevice Semiconductor. На днях эта тёмная лошадка буквально сделала свой ход «конём». По сообщению местных источников, компания GigaDevice сообщила о намерении приобрести американского разработчика и производителя памяти в лице компании ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.).

Торговля акциями ISSI приостановлена до последующего перехода компании под крыло GigaDevice. Следует отметить, что в июле прошлого года компания ISSI перешла в собственность компании SummitView Capital. Следующим ходом ISSI должна перейти к GigaDevice (если разрешат, что не факт). В настоящий момент компания GigaDevice является производителем памяти типа NOR-флэш. В активе ISSI выпуск памяти SRAM, DRAM малой и средней плотности и EEPROM.

Также появилась информация о будущем заводе компании GigaDevice по производству DRAM. Первая линия завода начнёт работать в июле 2017 года. Запланированные мощности достигнут 125 тыс. 300-мм пластин в месяц. Общий объём инвестиций в проект составит 49,4 млрд юаней ($7,17 млрд). Вместе с GigaDevice в строительстве предприятия участвует компания Hefei Changxin Integrated Circuit Co под управлением бывшего генерального директора компании SMIC, Вона Нинггуо (Wang Ningguo). Серьёзный проект, ничего не скажешь.
Автор: GreenCo Дата: 22.11.2016 08:48
Китайская компания YRST ведёт переговоры с Micron о лицензировании технологий производства DRAM и NAND
Несколько дней назад прошла информация, что в Китае три крупных производителя полупроводников начнут специализироваться на выпуске памяти для ПК, а также будут выпускать многослойную NAND-флэш память для накопителей. Подобные планы должны насторожить зарубежных производителей DRAM, которые только-только начали потирать руки в ожидании дальнейшего роста прибыли от поставок микросхем и модулей памяти. А ведь какой-то год назад между Micron и SK Hynix даже велись переговоры с китайцами о продаже лицензий и (или) части акций этих компаний. С ростом цен на память эти переговоры теряли актуальность. Обнародованные амбициозные планы китайцев за пять лет выстроить собственную отрасль по выпуску DRAM в корне меняет ситуацию. Теперь каждый, кто не успеет с ними договориться, рискует вылететь на обочину истории. И ведь уже договариваются!

На «полупроводниковой» конференции в Хэфэй (Hefei) президент инвестиционного фонда China Integrated Circuit Industry Investment Fund и вице-председатель компании Changjiang Storage, Дин Венвью (Ding Wenwu), сообщил, что руководство последней находится в стадии переговоров с компанией Micron. Уточним, компания Changjiang Storage — это китайское название компании Yangtze River Storage Technology (YRST). Компания YRST образована этим летом как совестное предприятие проправительственной инвестиционной компании Tsinghua Unigroup и местного производителя памяти, компании Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing (XMC). Иными словами, с Micron также ведёт лицензионные переговоры компания Tsinghua Unigroup, которой год назад было отказано в покупке компании Micron.

Переговоры с Micron должны привести к тому, чтобы китайская сторона получила лицензии на производство памяти DRAM и NAND-флэш. До окончания переговоров, как признался мистер Дин, ещё далеко. Договорённость может быть достигнута только в течение следующего года. Это может быть либо лицензирование технологий, либо создание совместного предприятия с Micron, а также обмен акциями компаний (взаимные инвестиции). Что интересно, компания YRST делает также шаги по сближению с компаниями Toshiba, Samsung и SK Hynix. С позиции силы разговор вести удобнее, а Китай явно наращивает мускулы по всем направлениям.
Автор: GreenCo Дата: 21.11.2016 09:52