Новости Hardware за день

Toshiba намерена оптимизировать бизнес по выпуску HDD
Собственно, что и ожидалось. Курс компании Toshiba на свёртывание производства всех полупроводников кроме флэш-памяти неизбежно должен был сказаться на бизнесе по разработке и производству жёстких дисков. Ирония в том, что компания Toshiba всего три года назад стала третьим в мире крупным производителем HDD. Тогда по требованию Евросоюза компанию Western Digital заставили продать в руки Toshiba значительную часть бизнеса по выпуску 3,5-дюймовых накопителей, включая профильный завод в Китае. Взамен Western Digital получила завод Toshiba в Таиланде, ориентированный на сборку 2,5-дюймовых HDD. И вот теперь Toshiba не в силах нести это внезапно свалившееся на неё счастье.

Согласно плану реструктуризации, о котором компания объявила вчера, в дальнейшем большинство усилий и средств будут затрачиваться на развитие твёрдотельных накопителей. Спектр 2,5-дюймовых HDD будет сужен с целью выделить лучшие качества основных моделей. Также компания ускоренными темпами переориентируется на накопители серверного класса. В частности, в США компания Toshiba «минимизирует» продажи клиентских жёстких дисков. По сути, по максимуму свернёт своё присутствие на американском розничном рынке, а значит, что с жёсткими дисками Toshiba на других рынках тоже будет негусто.
Автор: GreenCo Дата: 05.02.2016 11:28
Samsung представила цифровой проект 10-нм SRAM
Традиционно каждый новый техпроцесс проверяется на примере выпуска массивов памяти типа SRAM. Массив памяти SRAM представляет собой регулярную структуру и удобен при разработке и производстве. В то же время скоростные характеристики ячейки SRAM и её характеристики по потреблению важны для определения уровня производительности и потребления чипов, выпущенных с использованием нового техпроцесса. На конференции ISSCC 2016 в Сан-Франциско компания Samsung сделала доклад, в ходе которого сообщила о завершении разработки цифрового проекта массива памяти SRAM для выпуска с использованием 10-нм техпроцесса и FinFET транзисторов.

Сам чип ещё не выпущен, поэтому данных о быстродействии и потреблении нет. Обычно на путь от проекта к опытным чипам требуется от шести до девяти месяцев. В случае SRAM это может произойти существенно быстрее. Пока же компания может утверждать, что по сравнению с 14-нм FinFET техпроцессом площадь стандартной 6-транзистороной ячейки для производительных режимов в случае 10-нм FinFET процесса снизится на 38 %: с 0,049 кв. мкм до 0,040 кв. мкм.

Также компания сообщает, что все соединения в микросхеме будут выполнены в рамках 10-нм техпроцесса, что означает полную смену техпроцесса, а не частичную, как было в случае перехода с 20 нм на 14/16 нм. Наконец, управляющие напряжения 10-нм SRAM значительно снижены, что отражено в архитектуре цепей этих решений. Но до появления первых опытных рабочих решений говорить о количественных характеристиках новинок преждевременно.
Автор: GreenCo Дата: 05.02.2016 13:23