Новости за день

Официально представлены SSD Intel Optane DC P4800X
Два года назад компания Intel объявила о разработке нового типа энергонезависимой памяти — 3D XPoint, которая обещала 1000-кратное преимущество в производительности по сравнению с NAND-флэш, 1000-кратноую устойчивость к износу по отношению к NAND, и 10-кратное увеличение плотности записи по сравнению с памятью DRAM. О начале поставок накопителей на памяти 3D XPoint компания Intel сообщила в минувшее воскресенье. Официально представлена серия Optane DC P4800X и одна единственная модель в серии объёмом 375 ГБ. Ожидается, что во втором квартале выйдет 750-ГБ модель, а во втором полугодии — 1,5-ТБ.
SSD Intel Optane DC P4800X 375 ГБ
SSD Intel Optane DC P4800X 375 ГБ

Сразу скажем, что самым очевидным отличием Optane DC P4800X 375 ГБ от накопителей на NAND-флэш аналогичной ёмкости стала цена — $1520. Это примерно в три раза дороже, чем в случае SSD на NAND. Линейные скорости Optane DC P4800X и скорости доступа к случайным блокам почти не отличаются от аналогичных характеристик SSD на памяти NAND, что не оправдывает подобную разницу в цене. Так, устоявшиеся скорости чтения и записи модели Optane DC P4800X 375 ГБ достигают 2,4 ГБ/с и 2 ГБ/с, а скорости доступа к случайным блокам приближаются к 550 000 IOPS для чтения и 500 000 IOPS для записи. Что отличает SSD на памяти 3D XPoint от SSD на NAND-флэш, то это способность показывать высокую скорость записи даже на значительных нагрузках.
Стабильные характеристики под любой нагрузкой
Стабильные характеристики под любой нагрузкой

Также SSD Optane характеризуются крайне малыми задержками при чтении данных. Время обращения при чтении меньше 10 мкс. Компания Intel для подчёркивания этого преимущества даже ввела уникальную метрику — Average Read Latency under RandomWrite Workload, согласно которой SSD Optane до 70 крат превосходят аналоги на памяти NAND. Подобное, по мнению Intel, оправдывает высокую стоимость новинки.
Обратная сторона SSD Intel Optane DC P4800X 375 ГБ
Обратная сторона SSD Intel Optane DC P4800X 375 ГБ

Что касается устойчивости к износу, то модель Optane DC P4800X 375 ГБ выдерживает 30 полных перезаписей в сутки в течение 3-х летней гарантии. В дальнейшем гарантия будет расширена до 5 лет. Стоит сказать, что работа с памятью 3D XPoint не предусматривает использования избыточной ёмкости для резервирования «стёршихся» ячеек, как в случае SSD на NAND, хотя часть полезной ёмкости используется для записи метаданных, прошивки и для ECC, как у NAND SSD.

Добавим, в составе Optane DC P4800X 375 ГБ задействованы 28 микросхем 3D XPoint ёмкостью 128 Гбит. Контроллер накопителя располагает 7 каналами для обращения к памяти. Наибольшее быстродействие будет в случае подключения одной микросхемы памяти к каждому каналу. В модели Optane DC P4800X 375 ГБ, как нетрудно посчитать, к каждому каналу подключены по четыре микросхемы памяти.
Автор: GreenCo Дата: 21.03.2017 09:50
С постройкой завода в США компания TSMC определится до лета 2018 года
По инициативе нового Президента США, Дональда Трампа, высокотехнологические отрасли необходимо развивать на территории страны, а не в Китае, на Тайване или где-то ещё. Ряд зарубежных производителей (из того же Китая и даже из Японии) уже выразили поддержку данному курсу и готовы создавать рабочие места в Америке. Об этом также думает крупнейший в мире контрактный производитель чипов — тайваньская компания TSMC.

Как сообщают источники, TSMC определится с необходимостью строить завод в США в первой половине 2018 года. Если такое производство будет заложено, то оно будут ориентировано на выпуск 3-нм полупроводников. Интересно, что к этому TSMC может подтолкнуть нехватка в необходимых объёмах воды и электроэнергии на Тайване. Чем меньше масштаб технологических норм техпроцесса, тем больше циклов производства и расходуется больше электроэнергии и воды. На огромном материке в Америке с этим может оказаться проще, чем на острове Тайвань.
Автор: GreenCo Дата: 21.03.2017 14:09