Новости

Последние 10

«Росэлектроника» приступила к производству микросхем в пластиковых корпусах
Компания «Ангстрем», которая сегодня входит в холдинг «Росэлектроника» и, соответственно, в Госкорпорацию Ростех, начала производство интегральных схем в пластиковых корпусах для использования в аппаратуре специального назначения. Это позволит не только существенно снизить стоимость конечного изделия, но и облегчить его вес.

Десять лет назад, напомним, «Ангстрем» закупила у компании AMD снятое с производства оборудование для выпуска 130-нм чипов и с тех пор как может модернизирует производство. Например, приобретённые у AMD линии уже способны выпускать 90-нм решения и, как следует из пресс-релиза, получают новые типы прогрессивной упаковки.

«В данный момент в пластиковых корпусах уже выпускаются микросхемы стандартной логики. Пластик, используемый для изготовления корпуса, отвечает всем необходимым требованиям, предъявляемым к условиям работы интегральных схем с надлежащим уровнем качества и надежности. Так, диапазон рабочих температур варьируется от -60 °С до +125 °С.

Интегральные схемы будут задействованы в аппаратуре промышленного применения и специального назначения. В ближайшее время предприятие планирует освоить ряд других изделий в пластиковых корпусах SOP, а в дальнейшем QFN: микросхемы DС-DC, АЦП, ЦАП и другие».
Автор: GreenCo Дата: 17.01.2018 13:52
E Ink и Japan Display разработали широкий трёхцветный дисплей для электронных ценников
Компании Japan Display и E Ink продолжают совместную разработку дисплеев с использованием технологии компании E Ink. О стратегическом партнёрстве JDI и E Ink объявили в ноябре 2016 года. Для компании E Ink работа с Japan Display — это возможность использовать для сборки экранов активно-матричные TFT-подложки на основе поликристаллического кремния с высокой мобильностью электронов и, следовательно, путь к повышению разрешения электрофоретических дисплеев. В мае прошлого года, например, партнёры представили экран E Ink с разрешением 600 точек на дюйм!

Новая совместная разработка призвана осовременить мир розничной торговли. Компании создали широкий EPD-экран для электронных ценников. Сверх того, экран для ценника выпущен трёхцветным с поддержкой не только чёрного и белого, но также красного цвета. Разрешение экрана E Ink шириной 30 см составляет 2242 х 335 пикселей с шагом 198 пикселей на дюйм (размеры самого экрана составляют 43 мм х 287,6 мм).
Широкий экран E Ink для электронных ценников
Широкий экран E Ink для электронных ценников

Ширина 30 см выбрана по той причине, что длина полок в магазинах обычно кратна 30 см (90 или 120 см). Ценники с такими широкими экранами легко читаются и могут нести детализированную информацию фотографического качества, например, QR-коды. К тому же, повышение разрешения на экранах ценников важно для стран азиатского региона, где распространены иероглифы. До этого для ценников использовались экраны E Ink (и LCD) максимум со 130 пикселями на дюйм. По заявлению производителя, максимальная отражающая способность широких экранов достигает 40 %. Контрастность приближается к 15:1. Коммерческий выпуск трёхцветных широких дисплеев E Ink ожидается в третьем квартале текущего года.
Автор: GreenCo Дата: 17.01.2018 11:47
На памяти 3D NAND компания Intel подготовила SSD линеек 760P и 660P
Как мы сообщали, на CES 2018 компания Intel показала SSD линейки 800P, которые основаны на памяти 3D XPoint. На памяти 3D NAND компания выпустит две младших линейки: SSD 760P и 660P (выйдет также линейка SSD 600P — это будут однокорпусные SSD в корпусе BGA для распайки на платы). Обе новые линейки SSD Intel на памяти 3D NAND будут выпускаться в формфакторе M.2 с поддержкой NVMe. Главное отличие линеек будет заключаться в том, что SSD 760P используют память с ячейкой TLC (запись трёх бит в ячейку), а SSD 660P содержат 3D NAND с ячейкой QLC (запись четырёх бит в каждую ячейку памяти).

Линейка SSD 760P обещает содержать модели ёмкостью 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. В Сети уже можно найти цены на них, которые, соответственно, равны $96, $120, $240, $448 и $893. Максимальные устоявшиеся скорости чтения достигают 3,2 ГБ/с, а скорости записи — 1,6 ГБ/с. Значения IOPS для чтения случайных блоков достигают 350 тыс, а для записи — 280 тыс. операций ввода/вывода.

Линейка бюджетных SSD 660P, что интересно, будет начинаться с моделей объёмом 512 ГБ и включает 1-ТБ и 2-ТБ модели. Цена вопроса неизвестна. Максимальная устоявшаяся скорость чтения будет достигать 1,8 ГБ/с, а скорость записи — 1,2 ГБ/с. В IOPS производительность моделей серии SSD 660P обещает попасть в диапазон 150 тыс. операций в секунду для чтения и записи.
Автор: GreenCo Дата: 16.01.2018 12:49
В Китае UMC начинает правовой спор с Micron
Серия атак компании Micron на тайваньскую компанию UMC не могла остаться без ответа. Американский производитель памяти начал чинить правовые препятствия UMC с целью не допустить попадание к китайцам передовых технологий производства памяти. В декабре прошлого года дело дошло до иска Micron в окружной суд Северной Калифорнии против UMC, а на Тайване дела против UMC и её сотрудников заведены в марте-апреле и в сентябре. Очевидно, что в ответ на это несколько дней назад UMC подала жалобу в Народный суд Китая за нарушение компанией Micron ряда патентов на производство памяти и определённой продукции с её использованием. В частности, Micron обвиняется в нарушении патентов UMC на DDR4, производство SSD и видеокарт.

Тайваньский производитель просит остановить производство, использование, импорт и продажу продукции Micron, которая нарушает её патенты. Также UMC желает добиться уничтожения оснастки и промышленного оборудования, на котором выпускается «незаконная» продукция и все её запасы. Требование уничтожить оборудование для производства — это что-то новенькое. Кроме этого, UMC хочет получить от Micron денежную компенсацию в размере примерно $42 млн.

Надо отметить, что в данном споре на стороне UMC необъятные планы китайского правительство по созданию национального производства памяти. Компания UMC создаёт технологию производства памяти, которою она собирается передать местному производителю компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC). Для Китая это вопрос жизни и смерти, поэтому UMC уже имеет вес и основание для победы в споре с Micron на территории Китая.
Автор: GreenCo Дата: 16.01.2018 11:58
Тайваньские производители ждут резкого увеличения спроса ни литиевые батареи для ИБП ЦОД
Среди потребителей литиево-ионных аккумуляторов обещает появиться мощный конкурент, что грозит ростом цен на автономные источники питания. Ситуация с литиево-ионными и литиево-полимерными аккумуляторами и так не сахар. В последнее время производители ноутбуков жалуются, что электромобили и смартфоны оттягивают на себя значительную часть сырья для выпуска литиево-ионных батарей и толкают цены на аккумуляторы вверх.

Новыми потребителями литиево-ионных аккумуляторов в общем случае станут ЦОД и, в частности, серверные с предоставлением облачных услуг. Если верить сообщению на сайте DigiTimes, производители литиево-ионных аккумуляторов тайваньские компании Simplo Techology и DynaPack International Technology, а также производители ИБП и систем резервного питания компании Delta Electronics, Lite-On Technology и AcBel Polytech ожидают резкого всплеска спроса на ИБП с литиево-ионными аккумуляторами и уже якобы предвкушают ощутимый рост выручки к концу 2018 года.

Опытное использование ИБП с литиево-ионными батареями ведётся порядка пяти лет. Тайваньская компания Quanta Computer, например, одна из первых среди коллег представила в феврале 2014 года стоечный контейнер высотой 1U с четырьмя литиево-ионными аккумуляторами. В таком виде ИБП мог работать три минуты и давал время для архивирования или на запуск генераторов, как и спасал от аварийного кратковременного пропадания электропитания.

В отрасли понимают, что свинцово-кислотные аккумуляторы гораздо дешевле, но литиево-ионные аккумуляторы запасают больше энергии, работают дольше (в пересчёте на объём) и намного «зеленее» по отношению к окружающей среде. По данным источника, интерес к ИБП на литиево-ионных аккумуляторах проявляют все гиганты ЦОД, включая Google, Amazon, Microsoft, Facebook и Hewlett-Packard Enterprise (HPE).
Автор: GreenCo Дата: 15.01.2018 08:58
В первом квартале может выйти обновлённый шлем HTC Vive Pro
На CES 2018 компания HTC представила обновлённую гарнитуру Vive Pro для погружения в виртуальную реальность. Обновлённый шлем обзавёлся двумя направленными микрофонами, двумя фронтальными камерами, встроенными накладными наушниками, улучшенной системой крепления на голове и, что более интересно, получил экран с лучшим разрешением, чем у актуальной версии шлема. Так, если модель HTC Vive располагала двойным экраном с разрешением 2160 х 1200 пикселей на оба глаза, то обновлённая модель несёт двойной экран общим разрешением 2880 х 1600 пикселей.
Шлем HTC Vive Pro
Шлем HTC Vive Pro

В рамках выставочного мероприятия компания не раскрыла сроков начала продаж новинки, а также умолчала о цене вопроса. Как поясняет свежая заметка на сайте Silicon Valley Global News, шлем HTC Vive Pro в виде отдельного решения может появиться в продаже в первом квартале этого года по цене $350. Его можно будет использовать в системе базовых станций для комплекта HTC Vive докупив отдельно (если у вас уже есть набор HTC Vive), либо раздельно заказав на сайте HTC вместе со старыми базовыми станциями.

В виде полного комплекта с новыми маячками Lighthouse 2.0 и новыми манипуляторами шлем HTC Vive Pro обещает появиться в четвёртом квартале по цене $800 за набор. Набор HTC Vive сейчас стоит $600 и всё это время также будет доступен для покупки. Добавим, благодаря двум фронтальным камерам шлем HTC Vive Pro позволит запускать приложения с дополненной реальностью, что невозможно в случае шлема HTC Vive.
Автор: GreenCo Дата: 15.01.2018 08:51
Intel и Tsinghua Unigroup могут объединиться для развития китайского производства NAND
Наши коллеги с сайта DigiTimes получили интересные комментарии от анонимных источников из индустрии относительно возможного сценария дальнейших отношений Intel, Micron и китайских производителей флэш-памяти типа NAND. Как уже известно, после 2018 года Intel и Micron будут каждая отдельно разрабатывать следующие поколения 3D NAND. По мнению тайваньских источников, это бросит Intel в объятия компании Tsinghua Unigroup и даже может довести до того, что Intel предоставит Tsinghua лицензию на производство памяти 3D NAND.

Для массового выпуска 3D NAND компания Intel модернизировала собственный 300-мм полупроводниковый завод в Китае (в городе Далянь) и больше в этом не зависит от Micron. Тем самым она может самостоятельно углубиться в китайский рынок NAND, чего не желает делать Micron, не располагая собственным производством в Китае (это к вопросу о разной себестоимости).

Мы же заметим, что Intel и Tsinghua Unigroup связывают прочные узы взаимных финансовых интересов. В 2014 году Intel приобрела 20 % акций Tsinghua Unigroup и ей выгоден расцвет этой компании, так что она может приветствовать выход Tsinghua на рынок 3D NAND. Ускорить и легализовать этот процесс может лицензирование китайцам технологий производства 3D NAND. К тому же, после этого Intel сможет получать лицензионные отчисления в значительных объёмах. Причём китайцы долгие годы не будут напрямую конкурировать с Intel, так как она выпускает 3D NAND для SSD корпоративного класса, а Китай ещё долго будет выпускать NAND-продукцию для простых накопителей и массовых SSD. Кому надо бояться такого сценария, так это компаниям Samsung, Micron и SK Hynix.
Автор: GreenCo Дата: 12.01.2018 13:46
Microsoft и AMD задерживаются с выпуском заплаток для старых процессоров компании
После появления информации об архитектурной уязвимости процессоров Intel к атакам Meltdown и Spectre компания AMD также вынуждена была оставить комментарий по этим событиям. Как сообщили в AMD ещё 3 января, уязвимость Meltdown невозможна на процессорах AMD, а уязвимости Spectre возможны, но сложно реализуемые. Вчера главный технолог AMD Марк Пейпермастер (Mark Papermaster) опубликовал развёрнутый комментарий по найденным уязвимостям.

Во-первых, атака типа Meltdown невозможна на процессорах AMD, поскольку архитектура процессоров компании реализует иные механизмы спекулятивного исполнения команд, чем те, которые воплощены в процессорах Intel. Во-вторых, компании Microsoft и разработчики Linux уже создали патчи для операционных систем, защищающие от уязвимостей класса Spectre. Правда, патчи для ОС с поддержкой старых процессоров компании, куда относятся модели AMD Opteron, Athlon и Turion X2 Ultra, выйдут только на следующей неделе.

Со своей стороны, AMD изменяет микрокод для работы процессоров, который защитит от атак с использованием уязвимостей Spectre. Микрокод для процессоров Ryzen и EPYC уже распространяется, а микрокод для старых процессоров выйдет в ближайшие недели. Компания плотно работает с разработчиками ОС с целью повысить безопасность собственных продуктов и обещает не снимать руку с пульса.
Автор: GreenCo Дата: 12.01.2018 12:52
На CES 2018 Intel показала SSD Optane 800P
Как сообщает сайт PCWorld, на выставочном стенде компании Intel обнаружилась не анонсированная пока линейка SSD Optane 800P. Это накопители объёмом 58 ГБ и 118 ГБ в формфакторе M.2 с двумя линиями PCIe с поддержкой протокола NVMe. По сути, SSD Optane 800P представляют собой увеличенные в объёме накопители Optane Memory M.2. Последние вышли весной в виде 16-ГБ и 32-ГБ кэширующих накопителей и, кстати, имеют внутреннюю идентификацию Optane 800P. Увеличение ёмкости до 58 ГБ и особенно до 118 ГБ позволит использовать модели линейки Optane 800P в качестве полноценных и самостоятельных твердотельных накопителей в системе.
Слева на фотографии SSD Intel Optane Memory, а справа SSD Intel 800P
Слева на фотографии SSD Intel Optane Memory, а справа SSD Intel 800P

Поставки моделей Optane 800P ожидаются в марте. Цена пока не определена, как и нет данных о характеристиках моделей. Поскольку SSD Optane 800P имеют тот же контроллер и ту же прошивку, что и модели Optane Memory, можно рассчитывать на близкие спецификации. В частности, скорость последовательного чтения будет не ниже 1,2 ГБ/с, а скорость последовательной записи окажется не ниже 280 МБ/с.

За счёт увеличения объёма (и резервирования памяти) устойчивость SSD Optane 800P к износу окажется в два раза больше, чем у SSD Optane Memory. В течение 5 лет гарантийного срока новинки позволят ежесуточно перезаписывать до 200 ГБ данных вместо 100 ГБ, как у моделей Optane Memory. Наконец, SSD Optane 800P должны научиться переходить в низкое энергетическое состояние при простое с потреблением менее 1 Вт, что откроет им путь в ноутбуки.
Автор: GreenCo Дата: 11.01.2018 11:58
Samsung приступила к производству второго поколения памяти HBM2
В августе прошлого года дебютировал графический адаптер AMD с GPU Vega 10 (видеокарта Radeon RX Vega). На общей подложке с GPU располагались две микросхемы памяти HBM2 первого поколения, каждая объёмом 8 ГБ. Выпускала эту память компания Samsung Electronics. Скорость обмена по каждому контакту составляла 1,6 Гбит/с при питании 1,2 В. Увеличение питания до 1,35 В позволяло увеличить скорость передачи данных по контакту до 2 Гбит/с.
GPU AMD Vega 10 (слева, справа GPU Fiji) с двумя микросхемами Samsung HBM2 первого поколения
GPU AMD Vega 10 (слева, справа GPU Fiji) с двумя микросхемами Samsung HBM2 первого поколения

Сегодня компания Samsung сообщила, что она начинает выпускать второе поколение памяти HBM2, скорость работы которой по каждому контакту составляет рекордное для отрасли значение 2,4 Гбит/с или примерно на 50 % быстрее, если сравнивать с первым поколением микросхем HBM2. Суммарно скорость чипов HBM2 второго поколения (кодовое имя Aquabolt) составит 307 ГБ/с для 8-ГБ стека из 8 кристаллов ёмкостью 8 Гбит. Это в 9,6 раз быстрее 8-Гбит чипа памяти GDDR5 со скоростью 8 Гбит/с на контакт. Четыре чипа HBM2 Aquabolt обеспечат скорость обмена с памятью на уровне 1,2 ТБ/с, что будет востребовано ускорителями вычислений и решениями для ИИ. В игровых графических адаптерах можно ожидать появления пары чипов с общей скоростью доступа 614 ГБ/с. Напряжение питания памяти HBM2 Aquabolt при этом останется на уровне 1,2 В.
Микросхема памяти Samsung HBM2 второго поколения
Микросхема памяти Samsung HBM2 второго поколения

По словам Samsung, увеличить скорость обмена удалось за счёт уменьшения уровня расфазировки синхронизирующих импульсов. Также улучшен отвод тепла от внутренних слоёв памяти, для чего компания увеличила в стеке число отводящих тепло «буферных» слоёв. Всего на каждый кристалл в стеке приходится свыше 5000 сквозных TSVs отверстий. Дополнительно внизу стека предусмотрен слой, усиливающий механическую прочность сборки.
Автор: GreenCo Дата: 11.01.2018 10:51