Новости

Последние 10

Китайская компания YMTC сообщила о досрочной разработке национальной памяти 3D NAND
По данным наших коллег с сайта DigiTimes, китайское совместное предприятие Yangtze River Storage Technology (YMTC), созданное местным холдингом Tsinghua Unigroup и локальным производителем Wuhan Xinxin Semiconductor (XMC), к середине ноября завершило верификацию SSD-накопиnелей на основе фирменной 32-слойной памяти 3D NAND. Сообщается, что опытная проверка памяти и накопителей завершена на полтора-два месяца раньше запланированного, что открывает путь к следующему этапу — к разработке национальной китайской 64-слойной памяти 3D NAND.

Опытное производство 32-слойной 3D NAND СП YMTC начнёт во втором квартале 2018 года на строящемся с нуля заводе, который будет обрабатывать 300-мм пластины. После снижения уровня брака до приемлемой величины начнётся массовое производство чипов 3D NAND. Возможно, это произойдёт ещё в 2018 году. В 2019 году компания обещает представить 64-слойную 3D NAND, к выпуску которой рассчитывает приступить в 2020 году.

Технология производства многослойной памяти создана совместно инженерами Spansion и XMC на основе лицензии Spansion на память NAND SLC, а позже этим занялся коллектив Yangtze River Storage Technology. Китай стремится снизить зависимость от импортной памяти NAND и DRAM и путь к этому начинает обретать реальные очертания.
Автор: GreenCo Дата: 17.11.2017 13:56
Кремниевые подложки за год подорожали на 20 % и продолжат дорожать
Рост цен на память за последние полтора года аж на 170 % предсказуемо повлёк за собой планы производителей увеличить доходы за счёт расширения производства. Поскольку это произойдёт не мгновенно, а в течение полутора-двух лет, им не надо беспокоиться о скорой потере сверхприбылей. Но и в будущее надо смотреть, пытаясь обойти конкурентов на волне дефицита этой продукции. Тот, кто раньше предложит покрыть дефицит товара, тот и заберёт рынок. Поэтому компании Samsung, SK Hynix и Micron открыто и не очень начали готовиться к расширению производств, что неизбежно вызовет рост спроса на 300-мм полупроводниковые пластины.

Как сообщают южнокорейские источники, с этого года спрос на 300-мм кремниевые подложки превышает предложение. Это уже привело к росту стоимости пластин на 20 % и вызовет дальнейший рост на такую же величину в 2018 и 2019 годах. На этом росте, например, ранее убыточная компания SK Siltron даже ожидает вернуться к прибыльности и выручить по итогам 2017 года 1 трлн южнокорейских вон ($893 млн). Ранее в этом году компания LG Siltron была продана SK Group именно по причине нескончаемых после кризиса 2008 года убытков.

Львиную долю рынка кремниевых подложек удерживают две японские компании — SUMCO и Shin-Etsu Chemical, которым принадлежит две третьих рынка пластин. По итогам четвёртого квартала, SUMCO уже рассчитывает увеличить выручку за год на 20 %. Завершение ряда долгосрочных контрактов на поставку пластин позволяет компании установить на них новую более высокую цену. Что интересно, компании опасаются расширять производства, остерегаясь негативных последствий как после кризиса 2008 года. И всё же, та же SUMCO планирует в 2019 году увеличить ежемесячный выпуск 300-мм пластин на 110 тыс. штук ежемесячно. Немецкая компания Siltronic AG также собирается увеличить выпуск пластин на 70 тыс. в месяц. Это не покроет всего дефицита, так что пока рост цен на кремниевые пластины продолжится.
Автор: GreenCo Дата: 17.11.2017 10:03
Заводы Samsung и SK Hynix были на время остановлены землетрясением
По данным южнокорейского интернет-ресурса Business Korea, полупроводниковые заводы компаний Samsung и SK Hynix, а также заводы компании LG Display были временно остановлены в среду 15 ноября в момент начала землетрясения в этой стране. Утверждается, что линии на всех производствах не получили каких-либо повреждений и были запущены вскоре после прекращения толчков. Остановка линий произошла автоматически после срабатывания датчиков вибрации на чувствительном к толчкам оборудовании. Прежде всего, это литографические сканеры.

Несмотря на декларируемое отсутствие потерь, простой и повреждение части или даже всех пластин, находящихся в работе в момент остановки линий, наверняка имели место. Доклад о возможных потерях подготовили аналитики Dramexchange, но он пока закрыт для широкого распространения. Рынок DRAM сегодня характеризуется превышением спроса над предложением, и даже небольшой провал в объёмах производства способен вызвать очередной рост цен на память и продукцию на её основе. Ждём подробностей.
Автор: GreenCo Дата: 16.11.2017 12:26
Модули DIMM на памяти 3D XPoint выйдут во второй половине 2018 года
В январе этого года на квартальной конференции директор Intel Брайан Кржанич сообщил, что компания начала опытные поставки модулей оперативной памяти на микросхемах 3D XPoint. Коммерческие поставки планок памяти под брендом Optane компания планировала начать в 2018 году. На днях на конференции UBS Global Technology исполнительный вице-президент Intel Навин Шеной (Navin Shenoy) подтвердил, что модули памяти Optane в исполнении NVDIMM будут доступны для покупки во второй половине 2018 года.
Память NVDIMM Intel Optane появится во второй половине 2018 года
Память NVDIMM Intel Optane появится во второй половине 2018 года

Модули NVDIMM актуального поколения совместимы со слотами DIMM DDR4 и выпускаются в двух стандартных вариантах: NVDIMM-N и NVDIMM-F. В первом случае это планки памяти с микросхемами DRAM и NAND и внешней батарейкой для аварийной перезаписи данных из DRAM в NAND, а во втором — это фактически SSD в исполнении планки DIMM. Для перспективных типов энергонезависимой памяти типа 3D XPoint, ReRAM, MRAM или других введён стандарт NVDIMM-P. Память Intel Opane, очевидно, будут выпускаться с поддержкой спецификаций NVDIMM-P.

Необходимость в памяти NVDIMM возникла по мере роста объёмов ОЗУ в серверах. Потеря данных в случае сбоев и процесс обратной загрузки информации с внешних носителей в память стал непозволительно длительным. Модули NVDIMM позволяют продолжить процесс с того места, когда произошёл сбой, поскольку информация остаётся в памяти. Это требует доработки программного обеспечения и контроллеров памяти, но всё это уже ведётся, и достигло определённой степени зрелости. На этом фоне память Intel 3D XPoint представляется лучшей альтернативой для NVDIMM, поскольку она энергонезависимая, а скорость её работы (латентность) приближается к скорости работы DRAM. К тому же память 3D XPoint по плотности превышает возможности DRAM, что для серверной памяти тоже важно.
Автор: GreenCo Дата: 16.11.2017 09:22
Intel и Micron на заводе в Юта расширили мощности по производству памяти 3D XPoint
Интересную энергонезависимую память 3D XPoint компании Intel и Micron выпускают в рамках деятельности совместного предприятия IM Flash. Этим занимаются три завода, один из которых расположен в штате Юта (город Лихай), один в Сингапуре, и один является личной фабрикой Intel и расположен в Китае (город Далянь). Кроме 3D XPoint эти заводы выпускают обычную NAND-флеш, включая 3D NAND. Судя по ограниченному числу моделей SSD на памяти 3D XPoint, компании не могут похвастаться значительными объёмами производства. В некоторой степени в ближайшее время дефицит 3D XPoint может быть покрыт новыми производственными мощностями, о чём официально сообщила компания Intel.

В пресс-релизе компании сказано, что партнёры завершили расширение завода в Юте — цехов Building 60 (B60). К сожалению, возможности расширенных линий не уточняются, как и нет информации об объёмах производства 3D XPoint на других мощностях Intel и Micron.

Память 3D XPoint, напомним, от памяти NAND отличается увеличенным числом циклов стирания и записи и достаточно малым временем отклика. Латентность современных SSD на микросхемах 3D XPoint менее 10 мкс. Среди SSD на 3D NAND минимальная латентность только у SSD компании Samsung и это порядка 16 мкс.
Автор: GreenCo Дата: 14.11.2017 08:30
Для игровых видеокарт 2018 года NVIDIA готовит GPU на архитектуре Ampere
По данным немецкого издания Heise online, NVIDIA снова кардинально меняет планы по выводу на рынок новых графических архитектур. Предыдущий кульбит произошёл четыре года назад, когда было объявлено, что вместо архитектуры Volta на рынок будут выведены адаптеры на архитектуре Pascal. Сделано это было с целью усилить позиции компании на рынке игровых видеокарт и с учётом нового курса индустрии на глубокое машинное обучение.

Напомним, в GPU Pascal не было значительного числа блоков FP64, тогда как Volta G100 к блокам FP32 получила 2560 блоков FP64 и даже 672 специальных блоков для тензорных (матричных) вычислений. Для выпуска игровых версий GPU из GV100 пришлось бы изрядно «поработать лобзиком». И действительно, как делится новостью немецкий источник, очередные игровые адаптеры NVIDIA выйдут в новом году, но будут опираться на другую и новую архитектуру — Ampere.

Если верить источнику, анонс настольных видеокарт GeForce GTX следующего поколения на архитектуре Ampere ожидается на конференции GPU Technology Conference 2018 (GTC), которая пройдёт в США с 26 по 29 марта 2018 года. Пока о новой архитектуре нет никаких данных, но, судя по всему, шлюзы для потока утечек уже открылись.
Автор: GreenCo Дата: 13.11.2017 00:02
На CES 2018 Samsung покажет 16-Гбит GDDR6 и SSD PM983 объёмом 8 ТБ
Компания Samsung сообщила, что специальная комиссия выставки CES 2018, которая пройдёт в Лас-Вегасе с 9 по 12 января 2018 года, отметила наградами целый спектр продуктов компании, в число которых попали 16-Гбит микросхемы памяти GDDR6 и 8-ТБ SSD PM983. До означенного события и публичной демонстрации новинок остаётся два месяца, но для организаторов CES это нормальная практика, заранее раздавать награды и назначать победителей в разных номинациях.

Память GDDR6 может появиться уже в начале года в виде бортовой памяти новых массовых видеокарт NVIDIA. Память Samsung GDDR6 ёмкостью 16 Гбит способна развивать скорость 16 Гбит/с по каждом контакту. Это даёт 64 ГБ/с на микросхему памяти, что, например, для 384-разрядной шины даст 768 ГБ/с. Ранее в апреле этого года память GDDR6 с подобной скоростью представила компания SK Hynix но только в виде 8-Гбит микросхем. Добавим, Micron сумела «разогнать» память GDDR5X до скорости 16 Гбит/с, но это тот предел, выше которого память GDDR5 и GDDR5X не прыгнут, тогда как GDDR6 ещё даже не начинала раскрывать свой потенциал. Наконец, рабочее напряжение GDDR6 на 10 % меньше, чем GDDR5 и составляет 1,35 В.

О второй новинке сообщает только то, что 8-ТБ SSD Samsung PM983 выполнен в формфакторе NGSFF (next-generation form factor) со сторонами 30,5 х 110 х 4,38 мм. Накопитель рассчитан на установку в масштабируемые корпоративные системы хранения данных с высокой плотностью размещения (в корпуса высотой 1U). Вместе 64 таких SSD покажут невероятную производительность на уровне 0,5 петабайт в секунду.
Автор: GreenCo Дата: 13.11.2017 00:01
Intel готова поставлять 750-ГБ модель SSD Optane DC P4800X
С опозданием почти на полгода компания Intel объявила о готовности отгружать заказчикам вторую по ёмкости модель в линейке SSD Optane DC P4800X. В марте этого года, как вы можете помнить, Intel представила первый коммерческий SSD под брендом Optane на памяти 3D XPoint. Тогда компания начала продавать одну единственную модель в линейке ёмкостью 375 ГБ. Начало поставок 750-ГБ модели должно было стартовать во втором квартале, но произойдёт лишь сейчас — в четвёртом квартале, а 1,5-ТБ модель выйдет ещё позже. Цена вопроса не раскрывается. Модель SSD DC P4800X объёмом 375 ГБ сегодня можно приобрести в среднем за $1900. Поскольку новинки всё ещё сопровождаются дефицитом, на что намекает смещение сроков поставок, ожидаемая розничная цена на 750-ГБ может легко составить $3800, а 1,5-ТБ — $7600. «Ого!» — это ещё мягко сказано.
SSD Intel Optane DC P4800X 750 ГБ
SSD Intel Optane DC P4800X 750 ГБ

Скоростные характеристики 750-ГБ модели аналогичны 350-ГБ: устоявшиеся скорости чтения/записи достигают 2,4/2,0 ГБ/с. В терминах IOPS для случайных операций чтения/записи производительность равна 550/500 тыс. операций ввода/вывода. Активное потребление, что интересно, при удвоении ёмкости растёт несильно: с 8/13 Вт до 10/15 Вт. В режиме простоя потребление увеличится с 5 Вт до 6 Вт. Похоже, основную часть бюджета по питанию съедает контроллер.
Автор: GreenCo Дата: 10.11.2017 13:53
NVIDIA уверенно наращивает выручку
Очередной финансовый квартал для компании NVIDIA завершился 29 октября (со сдвигом на один месяц по сравнению с календарным кварталом). Компания, как сообщается в пресс-релизе, с удовлетворением отмечает рост показателей по всем основным направлениям. Квартальная выручка за отчётный период за год выросла на 32 % до $2,636 млрд. Чистая прибыль за год увеличилась на 55 % до $838 млн. От реализации тех или иных графических процессоров компания получает 84 % выручки. Игровые решения, включая графику для ставшей весьма популярной приставки Nintendo Switch, принесли NVIDIA 59 % выручки.
Динамика финансовых показателей NVIDIA за последние кварталы
Динамика финансовых показателей NVIDIA за последние кварталы

В процентном отношении сильнее всего выросла выручка от направления центров по обработке данных — на 109 % за год до $501 млн за квартал. Графика для рабочих станций принесла за год на 15 % больше выручки — $239 млн, причём преимущественно за счёт решений для мобильных ПК. Автомобильный сегмент принёс NVIDIA $144 млн, что на 13 % больше по сравнению с третьим кварталом прошлого года и на 1 % больше, чем во втором квартале этого года. Процессоры Tegra, куда также вошли SoC для Nintendo Switch, за год показали рост выручки на 74 % и на 26 % за квартал. Что касается прогноза на текущий квартал, то компания рассчитывает увеличить выручку до $2,65 млрд, что с учётом января, который войдёт в отчёт, будет совсем неплохо.
Автор: GreenCo Дата: 10.11.2017 11:39
Стартовали продажи серверного CPU на ARM Qualcomm Centriq 2400
В декабре прошлого года компания Qualcomm начала пробные поставки своих первых серверных процессоров с поддержкой команд ARM (ARMv8). Это 10-нм решения Centriq 2400 на фирменной архитектуре Qualcomm Folker с числом ядер до 48 штук. Чипы производятся по 10-нм FinFET техпроцессу компанией Samsung. Стоимость решений в оптовых партиях определена на уровне $1995 за один процессор.
Ананд Чандразекхер (Anand Chandrasekher) рассказывает о процессоре Qualcomm Centriq 2400
Ананд Чандразекхер (Anand Chandrasekher) рассказывает о процессоре Qualcomm Centriq 2400

Сегодня Qualcomm объявила о начале коммерческих поставок новинки и её поддержке со стороны массы компаний, включая Alibaba, LinkedIn, Cloudflare, American Megatrends Inc., Arm, Cadence Design Systems, Canonical, Chelsio Communications, Excelero, Hewlett Packard Enterprise, Illumina, MariaDB, Mellanox, Microsoft Azure, MongoDB, Netronome, Packet, Red Hat, ScyllaDB, 6WIND, Samsung, Solarflare, Smartcore, SUSE, Synopsys, Uber и Xilinx. Все перечисленные представили те или иные продукты для платформы Qualcomm Centriq 2400 от облачных сред до ускорителей всевозможных расчётов, баз данных и систем машинного обучения.

По словам Qualcomm, процессор Centriq 2400 в 4 раза превосходит процессор Intel Xeon Platinum 818 по показателю производительность/доллар и до 45 % лучше по показателю производительность/Вт. Тактовая частота 48-ядерной модели достигает 2,6 ГГц на уровне TDP 120 Вт. При этом площадь чипа составляет 398 мм2, и он содержит 18 млрд транзисторов. Все ядра и блоки соединены сегментированной кольцевой двунаправленной шиной с пропускной способностью 250 ГБ/с. На каждые два ядра отводятся 512 КБ кэш-памяти L2 и 60 МБ кэш-памяти L3 разделяемой между всеми 48 ядрами.

В процессор встроен 6-канальный контроллер памяти с поддержкой модулей DDR4 (поддерживается до 768 ГБ), 6 контроллеров PCIe 3.0 (всего 32 линии), 8 портов SATA 6 Гбит/с, два порта 1 Гбит/с Ethernet, USB и другие интерфейсы. Но больше всего поражает «группа поддержки». Неужели Qualcomm удалось стать тем снежком, который спровоцировал лавину интереса к серверам с поддержкой архитектуры ARM?
Автор: GreenCo Дата: 09.11.2017 12:56