Новости за день

Intel анонсирует 45-нм технологии для производства процессоров...
Ровно год назад компания Intel представила нам рабочий "кремний" на основе 45-нм техпроцесса. Тогда, напомним, Intel отрапортовала о выпуске на 300-мм подложке чипов SRAM-памяти с более чем миллиардом транзисторов на одну микросхему. Но это был лишь пробный камень, "бросок" которого компания осуществила применив традиционную 193-нм лазерную "сухую" литографию, диэлектрики с низкой low-k проницаемостью и обкатанные в производстве медные проводники. Опыт удался. Компания принялась адаптировать 45-нм техпроцесс для производства процессоров.
Девять месяцев спустя на осенней сессии IDF 2006 президент Intel пообещал до конца года продемонстрировать производственный образец процессора с нормами 45-нм и сообщил, что пять соответствующих новому техпроцессу ЦПУ-структур полностью готовы для внедрения во все ниши рынка – мобильную, настольную и серверную. Всего же в разработке компании находится более 15 продуктов известных нам под кодовым названием Penryn (65-нм микроархитектура Core "ужатая" до 45-нм). В соответствии с объявленными планами, первая демонстрация 45-нм процессора состоялась в конце ноября.
Вчера, несмотря на выходной день, компания Intel официально объявила о выпуске первых пяти из пятнадцати запланированных процессоров семейства Penryn. В отличие от продемонстрированной в конце прошлого года оценочной версии 45-нм процессора, новые продукты являются рабочими.
Другим важным моментом свежего анонса компания считает свои успехи в практической реализации технологий создания 45-нм транзистора с малыми токами утечки. Подобный "чудо"-транзистор создан путём перехода на изолятор канала транзистора из материала с высоким значением диэлектрической константы high-k. Диэлектрики low-k уже не годились для техпроцессов ниже 65-нм, поскольку изоляционный слой под затвором и так уже был не толще пяти атомов. Дальнейшее его утончение приводило к лавинообразному росту паразитных токов в канале, так что для процессов от 45-нм и ниже компания вынуждена была искать новые изоляционные материалы. Секретов Intel не раскрывает, но говорит об использовании германия в качестве основы своих high-k-диэлектриков.
Внедрив high-k-плёнки под затворы, для последних пришлось искать новые материалы. Использующиеся до этого с изоляцией из диоксида кремния полисиликоновые затворы были технологически несовместимы с материалом high-k-диэлектрика. Выход был найден в переходе на металлы в качестве материала затворов. Точную формулу, опять же, Intel держит в секрете. По её словам, металлические затворы представляют собой смесь из нескольких химических элементов.
Состав затвора транзистора для 65-нм (слева) и для 45-нм (справа) техпроцессов
Состав затвора транзистора для 65-нм (слева) и для 45-нм (справа) техпроцессов

Выше было отмечено, что на основе нового техпроцесса компания выпустила пять рабочих процессоров семейства Penryn. Следовательно, её есть чем похвастаться в плане обнародования некоторых реальных технических подробностей о потенциальных возможностях будущих решений. Прежде всего, компания заявляет о вдвое меньшем размере 45-нм транзистора по отношению к транзистору выполненному с помощью 65-нм процесса. В масштабе ядра двукратного роста плотности не будет, но 45-нм ядро окажется заметно меньше 65-нм. Сама компания говорит о размещении на кристалле для двухъядерного процессора 400 млн. транзисторов, а на кристалле четырёхъядерного – 800 млн.
Далее. Благодаря переходу на металлический затвор и новый диэлектрик ток утечки затвора уменьшен в 10 раз. Паразитные токи в канале сток-исток снижены в 5 раз. Производительность транзистора при этом выросла примерно на 20%, а его потребление снизилось на 30%.
Промышленное производство микропроцессоров Intel с применением 45-нм норм начнётся во второй половине года, а массовый переход на новые нормы – с началом 2008 года.
Прямой конкурент Intel – компания AMD, также близка к созданию собственного варианта 45-нм техпроцесса. Над ним она трудится в составе альянса, в который входят компании IBM, Sony и Toshiba. По последним данным информагентств, в самые ближайшие дни следует ожидать от этих компаний аналогичного вчерашнему анонсу Intel сообщения. Все они готовы объявить о разработке 45-нм процесса всё на тех же high-k-диэлектриках и металлических затворах. Но по внедрению нового техпроцесса в промышленное производство соперники Intel отстают от неё на срок от двух до трёх кварталов.
Автор: GreenCo Дата: 28.01.2007 10:35