Новости за день

Samsung начала поставки 1-ТБ настольного "винчестера"...
Демонстрируя в текущем году сильный рывок на рынке HDD, южнокорейская компания Samsung Electronics без какого-либо официального объявления начала поставки своей первой модели 3.5-дюймового жёсткого диска объёмом 1 ТБ. Со вчерашнего вечера ряд европейских on-line магазинов начали принимать заказы на новый флагман компании входящий в новую же серию Samsung SpinPoint F1. Цена вопроса – от 230 до 270 евро (от $305 до $359). Для сравнения, выпустившая весной первый в индустрии 1-ТБ настольный накопитель, японская компания Hitachi установила для него рекомендованную цену на уровне $399.
Но не ценой единой... Самый ёмкий накопитель компании базируется всего на трёх магнитных пластинах, каждая из которых несёт объём 334 ГБ. На сегодня абсолютный рекорд плотности для 3.5-дюймовых пластин! Привод аналогичной ёмкости от Hitachi базируется на пяти 200-ГБ пластинах, а анонсированный недавно 1-ТБ жёсткий диск компании Seagate – на четырёх 250-ГБ магнитных дисках. Как результат, новинка Samsung обещает превзойти по ряду скоростных и эксплуатационных характеристик своих конкурентов.
На сайте компании официальные данные о характеристиках 1-ТБ модели накопителя (HD102UJ), и в целом о серии SpinPoint F1, включающей также диски объёмом 320 ГБ, 500 ГБ и 750 ГБ, всё ещё не опубликованы. Но из сведений доступных в Сети можно выяснить, что скорость вращения шпинделя у приводов нового семейства равна 7200 об/мин. Их кэш-буфер равен 16 МБ. Среднее время поиска – 8.9 мс при средних задержках 4.17 мс. Интерфейс – Serial ATA-300.
Автор: GreenCo Дата: 12.06.2007 11:35
WD представляет внешние накопители объёмом до 1.5-ТБ...
Неделю назад компания Western Digital анонсировала в серии 3.5-дюймовых жёстких дисков Caviar SE16 свой первый 750-ГБ жёсткий диск. Сегодня на основе нового флагмана компании представлены внешние накопители линейки WD "My Book" – стилизованные под книжные тома контейнеры:
WD
WD "My Book" теперь объёмом до 1.5-ТБ

Соответственно, модельный ряд "книжных" накопителей Western Digital пополнится "томами" объёмом 750 ГБ и 1500 ГБ. В последнем случае, как Вы понимаете, накопитель WD "My Book" будет содержать внутри два 750-ГБ жёстких диска. По словам компании, новинки уже поступили в продажу на территории США. Доступны они для заказа и на официальном сайте компании.
На самое старшее решение Western Digital установила рекомендованную стоимость равную $699. За эту сумму, по всей видимости, будут уходить "книги" с сетевым 1-Гбит Ethernet-интерфейсом и объёмом 1.5-ТБ (серия My Book World). Младшее решение оценено в $279. За эти деньги можно ожидать 750-ГБ накопитель с одним USB 2.0 (серия My Book Essential). Также будут доступны внешние накопители "My Book" с интерфейсами FireWire и eSATA.
Автор: GreenCo Дата: 12.06.2007 12:58
Toshiba предлагает свой вариант "трёхмерного" кремния...
При необходимости относительно простыми средствами увеличить плотность микросхемы памяти или создать сложный составной чип, производители полупроводников прибегают к проверенному методу послойной упаковки кристаллов. Занимаемая микросхемой площадь при этом увеличивается незначительно, но её состав усложняется во столько раз, сколько подложек удастся разместить в столбик. Минус данной технологии – каждый слой занимает строго отведённую ему площадь вокруг составного кристалла для отвода проводников и формирования цепей обвязки. Чем больше слоёв – тем больше занимаемая ими совокупная "служебная" площадь вокруг ядра.
Один из вариантов решения вопроса нерационального использования площади вокруг упаковки кристаллов нашла японская компания Toshiba. Попутно её методика позволяет упростить производство "трёхмерных" чипов. Правда, технология компании затрагивает лишь область выпуска чипов флэш-памяти NAND-типа. Но мы не в обиде. Новая операционная система компании Microsoft и производители твёрдотельных "винчестеров" обещают всем энергонезависимое "счастье". Были бы только подешевле NAND-чипы больших объёмов.
Суть предложения Toshiba следующая. Вместо упаковки отдельно обработанных и полностью готовых подложек с полупроводниковыми элементами, в столбик складываются слои электродов перемежающиеся изоляционным материалом. Затем весь этот "бутерброд" насквозь пробивается рядами отверстий. Таким образом, мы получаем трёхмерную решётку "дырок". Впоследствии каждое из отверстий станет самостоятельной ячейкой флэш-памяти. Для этого все отверстия изнутри покрываются способной удерживать заряд кремний-нитридной плёнкой. Окружающий плёнку электрод будет выполнять роль затвора. Полупроводниковые каналы для хранения заряда выполняются на следующем этапе путём внесения в сквозные отверстия соответствующим образом депонированного полупроводника:

"Бутерброд" из простых полупроводниковых слоёв
...заполняется кремниевыми
...заполняется кремниевыми "колоннами"

На рисунке внесённый полупроводник выглядит как колонна, а на практике он представляет собой непрерывную цепочку ячеек памяти. Внешние управляющие и питающие цепи для всей цепочки общие, как они объединены для каждого ряда электродов-слоёв. Иначе, о чём мы говорили в начале, каждому самостоятельному слою понадобились бы свои собственные управляющие цепи.
В направлении разработки технологий производства "трёхмерных" чипов работают практически все лидеры индустрии, как и многие исследовательские центры. В контексте новости следует упомянуть разработку компании IBM и похожую на неё технологию компании Samsung – "сквозной кремний" (through-silicon vias), когда соединительные проводники в многослойной упаковке пробиваются напрямую через подложку от слоя к слою. Ещё есть технология Matrix 3-D Memory, купленная и подхваченная компанией SanDisk. Последняя, кстати, примеряется с ней в том числе и к производству NAND-флэш.
Автор: GreenCo Дата: 12.06.2007 15:33