Выпуск
SRAM-чипов для компании Intel многие годы был своего рода тестовым полигоном для обкатки очередного техпроцесса. Ячейки памяти имеют регулярную структуру и, как следствие, наиболее просты для создания фотошаблонов. Тем самым Intel уверенно держала первенство по нормам осваиваемого техпроцесса уступая, разве что, японским компаниям Toshiba, Sony или NEC, которые также спешили первыми представить новые техпроцессы для производства БИС.
С началом работы в 2006 году совместного предприятия Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) компаний Intel и Micron у разработчика микропроцессорных архитектур появился другой интерес. Компания одной из последних вышла на рынок NAND-флэш (Micron тоже туда не спешила) и ей необходимо было быстро навёрстывать упущенное. Начав с выпуска 72-нм флэш-чипов на заводах Micron, в 2008 году Intel уже выпускала 50-нм NAND-флэш, а с прошлого года и 34-нм. Следующий шаг — флэш-память с нормами 25 нм, и здесь Intel обещает оказаться впереди конкурентов как минимум на год.
Пока Samsung вводит массовое производство
30-нм 32-Гбитной MLC флэш-памяти, у Intel готовы образцы 25-нм 64-Гбитной (8 ГБ) NAND MLC, сообщает сайт
AnanDtech. Справедливости ради отметим, Samsung выпускает память с записью трёх бит в ячейку, тогда как Intel — двух бит. Но в данном случае 25-нм кристаллы Intel не намного больше 30-нм кристаллов Samsung, тогда как плотность записи выше почти в два раза. На практике это означает, что при равной себестоимости ёмкость чипов Intel вдвое больше, чем у лучших конкурирующих образцов.

25 нм IMFT 2-bit MLC NAND 8 ГБ (167 мм2) |

34 нм IMFT 2-bit MLC NAND 4 ГБ (172 мм2) |
По данным источника, а анонс 25-нм NAND-флэш MLC Intel (IMFT) должен состояться сегодня, массовое производство 64-Гбитных микросхем энергонезависимой памяти Intel начнётся во втором квартале, с выходом в составе продукции не позднее конца года. Ожидается, что на основе 25-нм микросхем в четвёртом квартале выйдут ёмкие SSD Intel: от 160 ГБ до 600 ГБ. Также, поскольку новые чипы будут обращаться уже к 8-КБ странице, организованной в блок из 256 страниц, а не к 4-КБ (блок из 128 страниц), компании, очевидно, понадобится новый контроллер SSD и обновлённые прошивки. Зато производительность флэш-винчестеров обещает подняться ещё больше.