Новости за день

Шесть настольных ядер Intel выйдет 16 марта?
В пятницу тайваньские источники раскрыли месяц предполагаемого анонса первого в индустрии настольного шестиядерного процессора в лице «экстремальной» модели Core i7-980X Extreme edition (Gulftown), коим значится март. Вскоре после этого сайт OCWorkbench, со ссылкой на японских инсайдеров, выдал «точную» дату выхода Gulftown — 16 марта. Пока добавить к этому нечего, зато источник предлагает ознакомиться с примерным планом выхода новых процессоров Intel вплоть до третьего квартала:
График выхода новых процессоров Intel
 Модель Архитектура Частота Турбо Дата
 Core i7-930 Bloomfield 2.8 ГГц 3.06 ГГц 28 февраля
 Core i7-980X EE Gulftown 3.33 ГГц 3.6 ГГц 16 марта
 Core i5-680  Clarkdale 3.6 ГГц 3.8 ГГц май
 Core i7-880  Lynnfield 3.06 ГГц 3.73 ГГц 2К 2010
 Core i3-550  Clarkdale 3.2 ГГц - 2К 2010
 Pentium E6700  Penryn 3.43 ГГц - 2К 2010
 Core i7-970 Gulftown 3.33 ГГц 3.46 ГГц 3К 2010

Автор: GreenCo Дата: 01.02.2010 00:05
Intel и Micron готовы выпускать 25-нм флэш-память
Выпуск SRAM-чипов для компании Intel многие годы был своего рода тестовым полигоном для обкатки очередного техпроцесса. Ячейки памяти имеют регулярную структуру и, как следствие, наиболее просты для создания фотошаблонов. Тем самым Intel уверенно держала первенство по нормам осваиваемого техпроцесса уступая, разве что, японским компаниям Toshiba, Sony или NEC, которые также спешили первыми представить новые техпроцессы для производства БИС.

С началом работы в 2006 году совместного предприятия Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) компаний Intel и Micron у разработчика микропроцессорных архитектур появился другой интерес. Компания одной из последних вышла на рынок NAND-флэш (Micron тоже туда не спешила) и ей необходимо было быстро навёрстывать упущенное. Начав с выпуска 72-нм флэш-чипов на заводах Micron, в 2008 году Intel уже выпускала 50-нм NAND-флэш, а с прошлого года и 34-нм. Следующий шаг — флэш-память с нормами 25 нм, и здесь Intel обещает оказаться впереди конкурентов как минимум на год.

Пока Samsung вводит массовое производство 30-нм 32-Гбитной MLC флэш-памяти, у Intel готовы образцы 25-нм 64-Гбитной (8 ГБ) NAND MLC, сообщает сайт AnanDtech. Справедливости ради отметим, Samsung выпускает память с записью трёх бит в ячейку, тогда как Intel — двух бит. Но в данном случае 25-нм кристаллы Intel не намного больше 30-нм кристаллов Samsung, тогда как плотность записи выше почти в два раза. На практике это означает, что при равной себестоимости ёмкость чипов Intel вдвое больше, чем у лучших конкурирующих образцов.
25 нм IMFT 2-bit MLC NAND 8 ГБ (167 мм2)
25 нм IMFT 2-bit MLC NAND 8 ГБ (167 мм2)
34 нм IMFT 2-bit MLC NAND 4 ГБ (172 мм2)
34 нм IMFT 2-bit MLC NAND 4 ГБ (172 мм2)

По данным источника, а анонс 25-нм NAND-флэш MLC Intel (IMFT) должен состояться сегодня, массовое производство 64-Гбитных микросхем энергонезависимой памяти Intel начнётся во втором квартале, с выходом в составе продукции не позднее конца года. Ожидается, что на основе 25-нм микросхем в четвёртом квартале выйдут ёмкие SSD Intel: от 160 ГБ до 600 ГБ. Также, поскольку новые чипы будут обращаться уже к 8-КБ странице, организованной в блок из 256 страниц, а не к 4-КБ (блок из 128 страниц), компании, очевидно, понадобится новый контроллер SSD и обновлённые прошивки. Зато производительность флэш-винчестеров обещает подняться ещё больше.
Автор: GreenCo Дата: 01.02.2010 00:07