Вчера в Японии прошла пресс-конференция, на которой исполнительный директор компании Globalfoundries Дуглас Грос (Douglas Grose) поделился планами развития компании. На работу в AMD Грос пришёл в 2007 году, а до этого он занимался развитием технологий, производством и поставками в компании IBM. В компании AMD Грос стал вице-президентом и начал опекать производство. Теперь он главный по заводам в Globalfoundries. Короче, за свои слова отвечает, а значит, его стоит послушать.
К середине 2011 года компания AM… Globalfoundries собирается закончить модернизацию дрезденского завода Fab 1. Основной упор делается на производство с нормами 40/45 нм с последующим масштабированием до 28 нм и ниже. Расчётная мощность завода — 80 тысяч 300-мм пластин в месяц. Завод Fab 8 в США будет введён в строй в 2013 году, что на год позже, чем ожидалось ранее и это не очень хорошо, хотя производство подверглось модернизации уже на момент закладки. Проектная мощность Fab 8 — 60 тысяч 300-мм пластин в месяц. Фокус — на 20/28-нм техпроцесс.
О планах модернизации сингапурских заводов экс-компании Chartered Semiconductor к сожалению не сообщается, а ведь именно этот контрактник ближе всего по расположению к производствам Toshiba, которая планирует отдать высокотехнологичные заказы компании Globalfoundries. Также нет ничего особо интересного в планах развития технокластера в Эмиратах. О заводе в Абу-Даби речи вообще не идёт. Даже в перспективе.
Из озвученных планов мы не видим, как Globalfoundries (AMD) собирается догонять Intel в плане освоения передовых техпроцессов. Компания Intel начнёт выпускать коммерческие 22-нм чипы в
четвёртом квартале 2011 года. Компания Globalfoundries разработала 28-нм техпроцесс, но фокус, как сказано выше, нацелен на 40/45-нм производство. Это будут контрактные заказы для Toshiba, ARM, Samsung, ST Micro и других производителей ARM-процессоров. Первые тестовые чипы с нормами 28 нм появятся во втором квартале 2011 года, но серийный выпуск вряд ли состоится раньше 2012 года. Пока компания не оглашает планы перевода производства на нормы 28 нм.
Следует сказать, что техпроцесс Globalfoundries для транзисторов с металлическими затворами и подложек с высокой диэлектрической проницаемостью (HKMG) отличается от подхода Intel. Клуб IBM, в который входит Globalfoundries,
использует технологию «Gate First», a Intel «Gate Last». Со слов разработчиков, у технологии «Gate First» лучшие показатели. В частности — большая плотность расположения транзисторов, лучшая производительность и меньшее энергопотребление. Если сравнивать с переходом от 40-нм Gate First-производства к 28-нм, то производительность возрастает на 50 % с одновременным 50% падением энергопотребления. Плотность же расположения транзисторов возрастает вдвое. При этом технология «Intel» Gate Last проигрывает технологии «Globalfoundries» Gate First по размеру кристалла на 10-20 %. Попросту говоря, 28-нм кристалл AMD будет примерно такой же площади, как и 22-нм кристалл Intel при равном числе транзисторов (как бы одинаковая себестоимость). Но фишка в том, что с 20/22-нм техпроцесса лагерь IBM уже вынужден переходить на «технологию Intel», так что к 2013 году останется одна технология Gate Last.

28-нм техпроцесс Globalfoundries обещает быть не хуже 22-нм техпроцесса Intel
А пока Globalfoundries с успехом внедряет технологию Gate First для производства 32-нм процессоров Llano (вопрос с Bulldozer почему-то обойдён стороной). Также компания выпустила первую 32-нм HKMG SoC-сборку для компании Samsung, что свидетельствует о готовности выполнять заказы на производство 32-нм ARM-процессоров. Но вот будут ли такие выпускаться до освоения 28-нм производства, пока не озвучено. Согласно ранним планам, чипы на основе архитектуры ARM Cortex-A9 компания Globalfoundries планирует выпускать с применением 28-нм норм.

Компьютер на чипе — это дело не такого уже и отдалённого будущего
Согласно перспективам, опытное производство 20-нм чипов стартует во второй половине 2012 года. Тогда же компания начнёт монтировать на американском заводе Fab 8 оборудование для производства с помощью EUV-литографии (13 нм). Ввод EUV-оборудования в строй намечено на 2014-2015 годы. Где-то в промежутке между 2012 и 2014 годами компания намерена внедрить технологию сквозной упаковки кристаллов —
TSVs, что приведёт в итоге к пространственной конструкции процессоров либо их компонентов и, соответственно, к рекордному росту плотности чипов.