Официальным
пресс-релизом известный производитель компьютерной памяти компания G.Skill International представила новое семейство флэш-винчестеров — Phoenix EVO:

Коробка с новинкой |

SSD Phoenix EVO |
Новые накопители базируются на флэш-чипах NAND MLC с нормами производства класса 20 нм. Поскольку G.Skill говорит о нескольких поставщиках флэш-чипов, это могут быть 25-нм микросхемы IMFT, 27(?)-нм чипы Samsung, 24-нм память Toshiba или 26-нм флэш-память Hynix. Но в данном случае производитель не очень важен. Важно то, что 20-нм флэш-чипы по потребительским характеристикам заведомо хуже 30-нм. В связи с этим забавно наблюдать, как маркетинговые отделы вендоров SSD пытаются представить в выгодном свете новые флэш-винчестеры, топорно сравнивая их с поколением 30-нм SSD.
Первую половину пресс-релиза компания G.Skill увлечённо рассказывает о высоком быстродействии Phoenix EVO и о повышенной надёжности новых 20-нм чипов, как и SSD на их основе, но уже к концу пресс-релиза признаёт, что флэш-винчестеры предыдущего поколения и быстрее, и имеют меньший запас для перекрытия умерших в процессе эксплуатации флэш-ячеек.
Объём нового SSD Phoenix EVO составляет 115 ГБ, что заставляет думать о скрытом резерве порядка 10 %, тогда как накопители Phoenix Pro были объёмом 120 ГБ. Линейные скорости Phoenix EVO составляют 280/270 МБ/с в режимах чтения/записи — это на 5 МБ/с меньше по каждому из параметров, если сравнивать с аналогичными режимами старых Phoenix Pro. Более всего разница в производительности заметна при оценке IOPS для 4-КБ блоков. Старые SSD доходили до отметки 50000 IOPS, новые едва дотягиваю до 35000.
К концу документа G.Skill, наконец, делает единственный правильный вывод — новые диски на 20-нм памяти будут сравнительно дешевле старых на 30-нм. В остальном новинки потенциально будут уступать SSD на памяти класса 30 нм (при условии, что контроллеры будут одни и те же, а пока обе серии Phoenix базируются на одинаковых контроллерах SandForce SF-1222).
Что же, компании G.Skill, как и другим вендорам рынка SSD, попросту некуда деваться. Для снижения себестоимости флэш-чипов производители памяти уменьшают масштабы техпроцесса. На характеристиках NAND-флэш это сказывается самым негативным образом. Число циклов стирания уменьшается с 3000-5000 до 1000-2000, что приходится компенсировать резервированием большего объёма (из доступного пользователю) для сокрытия износившихся ячеек, а скорость работы замедляется из-за усложнения алгоритмов коррекции ошибок и процесса по равномерному распределения данных во врем операций записи.
Вот и приходится сочинять подобные пресс-релизы, где одна часть текста входит в противоречие с другой. Положение исправится лишь тогда, когда на сцену выйдут контроллеры SSD специально разработанные для памяти класса 20 нм и ниже. Только не надо забывать, что это усложнит и удорожит стоимость контролеров, так что удешевление стоимости производства флэш-памяти частично будет нивелировано дорожающими контроллерами, а значит, радикального снижения цен на SSD в ближайшее время всё равно не произойдёт.