Чудесные свойства графена известны хорошо — это и самый тончайший токопроводящий материал (толщиной в один атомный слой), и одна из самых стабильных и устойчивых в работе структур (термально, оптически, механически, электрически), да ещё и малозатратный в производстве. Проблема только в том, что графен плохо пристаёт к другим материалам, в частности, использующимся в обычном производстве полупроводников. Но прогресс не стоит на месте, и компания
IBM сообщает о создании техпроцесса, с помощью которого она выпустила первую в мире интегральную цепь с использованием графена:

Графеновый чип IBM: две алюминиевые катушки индуктивности и транзистор с каналом из графена
Работающие макеты цепей с использованием графена — далеко не новость. Заслуга IBM в том, что она создала чип нанометрового уровня. Компания не раскрывает деталей, но говорит о размерах сравнимых с «булавочной головкой». Что также важно, литография и процесс нанесения материалов, как и депонирование канала графенового транзистора, проходили в режиме близком к штатному на пластине из карбида кремния (silicon carbide, SiC). Попросту говоря, IBM смогла уложить техпроцесс производства чипа с использованием графена в более-менее стандартные рамки. Со временем это откроет путь к промышленному производству чипов на основе графена.
Опытный чип представляет собой смеситель частот — один из стандартных блоков радиоустройств. Изготовление блока со столь малыми катушками индуктивности даёт возможность перевести работу беспроводных устройств, например, мобильных телефонов, на значительно более высокие частоты. Как результат, связь появится в ранее недоступных местах, куда сигнал до сих пор не мог проникнуть из-за поглощения преградами. Другое применение графенового «радио» — это замена рентгенаппаратов в медицине и обнаружение скрытого оружия или объектов. Неслучайно IBM заявляет, что создание графенового чипа является значительным шагом в программе DARPA по освоению «углеродной электроники».
Опытный графеновый чип IBM содержит четыре металлических слоя и два оксидных. На одном из металлических слоёв был синтезирован слой графена, из которого сделали транзистор. Сообщается, что смеситель частот устойчиво работал на частоте до 10 ГГц. Рост температуры до 120 градусов по Цельсию не сказался на стабильности характеристик смесителя.