В полном соответствии с обещаниями комитет JEDEC
опубликовал спецификации памяти с расширенным интерфейсом — Wide I/O mobile DRAM (JESD229 Wide I/O Single Data Rate (SDR)). Помимо прочего — это первый стандарт, приводящий в соответствие выпуск памяти пространственной 3D-конструкции с использованием сквозных соединений (Through Silicon Via, TSV). Стандарт предусматривает как установку друг на друга кристаллов памяти (до 4-х слоёв), так и установку кристаллов памяти на кристалл с логикой (System on a Chip, SoC).
В спецификации вошло описание расширений, функциональности, токовых характеристик и назначение выводов памяти Wide I/O. Методы соединений кристаллов и тип упаковки каждый из производителей будет выбирать сам.
Пиковая производительность памяти Wide I/O обещает подняться до 17 ГБ/с (гигабайт в секунду). Сигнальная структура в целом сохранена — это та же LPDDR2, только вместо максимальной организации 32 бита на чип память Wide I/O вооружена 512-битовой шиной. Эта шина разделена на четыре канала (от A до D), каждый из которых может работать на частоте до 266 МГц SDR (4,26 ГБ/с). Спецификации разрешают поддерживать до четырёх банков памяти на канал, что организуется с помощью четырёхслойной (четырёхкристальной) упаковки.
Напряжение памяти Wide I/O выбрано минимальным из возможных на сегодня — это 1,2 В. В принципе, из-за плотной упаковки и сокращения длин соединений достигается приличная энергоэффективность. Со слов JEDEC, при двукратном росте пропускной способности потребление не увеличилось.

Вместо наращивания частоты предложена широкая шина
Образцы памяти Wide I/O уже
выпускают такие компании, как Elpida и Samsung. Ожидается, что память Wide I/O значительно увеличит производительность мобильных гаджетов (от смартфонов до планшетов), как и встраиваемой электроники.