Новости за день

Qualcomm анонсировала бюджетный 64-битный процессор для смартфонов
Как известно, новая платформа компании Apple для планшетов и смартфонов стала 64-разрядной. Во многом это рекламный ход, хотя нельзя утверждать, что в этом нет задела на будущее. Этот задел есть. Причём у компании Apple перед другими участниками рынка субмобильных устройств есть такое преимущество, как полный контроль над мобильной операционной системой (iOS). Пока конкуренты из лагеря Android ожидают движения Google в сторону 64-разрядности, Apple понемногу эту поддержку готовит и вводит. Иными словами, приложения на платформах Apple в самое ближайшее время смогут работать чуть быстрее, тогда как 64-разрядные ARM-платформы под Android ещё довольно долго будут работать вхолостую. Но законы рынка таковы, что отставать от конкурента нельзя ни в коем случае, поэтому все ведущие разработчики SoC для смартфонов так или иначе уже доложили о готовности выпустить 64-разрядные процессоры не позднее 2015 года. Но без сюрпризов не обошлось.

Вчера о готовности представить первый 64-разрядный процессор для смартфонов доложила компания Qualcomm. Речь идёт о четырёхъядерной SoC на архитектуре ARM Cortex-A53. Это младшая из двух 64-разрядных архитектур компании ARM, поддерживающая новый набор 64-разрядных команд ARMv8. Первым таким процессором Qualcomm станет SoC MSM8916 в семействе Snapdragon 410. Сюрприз? Однозначно! Поддержку 64-битности получили не старшие процессоры для топовых моделей — Snapdragon 600 или 800, а младшие и ближние к среднему решения. Резона тут два. Во-первых, компания не стала напрягаться и пошла по пути меньшего сопротивления: новинка опирается как на элементы проприетарной ядерной архитектуры ARM, так и на элементы фирменного дизайна, тогда как старшие решения создаются едва ли не с нуля, используя лишь совместимый набор команд. Это значительно ускорило разработку и дало возможность быстро представить рынку востребованный маркетинговыми отделами продукт (ага, именно маркетинговыми, ведь никто не будет спорить, что сейчас 64-битность фактически никак не будет востребована?).

Во-вторых, акцент на младшие решения даёт возможность компании Qualcomm дать отпор агрессии компании MediaTek. Платформа Snapdragon 410 ориентирована для выпуска массовых смартфонов ценой до 150 долларов США. Эти аппараты предназначены для рынков развивающихся и бедных стран, где китайская компания MediaTek составляет серьёзную конкуренцию компании Qualcomm. Отметим, новая SoC поддерживает все основные поддиапазоны LTE и 3G, что делает её фактически «всеядной» для подавляющего большинства регионов мира и эта поддержка интегрирована в основной чип. Компаньоном ему выступает лишь универсальный радиотракт RF360, а в целом интеграция поддержки сотовых сетей в Snapdragon 410 аналогична той, которая реализована в Snapdragon 800. Наконец, новая SoC работает с тремя системами глобального позиционирования, включая российскую и китайскую, как и даёт возможность создавать аппараты с двумя и тремя СИМ-картами — мечта пользователя, следящего за своими тратами на мобильную связь.

Производство SoC Snapdragon 410 стартует в первой половине 2014 года с применением 28-нм техпроцесса. В готовой продукции новинка появится во второй половине нового года. Частоты четырёх 64-разрядных ядер MSM8916 будут лежать в пределах 1,2-1,4 ГГц. Доступ к памяти — одноканальный, хотя и 64-битный. Тип поддерживаемой памяти — LPDDR2 и LPDDR3. Заявлено о работе SoC с 13-МП камерами, а интегрированная графика — класса Adreno 306. Ещё раз подчеркнём, что острой необходимости в поддержке 64-битных расширений сейчас нет. Маловероятно, что эта необходимость появится через год. Во всяком случае, бюджетные смартфоны с объёмом оперативной памяти свыше 4 ГБ — это противоречит здравому рассудку. Другое дело, что сейчас бал правит маркетинг, а с этими товарищами любая сказка станет былью.
Автор: GreenCo Дата: 10.12.2013 11:34
Micron согласилась выплачивать отчисления компании Rambus
Главным оплотом сопротивления патентным притязаниям компании Rambus оставалась американская компания Micron Technology. Последний вердикт суда подтвердил право компании Micron отказаться платить лицензионные отчисления разработчику, который для достижения своих корыстных целей уничтожил 400 коробок с документами, 1200 лент с файлами и подчистил текст в 60 патентах. Это только то, что доказано. Что там происходило на самом деле, достоверно выяснить не удалось. Казалось бы, над компанией Rambus нависла реальная угроза попасть под раздачу самого демократичного суда в мире. Отнюдь, как сообщается сегодня в официальном пресс-релизе компании, между Rambus и Micron Technology достигнута договорённость, согласно которой производитель памяти согласился выплачивать разработчику интерфейсов DRAM и владельцу других патентов на компьютерные интерфейсы определённые лицензионные отчисления.

Информация о предмете договора засекречена. В общем, речь идёт об интерфейсах памяти и «других» интерфейсах. Согласно достигнутой договорённости, компания Micron выплатит компании Rambus за семь с чем-то лет 280 млн. долларов США (по 10 млн. долларов в квартал). Отметим, тем самым компания со временем оплатит возможность выпускать лицензионную память без выплаты роялти, если таковая будет востребована через семь лет. Можно представить, что пойти на этот шаг компанию Micron заставил тот простой факт, что она стала владельцем японской компании Elpida и её заводов. Во-первых, Elpida всегда и безоговорочно выплачивала компании Rambus лицензионные отчисления. Часть договоров компания Micron могла получить в наследство и обеспечить себе более льготные условия для заключения договора с Rambus. Во-вторых, действие на новом производственном поле подразумевает попадание под юрисдикцию японского законодательства. Это не игра дома, где практика лоббирования узаконена и приносит свои плоды.

Как бы там ни было, у компании Rambus открывается второе дыхание и появляется возможность с новой силой давить на других несговорчивых производителей.
Автор: GreenCo Дата: 10.12.2013 12:34
В 2018 году разработчики обещают сверхнадёжную флэш-память
С 9 до 12 декабря в США под эгидой института стандартизации IEEE проходит такое ежегодное мероприятие, как IEDM 2013 (International Electron Devices Meeting). Это событие обещает стать катализатором для появления массы интересных докладов из мира полупроводников, с одним из которых мы сейчас познакомимся.
Как сообщается, Университет Tsukuba и разработчики группы Low-power Electronics Association & Project (LEAP) представили новые материалы для создания памяти на основе изменения фазового состояния вещества (phase-change memory). У такой памяти под воздействием локального нагрева состояние ячейки меняется с кристаллического на аморфное и обратно. Как результат, меняется величина сопротивления, что выливается в запись «0» или «1» (по аналогичному физическому принципу работает перезапись на оптических дисках).

Современная память с изменением фазового состояния вещества, которую, в частности, выпускает компания Micron и использует в своих телефонах линейки Asha компания Nokia, опирается на тонкоплёночные структуры из комбинации таких материалов, как германий, сурьма и теллур (GeSbTe). Новые опытные тонкоплёночные структуры с физической формулой GeTe/Sb2Te3 предполагают несколько иной подход для записи данных в ячейку. Вместо изменения кристаллической структуры запись — изменение величины токового сопротивления материала — происходит за счёт управляемой миграции ионов германия в записывающий слой. Честно говоря, это уже напоминает принцип резистивной записи (см. пресловутый мемристор), а не запись с изменением фазового состояния вещества.

Замена «традиционной» плёнки на плёнку со сверхрешёткой (superlattice) позволит увеличить число допустимых циклов стирания ячейки до 100 млн., а отказ от нагрева для операций записи более чем на 90 % сократит потребление тока и ускорит саму процедуру записи (перезаписи).

Коммерческий бенефис новой технологии разработчики ожидают в период с 2018 по 2020 годы, когда ожидается «взрывной» рост информационного потока. К этому времени они научатся создавать устойчивые тонкоплёночные структуры из экзотических материалов и предложат быстрые чипы для SSD на замену устаревшей и подверженной быстрому износу памяти типа NAND-флэш. Ага, свежо предание. Но верить хочется всегда.
Автор: GreenCo Дата: 10.12.2013 13:39
Toshiba представляет ещё одну линейку корпоративных SSD
Европейское представительство компании Toshiba разослало пресс-релиз, из которого стало известно о подготовке ещё одной серии фирменных твёрдотельных накопителей корпоративного класса. Надо сказать, этот месяц едва начался, но уже оказался весьма богатым на SSD-анонсы компании. Чего только стоит сообщение о договорённости купить компанию OCZ! Может это они от них заразились в хорошем смысле этого слова? Компания OCZ Technology среди всех прочих брендов на рынке SSD отличается редчайшим разнообразием актуальных моделей SSD.
Новые корпоративные SSD компании Toshiba
Новые корпоративные SSD компании Toshiba

Что касается представленных сегодня для европейского рынка новинок, то они являют собой бюджетный вариант анонсированной на днях серии PX03SN. Как и накопители SSD PX03SN, новая серия — HK3R — допускает только одну полную перезапись ёмкости в сутки в течение пяти лет официального гарантийного срока. Из этого прямо следует, что серия HK3R ориентирована на приложения с акцентом на чтение данных, а не на запись. Сама компания позиционирует новинки в качестве решений для многоуровневых серверных систем хранения данных, повышающих скорость загрузки, в том числе — для кэширования на серверах хранения данных и для ведения журналов ошибок.

Устоявшиеся скорости чтения и записи накопителей серии HK3R заметно ниже моделей серии PX03SN. Поэтому последние вооружены интерфейсом SAS 12 Гбит/с, а новые модели — интерфейсом SATA 6 Гбит/с.

Модельный ряд новинок включает накопители ёмкостью 120 ГБ (THNSNJ120PCS3), 240 ГБ (THNSNJ240PCS3) и 480 ГБ (THNSNJ480PCS3). Устоявшиеся скорости чтения достигают 500 МБ/с, а устоявшиеся скорости записи — 280 и 400 МБ/с для накопителей, соответственно, 120-ГБ и 240/480-ГБ объёма. Значения IOPS для чтения случайных 4-КБ блоков равны 75000, а для записи — 10000 и 12000. Типичное потребление новинок равно 1 Вт, тип используемой флэш-памяти — 19-нм NAND MLC.
Автор: GreenCo Дата: 10.12.2013 14:43