Новости за день

Мы продолжаем изучать доклады, сделанные в ходе прошедшей в начале этой недели конференции IEDM 2013. На очереди рассказ компании TSMC о 16-нм техпроцессе с использованием «вертикальных» Fin-FET транзисторов. Прежде всего, отметим, что компания сообщила о начале ограниченного производства с использованием 20-нм техпроцесса и о готовности ещё до конца года приступить к ограниченному производству с использованием 16-нм техпроцесса. В то же время не стоит это воспринимать, как высокую степень готовности запустить новые техпроцессы на полную мощность. Пока компания будет выпускать прототипы и изучать их характеристики. В каких-то заметных количествах 20-нм полупроводники с конвейеров TSMC начнут сходить в феврале-марте нового года, а массовые 16-нм решения будут запущены не раньше, чем через год после этого.

По оценкам TSMC, благодаря замене планарных транзисторов на FinFET-структуры «16-нм» техпроцесс по сравнению с 28-нм техпроцессом позволит увеличить рабочие частоты транзисторов на 35 % или снизить потребление на 55 %. При этом плотность размещения транзисторов будет удвоена. Масштаб техпроцесса в кавычки взят неслучайно. Компания TSMC для выпуска полупроводников с этими нормами будет опираться на полноценный 20-нм техпроцесс. Абсолютно всё, кроме поставленных на ребро затворов (Fin-FET), будет соответствовать 20-нм нормам: размеры межслойных соединений, толщина проводных соединений в каждом слое, толщина изолирующих слоёв и размеры контактных площадок для формирования внешних соединений. При соблюдении таких условий, как легко понять, компания TSMC сможет достаточно быстро переключиться с выпуска 20-нм полупроводников на «16-нм». Год для этого вполне реальный срок.

Опытные 16-нм микросхемы TSMC включают элементы архитектуры ARM Cortex-A57 и массив ячеек SRAM-памяти. Компания продемонстрировала способность выпустить семислойную структуру с медными межслойными соединениями. Радиус соединений в первом слое равен 32 нм. Под вертикальный затвор отводится «пятно» диаметром 48 нм. Длины затворов могут составлять 30, 34 и 50 нм. Формировать рисунок на кристалле предполагается за счёт двойной проекции (в два этапа). Технология производства как у Intel — gate-last, когда сначала пластину с кристаллами отжигают, а потом привносят примеси.

Как заявляют в TSMC, разброс характеристик транзисторов уменьшился на 24-36 %. Токи утечки при подаче питания 0,75 В составляют 520-525 мкА/мкм. Опытный образец памяти SRAM показал высокий уровень выхода, хотя плотность размещения транзисторов выросла вдвое. Нетрудно заметить, что компания TSMC уверяет всех в способности в скором времени приступить к выпуску 16-нм решений, хотя на повестке дня стоит вопрос 20-нм производства, до которого остался квартал или менее того. Согласно слухам, напомним, TSMC уже «застолбила» заказ на выпуск 20-нм процессоров A8 для компании Apple, тогда как производство 16-нм версий процессоров для смартфонов и планшетов этого бренда вновь обещает вернуться к компании Samsung. Если это действительно так, тогда доклад TSMC можно воспринять совсем в другом свете.

Такая организация, как Alliance for Wireless Power (A4WP), организованная более года назад компаниями Samsung и Qualcomm для продвижения одного из методов беспроводной зарядки аккумуляторов в составе гаджетов, приняла верное решение и ввела в обиход простую торговую марку — Rezence. Конкурирующий стандарт — Wireless Power Consortium — давно представил публике благозвучную аббревиатуру Qi вместо неудобоваримого обозначения WPC. Тем самым альянс A4WP начинает новый этап борьбы за умы обывателей, хотя авторитет WPC укрепился настолько, что даже отцы-основатели альянса A4WP — компании Samsung и Qualcomm — вынуждены были примкнуть к конкурирующему лагерю.

Как отмечается в пресс-релизе A4WP, программа сертификации Rezence будет утверждена до конца текущего года. В следующем году на коробках с совместимыми устройствами можно будет искать логотип Rezence в виде молнии на фоне пиктограммы, изображающей заряжающийся аккумулятор. Добавим, термин «Rezence» составлен из двух английских слов: resonance и essence (резонанс и сущность). Технология Qualcomm подразумевает использование электромагнитного резонанса, тогда как конкуренты предлагают обычную электромагнитную индукцию. Преимущества Rezence над Qi заключается в том, что зарядное (передающее) устройство и заряжаемый гаджет можно разнести на дистанцию до 3-5 см и при этом не заботиться о соблюдении точной ориентации антенн. Совместимые со стандартом Qi устройства должны соблюдать ориентацию, что обеспечивается, прежде всего, их размещением в особых кроватках.

На первом этапе предусмотрено три профиля для беспроводного заряда «методом» Rezence: 1 Вт для Bluetooth-гарнитур, 3,5 Вт для обычных сотовых трубок и 6,5 Вт для смартфонов. Впоследствии предусмотрено создание профилей для беспроводного заряда аккумуляторов планшетов и даже ноутбуков. Кстати, что-то интересное с поддержкой технологии Rezence на CES 2014 обещает представить один из крупнейших игроков на рынке компьютеров. Поскольку летом этого года в управляющую верхушку альянса A4WP вошла компания Intel, именно с её стороны можно ожидать ряд интересных анонсов.

Такой регулирующий орган, как Международный союз электросвязи (ITU), одобрил черновые спецификации стандарта G.fast, который предусматривает передачу данных по привычным телефонным коммуникациям на скорости до 1 Гбит/с. Тем самым новый стандарт даст домашним пользователям возможность организовать у себя подключение к сети Интернет на скорости, сравнимой с соединениями по оптическим каналам связи. По простоте подключения технология G.fast будет сравнима с широко распространённой технологией ADSL2. Попросту говоря, пользователь сам сможет настроить совместимый модем и провести необходимые коммуникации у себя в доме. Но не всё так просто.

Заявленные высокие скорости сохраняются лишь в том случае, если от концентратора до модема не более 100 метров. Допускается также подключение модема на дальности до 200 метров, но при этом будет снижена скорость трафика. Поэтому организация подключений с соблюдением стандарта G.fast ориентирована, в первую очередь, на многоквартирные дома. Провайдер доведёт до подъезда оптические линии связи и разместит в доме соответствующее оборудование, и затем разведёт до квартир очень быстрый проводной Интернет.

Стандарт G.fast разработан с соблюдением условий его совместной работы со стандартом VDSL2. Тем самым пользователь и провайдер могут выбирать между стоимостью услуги и необходимой пропускной способностью. К примеру, переход на G.fast может понадобиться при появлении желания смотреть фильмы с разрешением 4К или даже 8К. Для достижения столь высокой скорости обмена рабочий частотный диапазон G.fast был поднят с 17-30 МГц, характерных для VDSL2, до 106 МГц. Согласование деталей и консультации с производителями продлятся до апреля нового года, после чего ожидается выпуск финальной версии спецификаций G.fast.

В начале лета компания Samsung приступила к поставкам SSD серии XP941 в новом формфакторе — M.2. На тот момент была готова ревизия новых спецификаций версии 0.9. Вчера организация PCI-SIG, занимающаяся вопросами развития и продвижения технологии PCI Express (PCIe), объявила о выходе спецификации PCIe M.2 Specification Revision 1.0.

Формфактор M.2 называется естественным развитием таких формфакторов, как PCIe Mini Card и PCIe Half Mini Card. Он даёт возможность и дальше уменьшать толщину и массу мобильной электроники — планшетов, карманных игровых консолей, смартфонов и других устройств, которые опираются на SSD-накопители. Само собой, в этом формфакторе будут также выпускаться карточки Wi-Fi, Bluetooth и WWAN. Компания Intel, к примеру, уже поставляет сотовые модемы XMM 7160 в формате M.2.

В новой ревизии спецификаций утверждены разъёмы для односторонних и двухсторонних карт. В первом случае речь идёт также о монтаже с помощью пайки — о несъёмных модулях. Это позволит сделать гаджеты максимально тонкими.

В зависимости от числа используемых линий PCIe скорость обмена по интерфейсу карт M.2 может достигать 2 ГБ/с (две линии) или 4 ГБ/с (четыре линии). Для правильного подключения модулей предусмотрены механические ключи.

Bound by Flame - игра от создателей Silverfall, сделанная в жанре action/RPG, и строится вокруг главного героя, в которого вселился огненный демон. Официальный сайт никакого синопсиса не даёт, так что остаётся догадываться о происходящем по двум коротким трейлерам.



Единственное, что известно точно: игры выйдет до марта 2014 года на платформах PC, PS3, PS4, Xbox 360, а игрокам будут доступны связки ударов и развитие сюжета в зависимости от выбора в ключевых точках.



Затрудняюсь сходу назвать причину, но проект сумел вызвать мой интерес. Не каждый день главным героем выступает одержимый. Среди фильмов таких примеров много, а вот в компьютерных играх встречается крайне и крайне редко.

Последить за судьбой Bound by Flame и посмотреть скриншоты можно тут: ссылка

Просто, как всё гениальное. Вам надо куда-то уехать, уйти в работу, отказаться от социальных сетей (вариантов масса)? "Подцепите" свои аккаунты в Facebook и Twitter к Relaxed, напишите сообщение, которое будут видеть желающие с вами пообщаться (а в Facebook это применительно и к приватным письмам) - вот и всё. Спокойно занимайтесь своими делами, вас никто не потеряет.

Сервис полностью бесплатный, но вам всё-таки придётся зарегистрироваться на сайте Relaxed. Единственный минус заключается в отсутствии поддержки русского языка.

Отдохнуть от социальных сетей и настроить автоответчик можно тут: ссылка

Но новые сборки Winamp 5 всё ещё появляются из-под рук разработчиков. Последняя - Winamp 5 Full 5.666 Build 3516.

Как бы то ни было, но корпорация AOL заявила о прекращении разработки проекта Winamp, а также о закрытии 20 декабря 2013 года сайта Winamp.com. Компания Nullsoft, которая изначально и являлась разработчиком некогда самого популярного плеера, а позже вошла в состав AOL, будет ликвидирована. Но всё это не значит, что Winamp не будет развиваться. Думаю, дальнейшая разработка будет вестись в рамках сообществ на уровне плагинов. Но на бесплатной основе.

Однако, согласно источникам, корпорация Microsoft заинтересована в покупке и сохранении Winamp. Так это или нет, покажет время. А пока спешите скачать последнюю версию проигрывателя с сайта ru.Winamp.com.