Новости за день

По следам IEDM 2013: ReRAM может быть «трёхмерной»
В декабре на очередной (58 по счёту) ежегодной конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) 2013 было рассказано много чего интересного о будущем полупроводниковой индустрии. Что-то мы смогли рассмотреть, что-то осталось за кадром. Но информации так много, что упоминание об этом декабрьском событии, похоже, ещё не раз будет появляться в нашей колонке. Так, в свежей новости сайт EE Times рассказал о вариантах производства такой энергонезависимой памяти, как резистивная память или ReRAM (RRAM), которые обсуждались на IEDM 2013.

Память ReRAM получила массивную поддержку в прессе после сообщения компании HP о создании мемристора — пресловутого четвёртого электротехнического элемента, сопротивление которого может иметь ряд стабильных, но линейно изменяемых значений. До этого подобная память без какой-либо помпы разрабатывалась целым рядом компаний. Вся она основана на принципе управляемого насыщения/вытеснения условной ячейки ионами кислорода. Но стоило в пресс-релизе HP появиться слову «мемристор», и пошло-поехало.

На IEDM 2013 обсуждались вопросы формирования матричных структур ReRAM и варианты организации гальванической развязки ячеек для снижения паразитных утечек. При этом, что естественно, стоит задача создать максимально простой и максимально надёжный процесс, в котором все элементы выполняются в едином цикле. Иначе говоря, те же диодные структуры для организации развязок желательно создавать в процессе формирования ячеек и управляющих электродов.
Создание трёхмерных ячеек ReRAM по технологии компании Windbond
Создание трёхмерных ячеек ReRAM по технологии компании Windbond

Свой метод производства ReRAM предложила тайваньская компания Windbond Electronics вместе с одним из местных университетов (документ 10.4). На подложке последовательно методом наложения формируются несколько тонкоплёночных структур из изолятора (оксида кремния, синий цвет на картинке) и проводника (титана, оранжевый слой): всего по два слоя каждого материала. После травления образуется два уровня вертикальных проводников тока. Следующим этапом наносятся три тонкоплёночных слоя — из оксида титана, оксида тантала и тантала — и тоже проводится травление, в результате которого создаются горизонтальные проводники, но уже из тантала. Тем самым создаётся матрица, где ячейки памяти — это участки (столбцы) на пересечении проводников из титана и тантала. Более того, в месте каждого пересечения получается две ячейки друг над другом, и число «этажей» определённо можно будет наращивать по мере совершенства техпроцесса.

Согласно оценкам разработчиков, устойчивость к износу памяти ReRAM в подобной версии будет достигать 10 в 9-й степени. Напряжение записи/стирания равно 5/6 В при силе тока менее 1 мкА.
Проект ячейки ReRAM разработчиков из Кореи, США и Японии
Проект ячейки ReRAM разработчиков из Кореи, США и Японии

Ещё одна 3D-конструкция ReRAM предложена разработчиками из Южной Кореи, Японии и США (из Стенфорда). Она носит название гибридной и использует более экзотические материалы. Например, такие, как ниобий, включая проводники из вольфрама. Зато запись ячеек может проводиться напряжением от 1,6 В до 0,6 В. Все предложенные методы, как и масса других решений, имеют свои достоинства и недостатки. Что из этого окажется жизнеспособным, а что нет, покажет только движение к практической реализации проектов, о чём мы, безусловно, ещё узнаем.
Автор: GreenCo Дата: 02.01.2014 09:48
NVIDIA выделила под $2 млн. на выплаты канадцам за брак в чипсетах с графикой
Казалось бы, давно отгремели скандалы с перегревающимися интегрированными чипсетами компании NVIDIA для ноутбуков. Но, нет. Неторопливые канадские юристы только на днях «дожали» NVIDIA по коллективному иску в деле о внезапно выходящих из строя видеокартах компании. История, напомним, получила огласку в 2008 году, когда скрывать масштабы брака было уже невозможно. Уже тогда NVIDIA начала выплачивать компенсации производителям ноутбуков и, чуть позже, отдельным пользователям.

В конце минувшего года в Канаде был учреждён специальный фонд объёмом 1,9 млн. канадских долларов (примерно 1,78 млн. долларов США). Денежные компенсации будут выплачены тем пострадавшим жителям Канады, которые оформят заявку до 25 февраля текущего года. Итого осталось 54 дня. Сумму компенсации, кстати, будет определять специальная комиссия по особому расчёту. Определено, что неисправность встречается в ноутбуках производства компаний Apple, Compaq, Dell, HP и Sony, выпущенных в период с ноября 2005 года по февраль 2010 года. Кроме проблем с видеокартами — от искажений до ряби и полного отключения — «гарантийными» случаями также считаются отказы в работе Wi-Fi.
Автор: GreenCo Дата: 02.01.2014 11:11
Toshiba и SK Hynix обещают стать лидерами в производстве MRAM
Японское издание Nikkei опубликовало заметку, из которой можно сделать осторожный вывод о далеко идущих планах компаний Toshiba и SK Hynix по освоению производства новых типов энергонезависимой памяти. Речь идёт о так называемой магниторезистивной памяти — MRAM (magnetoresistive random access memory). Каждая ячейка MRAM хранит информацию подобно магнитной поверхности обычного жёсткого диска — в виде намагниченного домена. Однако при этом работают несколько другие эффекты, а именно — туннельный магнитный переход. В версии MRAM-памяти Toshiba и SK Hynix информация в ячейку передаётся (записывается) с помощью передачи момента спина электрона — это технология STT MRAM (Spin-Transfer Torque MRAM).

Совместно разрабатывать память MRAM компании Toshiba и SK Hynix начали в 2011 году. До этого каждая из них работала над MRAM с другими партнёрами и не одно десятилетие. Прототипы микросхем MRAM нового поколения, а в сравнительно небольших объёмах чипы MRAM выпускаются не первый год, появятся на южнокорейских линиях SK Hynix в течение следующего финансового года: с апреля 2014 по март 2015 года. Коммерческие поставки решений партнёры намерены организовать в финансовом 2016 году. Источник отмечает, что это всё равно будет раньше, чем сможет сделать компания Micron — главный конкурент названных товарищей. По прогнозам, Micron будет готова начать выпуск MRAM лишь в 2018 году.

Также в случае необходимости партнёры могут построить в Корее или Японии новую линию по выпуску MRAM и организовать совместное предприятие. Цена вопроса — порядка одного млрд. долларов США. В отличие от других типов энергонезависимой памяти, память MRAM должна заменить обычную (оперативную) DRAM-память. Она окажется в 10 раз плотнее и на 30 % экономичнее, что обещает увеличить продолжительность автономной работы мобильных устройств. Добавим, компания Toshiba приступила к разработке новой процессорной архитектуры, в которой памяти MRAM отводится центральное место. Но это уже другая история.
Автор: GreenCo Дата: 02.01.2014 12:03