Новости за день

TSMC значительно увеличила время выполнения 28-нм заказов
Примерно год назад на долю компании TSMC приходилось до 80% заказов на 28-нм полупроводники. Просто кроме неё никто их не выпускал в заметных количествах. За прошедшее с тех пор время в эту нишу должны были подтянуться компании Samsung, GlobalFoundries и UMC. И всё же, как сообщил в пятницу популярный тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, компания TSMC как была завалена заказами на 28-нм решения, так и продолжает находиться под ворохом договоров. Более того, на днях TSMC вынуждена была увеличить время выполнения заказов на выпуск 28-нм решений с 10 до 16 недель — майские заказы теперь будут выданы аж в сентябре или октябре, и даже это не отпугнуло основных клиентов компании. Как результат, продукция компаний AMD, Broadcom, NVIDIA, MediaTek, Qualcomm и Texas Instruments рискует задержаться или оказаться в условиях угрозы дефицита.

Всё вышесказанное прозрачно намекает на то, что конкуренты TSMC либо загружены по полной программе, что касается, к примеру, компании Samsung и её работы на Apple, либо всё ещё барахтаются на стадии наладки массового производства 28-нм чипов, страдая от высокого уровня брака. Последнее относится как к компании GlobalFoundries, так и к компании UMC. Наконец, проект по выпуску какого-либо полупроводникового решения невозможно вот так взять и передать другому производителю, поскольку его необходимо изначально разрабатывать под уникальные производственные мощности. При этом страшно подумать, что будет с практическим внедрением 20-нм и 16-нм техпроцессов, если внедрение 28-нм процессов идёт с таким скрипом.
Автор: GreenCo Дата: 12.05.2014 00:01
IBM создала первый в индустрии прототип PCIe-накопителя на памяти PCM
На конференции Non-Volatile Memory Workshop 2014 компания IBM рассказала о первом в индустрии прототипе энергонезависимого PCIe-накопителя, созданного на основе памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества (phase change memory, PCM). Мы неоднократно рассказывали о работах над данным типом «флэш-памяти». Три года назад даже стали появляться опытные экземпляры накопителей на микросхемах PCM. Ценность же прототипа IBM в том, что благодаря использованию интерфейса PCI Express он позволил на практике изучить скоростной потенциал массива PCM-памяти.
Прототип накопителя с интерфейсом PCI Express и памятью PCM
Прототип накопителя с интерфейсом PCI Express и памятью PCM

Прототип накопителя под кодовым именем Тесей (Theseus) создан в греческом университете города Патры (University of Patras). Он опирается на 90-нм микросхемы PCM компании IBM, работающие на частоте 66 МГц. Исследование показало, что перевод ячейки в состояние «0» занимает 70 нс, а в состояние «1» — 120 нс. Напомним, состояние «0» означает аморфную фазу вещества в элементарной ячейке памяти, а состояние «1» — кристаллическую, что происходит после пропускания значительных токов через ячейку памяти PCM. По быстродействию память PCM приближается к памяти DRAM, и при этом она является энергонезависимой. Традиционная флэш-память NAND-типа далеко отстаёт от памяти типа PCM. Сравнительное тестирование PCIe-накопителя на микросхемах PCM показало, что неназванный SSD корпоративного класса отстаёт от него в 12 раз, а обычный клиентский SSD медленнее в 275 раз.

Кроме высокой сравнительной скорости накопители на памяти PCM намного устойчивее к износу, чем SSD на основе NAND-флэш. Ячейка памяти PCM выдерживает до 10 млн. циклов перезаписи. Если к этому добавить хитрые алгоритмы коррекции ошибок, то износостойкость можно довести до 10 трлн. циклов стирания.
Автор: GreenCo Дата: 12.05.2014 00:02
Samsung запустила в Китае новый завод по выпуску флэш-памяти
По данным аналитиков, в Китае сегодня производится свыше 50 % объёма от всей выпускаемой в мире флэш-памяти NAND-типа. В этот вал микросхем ещё немного продукции добавила на днях компания Samsung. Как сообщается в распространённом компанией пресс-релизе, в городе Сиань (Xi'an) провинции Шэньси введён в строй новый завод по выпуску памяти типа NAND-флэш. Что просто замечательно, линии этого предприятия будут выпускать так называемую память Samsung 3D V-NAND. Фактически это остриё прогресса в деле выпуска микросхем. Каждая микросхема 3D V-NAND представляет собой объёмную 3D-структуру, состоящую из 24 слоёв. Уточним, это не обычная сборка из пакета кристаллов, а настолько высокоплотная компоновка с использованием вертикальных TSVs-соединений, что её в некотором роде можно считать монолитной.

Новый завод раскинулся на площади 1,14 млн. квадратных метров земли. Общая площадь производственных помещений занимает 230 тысяч квадратных метров. От начала рытья котлована под фундамент до запуска производственных линий прошло чуть более полутора лет — 20 месяцев. Это рекордные сроки. Ради справедливости надо сказать, что линии по упаковке и тестированию микросхем пока не введены в эксплуатацию, что произойдёт ближе к концу текущего года.

Необходимость в переходе на вертикальные структуры полупроводников для выпуска флэш-памяти вызвана тем, что снижение норм производства больше не даёт эффект экономии средств — не уменьшает себестоимость на фоне роста плотности расположения ячеек. Для выпуска NAND-флэш барьером считаются 15-нм технологические нормы. Переход на вертикальные структуры с сохранением старых техпроцессов, а в случае Samsung 3D V-NAND — это 45-нм техпроцесс, увеличит плотность размещения ячеек памяти без перехода на новое литографическое оборудование.
Автор: GreenCo Дата: 12.05.2014 00:03