Новости за день

Toshiba обещает к 2017 году освоить выпуск процессоров на «туннельных» транзисторах
В эти дни на конференции SSDM 2014 (International conference on Solid State Devices and Materials) компания Toshiba сделала доклад, в котором сообщила о разработке полевого транзистора на управляемом эффекте туннельного перехода электронов (туннельный полевой транзистор или TFET). Серийный выпуск микросхем на TFET компания планирует освоить до 2017 года, чтобы в обозначенный срок приступить к производству предельно энергоэффективных микрокомпьютеров.

Речь идёт, прежде всего, о носимой электронике и о вещах с подключением к Интернет. Новые элементы вычислительных цепей позволят создать решения, энергопотребление которых уменьшится на 90 % по сравнению с цепями на традиционных транзисторах. При этом компания обещает в целом сохранить обычный CMOS-процесс, что не потребует значительной модернизации заводского оборудования.

В современной электронике туннельный эффект в переходах транзисторов возникает спонтанно и ведёт к увеличению токов утечки. По мере снижения масштаба производства переходы и барьеры становятся всё тоньше, что способно привести к лавинообразному росту утечек. Взять этот эффект под полный контроль разработчики пытаются давно. Более того, ровно десять лет назад о прогрессе в разработке транзисторов TFET рассказала компания Infineon, что ставит под сомнение сегодняшние достижения Toshiba и невольно заставляет задуматься о появлении в скором времени судебных исков со стороны немецкой компании. Как и Toshiba, в своё время Infineon сообщила о 100-кратном снижении токов утечек при переходе на TFET. При этом питание логики снижается до 0,5 В, что также благоприятно скажется на эффективности работы цепей на транзисторах TFET.
Автор: GreenCo Дата: 12.09.2014 09:54
Intel намерена приобрести 1400 патентов по технологиям сотовых коммуникаций
Официальным пресс-релизом компания Intel сообщила, что между ней и компанией The Gores Group достигнута договорённость о продаже в руки ведущего разработчика микропроцессоров 1400 патентов компании Powerwave Technologies. Компания Powerwave была признана банкротом в 2013 году, после чего для погашения части долгов патенты пришлось продать компании The Gores Group. Теперь всё это добро перейдёт в руки Intel.

Компания Powerwave Technologies была основана в 1985 году и стала пионером в деле разработки и производства телекоммуникационного оборудования нового поколения. В собственность Intel перейдут патенты, описывающие технологии для телекоммуникационной инфраструктуры, включая усилители для размещения на вышках, строение антенн, усилители мощности, а также цифровые цепи, для снижения предыскажений и пик-фактора.

Компания Intel планомерно идёт к расширению своего влияния на сектор беспроводной сотовой связи (и не только сотовой). В будущем технологии хранения, обработки и доставки данных должны быть интегрированы в единый аппаратно-программный комплекс, прообразом которого сегодня можно считать облачные сервисы.
Автор: GreenCo Дата: 12.09.2014 09:55
Intel считает, что 7-нм техпроцесс также обойдётся без EUV-литографии
Исполнительный директор Intel недавно подтвердил, что 10-нм полупроводники компания будет выпускать с использованием прежнего литографического оборудования, а именно — с помощью излучения длиной волны 197 (193) нм. Оборудование для работы с 13-нм EUV-излучением не только не готово, но также потребует значительных объёмов строительных работ, не говоря уже о стоимости основного и вспомогательного оборудования. Зато использование действующих линий позволит компании, к примеру, уже в конце 2015 года дать возможность клиентам на контрактные полупроводники принять участие в опытном выпуске решений на пластинах с использованием 10-нм техпроцесса. Серийный выпуск 10-нм решений компания собирается освоить в 2016 году.

В ходе своего выступления на IDF 2014 ведущий разработчик компании Intel, Марк Бор (Mark Bohr), дополнительно сообщил, что выпуск 7-нм решений, как склонны считать в Intel, также будет осуществлён без использования EUV-сканеров. Согласно стратегии Intel, 7-нм техпроцесс должен быть введён в оборот в 2018 году. Если компания откажется от использования EUV-проекции на данном этапе, внедрение сканеров следующего поколения следует ожидать к 2020 году. Фактически это обещает произойти на 15 лет позже, чем планировалось изначально.

Также специалист Intel признался, что в случае 14-нм техпроцесса для проекции на ключевые слои компания использует три фотошаблона. Для 10-нм проекции, таким образом, будет применяться до четырёх фотошаблонов. Возможно, что для 7 нм также будет достаточно четырёх фотошаблонов. В Intel уверяют, что усложнение производства и удлинение этапов выпуска решений не ведёт к увеличению себестоимости микросхем. За счёт роста плотности транзисторов себестоимость всё равно снижается шаг за шагом.
Автор: GreenCo Дата: 12.09.2014 10:32
Компания WD вводит новый подкласс жёстких дисков с «прогрессирующей» ёмкостью
Компания WD, подразделение известного производителя жёстких дисков Western Digital, представила накопители новой серии Ae. Накопители серии Ae — это решения для архивирования данных. Точнее, для хранения так называемых холодных данных — информации, которая может быть затребована в любой момент, но это требование может появиться один раз в день, месяц, год или даже реже. Примером может быть фотография в Facebook, о которой пользователь забыл сразу же по загрузке на персональную страничку, а всем другим она не интересна. Исходя из этого, технические характеристики HDD WD Ae предельно упрощены. Скорость вращения пластин составит 5760 об./мин., предусмотрена «умная остановка» вращения пластин, а срок наработки на отказ снижен с 2 млн. часов до 500 тысяч часов.
Накопитель компании WD нетипичной ёмкости
Накопитель компании WD нетипичной ёмкости

В то же время накопители WD Ae получат интересную возможность — так называемую прогрессивную ёмкость (Progressive Capacity). По-сути компания пытается ввести новый подкласс жёстких дисков, ёмкость которых от поколения к поколению будет увеличиваться значительно меньше, чем это обычно принято, а обычно она увеличивается на 500-1000 ГБ. По мнению WD, сегодня нет смысла ждать скачка ёмкости жёстких дисков. Заметный выигрыш в стоимости владения дисковыми подсистемами, а также экономия места и потребляемой энергии, произойдёт даже в том случае, если ёмкость накопителя увеличится на 100, 200 или 300 ГБ. Поэтому в серии WD Ae мы увидим накопители нетипичного объёма 6,1 ТБ, 6,2 ТБ, 6,3 ТБ или чуть более.

Говоря о новой градации накопителей, в WD сравнивают прогресс роста плотности записи с ситуацией в полупроводниковой отрасли. По мере взросления производства магнитных пластин появляется возможность улучшить характеристики поверхности для записи. Пусть не скачкообразно, но клиенты компании получат несколько более ёмкие накопители раньше, чем индустрия перейдёт на качественно новые пластины. Предложение WD, конечно, найдёт своих поклонников. Но только нам кажется, что это лёгкий намёк на замедление в развитии альтернативных методов записи, таких как запись с подогревом или запись по паттернам.
Автор: GreenCo Дата: 12.09.2014 11:37