Новости за день

ITC начала расследование нарушений NVIDIA патентов Samsung
Американская Комиссия по Международной Торговле — U.S. International Trade Commission (USITC) — уведомила компанию NVIDIA о том, что против неё начато расследование в нарушении ряда патентов южнокорейской компании Samsung (по ссылке сканы документов). В случае признания вины NVIDIA определённые продукты компании — графические процессоры, SoC и чипсеты, а также продукция её партнёров — материнские платы, видеокарты и планшеты будут запрещены к продажам на территории США. Если конкретно, то кроме NVIDIA компания Samsung просит Комиссию разобраться с продукцией таких компаний, как Biostar, Elitegroup Computer Systems, EVGA, Fuhu, Jaton, Mad Catz, Ouya, Sparkle Computer, Toradex, Wikipad и Zotac.

Что забавно, юрист компании NVIDIA в корпоративном блоге графического разработчика подал эту информацию как своего рода первую победу над Samsung и даже сопроводил новость недоброй карикатурой над этой компанией. Мол, чуть ли не детишек обокрала на подарки.
Без комментариев
Без комментариев

На деле NVIDIA рискует. Она первой обвинила Samsung и Qualcomm в нарушении ряда своих патентов на графическую архитектуру, но аргументы Samsung могут оказаться куда весомее. Пакет обвинений южнокорейского разработчика выглядит внушительнее и включает ряд патентов на технологии для работы с данными: это работа с буфером, кэширование, другие патенты для организации доступа к памяти и технологии производства. Можно предположить, что NVIDIA понадеялась на прецедент пятилетней давности, когда компания Intel предпочла заключить с ней мировое соглашение и выплатить в качестве отступных за несколько лет порядка миллиарда долларов США. Но компанию Samsung так долго треплет компания Apple, что с ней этот номер NVIDIA может не пройти. Как бы результат не получился обратным от желаемого.
Автор: GreenCo Дата: 24.12.2014 12:37
Sony и Micron показали образец 16-Гбит резистивной памяти RRAM
В феврале этого года на конференции ISSCC 2014 компания Sony рассказала о проекте по выпуску 16-Гбит памяти RRAM (ReRAM, резистивная память или мемристор, как называет её HP). Выпустить образец должна была компания Micron, с которой компания Sony заключила летом 2013 года партнёрский договор, ибо сама не располагает мощностями для производства. Своё обещание Sony выполнила. На прошлой неделе на конференции IEDM 2014 она и Micron продемонстрировали образец памяти RRAM ёмкостью 16 Гбит (2 ГБ). Что важно, расчётные характеристики резистивной памяти оказались в пределах 10-% погрешности. Ниже на слайде вы можете видеть расчётные данные (левая колонка) и данные, полученные путём практических измерений (правая колонка).
Расчётные и реальные характеристики первого в индустрии 16-Гбит чипа RRAM
Расчётные и реальные характеристики первого в индустрии 16-Гбит чипа RRAM

Скорость чтения 16-Гбит 27-нм памяти RRAM достигает 900 МБ/с, а скорость записи — 180 МБ/с. Задержки при обращении в режиме чтения и записи составляют 2,3 мкс и 11,7 мкс. Интерфейс памяти RRAM компании Sony — это DDR RDAM, так что она может быть легко установлена в современные устройства в качестве замены оперативной памяти, но при этом будет энергонезависимой. Кстати, компания Sony вместе с Micron планировала приступить к массовому выпуску памяти RRAM в 2015 году. С учётом превосходных характеристик образца, а главное его ёмкости — целых 2 ГБ, это очень обнадёживает. Памяти типа NAND-флэш давно нужна замена, а хвалёного мемристора как не было, так и нет.
Автор: GreenCo Дата: 24.12.2014 13:02
Micron и A*STAR заключили трёхлетний договор на разработку памяти STT-MRAM
Компания Micron отметилась в ещё одной новости. По сообщению сингапурского агентства A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), между местным отделением DSI (Data Storage Institute) и компанией Micron Technology продлён договор о совместной разработке памяти типа STT-MRAM. Первый договор был подписан осенью 2011 года, и теперь партнёры продлили действие соглашения ещё на три года.

Память STT-MRAM, которая работает на принципе передачи момента спина электрона, считается наиболее перспективной среди магниторезистивной памяти с произвольным доступом. Значительного успеха в разработке STT-MRAM добились компании Toshiba и SK Hynix. Компания Toshiba даже предлагает заменить SRAM в составе кэш-памяти процессоров на блоки STT-MRAM и, в целом, отказаться от любых типов памяти, кроме магниторезистивной, что также приведёт к глубоким изменениям в архитектуре процессоров и платформ.

Возвращаясь к сотрудничеству Micron и A*STAR, отметим, что партнёры пока никак себя не проявили. Если прогресс в разработке есть, то о нём мало кому известно. В то же время компания Micron остаётся заметным производителем другого типа энергонезависимой памяти — памяти с изменением фазового состояния вещества (PCM или PRAM). Правда, ёмкость коммерческих образцов PCM замерла на отметке 128 Мбит, что делает её нишевым продуктом. В любом случае, компания Micron не собирается сидеть на месте, и прогресс может не заставить себя ждать.
Автор: GreenCo Дата: 24.12.2014 13:53