Новости за день

Intel не будет искусственно задерживать выпуск процессоров Skylake
Как показали развивающиеся события, всю тяжесть «детских болезней» нового 14-нм техпроцесса компании Intel приняли на себя процессоры поколения Broadwell. Массовый выпуск решений этого поколения задержался едва ли не на год. Тем самым в производственных планах Intel возникла невольная накладка, поскольку по срокам на очереди скорый выход процессоров поколения Skylake. Не приведёт ли это к задержкам с выпуском очередных новинок? На вопрос о Skylake генеральный директор компании Intel, Брайан Кржанич (Brian Krzanich), ответил однозначно: «Изменений в производственных планах нет, процессоры Skylake выйдут в срок во второй половине 2015 года».

С точки зрения производства для компании нет разницы, какие процессоры выпускать на 14-нм линиях: Broadwell или Skylake. В этом плане она получает возможность относительно гибко менять объёмы выпуска одних или других процессоров. Техпроцесс 14 нм отлажен на Broadwell и накладные расходы на его внедрение распространятся на процессоры Skylake фактически по остаточному принципу. Зато производителям ноутбуков придётся потрудиться, чтобы показать покупателям отличие между двумя платформами разных поколений. Как ни крути, а затраты на разработку решений под Broadwell желательно окупить если не полностью, то хотя бы частично.
Автор: GreenCo Дата: 19.01.2015 00:01
На долю Samsung и GlobalFoundries придётся 70 % заказов на Apple A9
Популярный тайваньский интернет-ресурс DigiTimes со ссылкой на свои источники сообщил, что компаниям Samsung и GlobalFoundries досталось порядка 70 % заказов на производство очередных прикладных процессоров для смартфонов и планшетов компании Apple. Производственные мощности Samsung по выпуску 14-нм решений оцениваются в 30-40 тысяч 300-мм пластин каждый месяц. Возможности GlobalFoundries — это 20-30 тысяч 300-мм пластин. Впрочем, компания GlobalFoundries вряд ли сможет включиться в работу по выпуску 14-нм SoC Apple раньше середины этого года. Она, как получатель технологии 14-нм производства от компании Samsung, по очевидным причинам идёт вторым эшелоном.

Оставшиеся 30 % объёмов производства Apple A9 тоже вполне предсказуемо остаются компании TSMC. К выпуску SoC Apple с использованием 16-нм техпроцесса тайваньский контрактник приступит в июле-сентябре этого года, так что первые «шпионские» фотографии с SoC Apple A9 гарантированно должны подтверждать работу Samsung. Теоретически должна проявиться разница между рабочими характеристиками 14-нм SoC Samsung и 16-нм SoC TSMC, но она может оказаться на уровне погрешности. Тем не менее, мы наверняка увидим попытки сравнить между собой новые устройства Apple в пределах одного поколения.
Автор: GreenCo Дата: 19.01.2015 00:02
Руководство TSMC пояснило ситуацию с новыми техпроцессами
На днях тайваньские источники поведали, что компания TSMC осваивает следующие техпроцессы с существенными трудностями на уровне «критических». На следующий день после этого появились официальные сообщения руководства TSMC о состоянии дел с внедрением 16-нм и даже 10-нм техпроцесса. Как сказано в обращении к акционерам компании, 16-нм техпроцесс начнёт приносить компании прибыль уже в первом квартале этого года. Однако речь не о производстве, а о консультационных и проектных работах. Массовое производство 16-нм FinFET решений компания начнёт в третьем квартале. Это косвенно намекает на возможный перенос сроков производства с июля (как обещалось ранее) на август или даже сентябрь.

Также до конца года компания рассчитывает закончить разработку техпроцесса для выпуска 10-нм полупроводников и даже обещает первые цифровые проекты под эти нормы производства. Опытный выпуск 10-нм решений начнётся ближе к концу 2016 года, а массовое производство — в течение 2017 года. На следующем этапе — в период с 2017 по 2019 год — разработчики TSMC начнут представлять техпроцессы следующих поколений. Что важно, компания TSMC работает также над совершенствованием упаковки кристаллов. По всей видимости, работы ведутся над внедрением сквозных TSVs-соединений (стековая 3D-упаковка кристаллов).

Относительно уже работающего 20-нм техпроцесса у TSMC также обширные планы. В компании уверены, что смогут в 2015 году удержать доход от поступлений за 20-нм заказы на уровне доли в 20 %. Это означает, что освободившиеся от выпуска SoC Apple A8 линии будут отданы другим клиентам компании, в число которых, например, входят компании AMD и NVIDIA (сейчас наблюдается дефицит мощностей, отчего, в частности, могут быть задержки с выпуском 20-нм GPU).

В то же время следует сказать, что аналитики отнеслись к квартальному отчёту TSMC с изрядной долей скепсиса. Выручка компании в течение 2015 года может серьёзно пострадать из-за более зрелого 14-нм техпроцесса Samsung, как и в свете снижения темпов продаж смартфонов и планшетов. Компания TSMC значительную часть денег получает от обслуживания разработчиков SoC, поэтому её это коснётся самым непосредственным образом.
Автор: GreenCo Дата: 19.01.2015 00:03
Закон Мура могут спасти полевые транзисторы с затвором из сегнетоэлектриков
Сайт EE Times рассказал об одном из направлений в развитии полупроводников, которое может продлить действие так называемого закона Мура, что в современной интерпретации оного означает продолжение лавинообразного увеличения числа транзисторов на кристалле. Традиционные техпроцессы с использованием кремния в качестве основного материала для каналов и затворов транзисторов можно уменьшить до технологических норм порядка 3 нм.

Чтобы создать электронный прибор с меньшими нормами производства потребуются другие материалы. Группа International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), разрабатывающая долгосрочные планы развития отрасли, ожидает увидеть в качестве каналов транзисторов германий (Ge) или арсенид галлия (GaAs). Что принципиально важно, эти материалы можно совместить с производством на традиционных кремниевых пластинах. Как вариант для затворов транзисторов с германиевым каналом рассматриваются материалы, имеющие свойства сегнетоэлектриков.
Модель полевого транзистора с затвором из сегнетоэлектрика над каналом из германия
Модель полевого транзистора с затвором из сегнетоэлектрика над каналом из германия

Ключевым свойством сегнетоэлектриков является возможность хранить информацию (заряд) без поддержки питания. Иными словами, затворы транзисторов с переходом из сегнетоэлектриков можно будет использовать как энергонезависимую память, и ожидать от процессоров на таких транзисторах мгновенного включения. Пока работы ведутся в виде изучения компьютерной модели FeFET транзистора (ferroelectric field-effect transistor), и создаются условия для изучения сегнетоэлектрических эффектов материалов в лабораторных условиях. В частности учёные работают с титанатом бария (BaTiO3), определённые рабочие характеристики которого проявляются при нагреве до 120 градусов Цельсия.
Автор: GreenCo Дата: 19.01.2015 00:04