Новости за день

Samsung сообщила о разработке 10-нм техпроцесса с использованием FinFET транзисторов
Конференция International Solid-State Circuits Conference 2015, начавшаяся в понедельник, принесла много информации о разработке очередных техпроцессов для выпуска полупроводников. Компания TSMC, как мы сообщили вчера, твёрдо намерена приступить к массовому выпуску 10-нм FinFET решений в 2017 году. Компания Samsung, как следует из доклада её представителя, также разработала 10-нм техпроцесс с использованием FinFET транзисторов и завершит его введение в строй в конце 2016 или в начале 2017 года.

Также в компании намекнули, что следующий за 10-нм техпроцесс — 7-нм — потребует иного строения транзисторов и, возможно, новых материалов. Пока в компании рассматривают вопрос перехода на так называемые GAA FET транзисторы (gate-all-around FET). В транзисторах GAA FET каналы выполняются в виде круглых нанопроводников, расположенных горизонтально или вертикально. Затвор обтекает такой канал со всех сторон. При этом один транзистор может использовать как два канала, так и четыре. В качестве материала для каналов может быть использован не только кремний, но также арсенид индия и галлия (InGaAs).
Варианты исполнения транзисторов
Варианты исполнения транзисторов

Стоит напомнить, что вертикальная флэш-память Samsung 3D V-NAND, которую компания промышленно выпускает уже более полутора лет, по строению вертикальных каналов содержит массу базовых элементов, свойственных транзисторам GAA FET. Место для хранения заряда (ячейка) и затвор охватывают каналы кольцом. Так что Samsung на практике уже отрабатывает будущие технологии.
Автор: GreenCo Дата: 26.02.2015 08:45
Intel уверена в сохранении технологического превосходства над конкурентами даже в случае 10-нм техпроцесса
Вчера и сегодня представители компаний TSMC и Samsung выразили уверенность в возможности догнать через два года компанию Intel. В 2017 году каждая из этих трёх компаний рассчитывает начать выпуск полупроводников с нормами 10 нм. При этом следует учитывать, что у каждой из компании свои представления о том, какими должны быть базовые размеры транзисторов (высота Fin-затвора и его ширина), а также шаг между ними. Ниже на картинке можно сравнить размеры элементов для актуальных техпроцессов всех трёх компаний.
Сравнение элементов транзисторов в случае четырёх актуальных техпроцессов компаний Intel, Samsung и TSMC
Сравнение элементов транзисторов в случае четырёх актуальных техпроцессов компаний Intel, Samsung и TSMC

Нельзя не заметить, что физический размер элементов в одинаковом поколении в исполнении Intel меньше, чем у компаний Samsung и TSMC. Это позволяет компании утверждать, что она имеет технологическое преимущество на уже освоенном этапе выпуска 14-нм решений и сохранит его на этапе производства 10-нм полупроводников. Пластину с 10-нм кристаллами, напомним, компания показала в сентябре прошлого года.

А вот на этапе выпуска 7-нм решений всё не так однозначно. Для создания 7-нм кристаллов потребуются новые структуры транзисторов и новые материалы. Это могут быть элементы из 3-5 групп таблицы Менделеева и даже углеродные нанотрубки. Также остаётся неясным вопрос использования для выпуска 7-нм решений сканеров EUV-диапазона (13,5 нм). Пока компания утверждает о намерении отказаться от EUV на этапе 7-нм техпроцесса, но как оно будет на самом деле, неизвестно.

Компания TSMC, кстати, сообщает, что смогла однократно опробовать сканеры ASML NXE:3350B, обработав за сутки 1022 пластины с источником излучения 90 Вт. Подчеркнём — однократно. В ходе нескольких суточных запусков скорость обработки составляла 400 пластин в сутки. О непрерывной работе ASML NXE:3350B в течение нескольких дней подряд речь даже не идёт. Так что сырость EUV-оборудования очевидна, и остаётся большая вероятность, что к 2017 году серийных EUV-сканеров с мощными источниками излучения — до 250 Вт — так и не будет, тогда как проектная мощность ASML NXE:3350B достигает 125 Вт.
Автор: GreenCo Дата: 26.02.2015 09:47
Intel вводит номерной класс для процессоров Atom
В 2009 году компания Intel ввела в обиход бренд Core с тремя уровнями градации. Младшие модели получили индекс Core i3, средние — Core i5, старшие — Core i7. Сегодня этот опыт компания переносит на модели процессоров с брендом Atom. Начиная с моделей Atom следующего поколения, в данной категории продуктов появятся модели Atom x3, Atom x5 и Atom x7.
Позиционирование брендов актуальных процессоров компании Intel
Позиционирование брендов актуальных процессоров компании Intel

Как считают в Intel, покупателям станет легче определиться с покупкой планшета или смартфона с нужными характеристиками, опираясь на наличие одной лишь наклейки с определённым брендом. Процессоры Atom x3 предложат хорошие возможности в составе устройства. Модели Atom x5 станут лучшим выбором, а процессоры Atom x7 — наилучшим. Для планшетов наивысшей категории и для трансформируемых ноутбуков будут использоваться процессоры Core M. Позиционирование всего модельного ряда процессоров Intel можно понять из приведённой выше инфографики компании.
Автор: GreenCo Дата: 26.02.2015 11:06
Немного об ожидаемых SoC Intel SoFIA 3G
Через неделю в Барселоне откроет свои двери такое ежегодное мероприятие, как Mobile World Congress. Компания Intel почти с самого начала стала полноправным участником конгресса. Безусловный лидер рынка процессоров для компьютеров собирается стать более чем заметным участником на рынке процессоров для смартфонов и планшетов.

На мероприятии в Барселоне компания Intel планирует показать SoC для устройств младшего уровня с ценой до 130 долларов США. Это высокоинтегрированные однокристальные сборки SoFIA 3G. Сборки SoFIA 3G-R (Rockchip?) и SoFIA LTE выйдут в третьем квартале, и сейчас информации о них практически нет. Все обозначенные выше решения будут выпускаться с использованием 28-нм техпроцесса и, по всей видимости, на заводах компании TSMC. Сборки Broxton для смартфонов средней и высшей ценовой категории компания Intel будет выпускать самостоятельно с использованием 14-нм техпроцесса (платформа Cherry Trail). Последние будут работать как под управлением Windows, так и Android. Сборки SoFIA 3G (и последующие) ориентированы только для работы под управлением Android.

Модели SoFIA 3G будут содержать два ядра (x86) с частотой на уровне 1 ГГц. Ядра будут поддерживать исполнение 64-битных инструкций, но контроллер памяти будет одноканальным (32-битным) с поддержкой LPDDR2-800. Интегрированная графика — Mali-400 MP2 — с поддержкой разрешений 1280 x 720 и 1920 x 1080 пикселей. В состав SoC войдёт модем с поддержкой стандартов EDGE, GPRS, GSM, HSPA+ 21/5.8, DSDS и DvP. Ожидается также возможность работы с основной 13-МП камерой и вспомогательной 5-МП. Заявлено о поддержке GPS, ГЛОНАСС, eMMC 4.41, USB 2.0, Bluetooth 4.0 LE/FM и WiFi 11b/g/n. Всё это добро поместится в корпус со сторонами 10 х 10 мм.

Источник отмечает, что SoFIA 3G будет сосуществовать на рынке в одной ценовой категории с процессорами Atom предыдущего поколения — с моделями Atom Z3735G и Z3735F, но окажется заметно менее производительнее «старичков». Если верить источнику, SoFIA 3G будет в 2,5 раза медленнее Z3735D в однопоточных задачах и в 3 раза медленнее в многопоточных. Производительность по графике новинок также будет в 3 раза ниже, но Intel надеется взять своё компактностью и дешевизной новых решений.
Автор: GreenCo Дата: 26.02.2015 12:32