Новости за день

Микропроцессоры AMD на архитектуре Zen могут быть представлены в октябре 2016 года
И снова китайский сайт BenchLife принёс интересную информацию. На ресурсе размещена выдержка из планов компании AMD, в которой показан график подготовки к выводу на рынок первых микропроцессоров на архитектуре Zen. Ранее считалось, что процессоры «Summit Ridge» на x86-совместимых ядрах Zen дебютируют в 2016 году примерно во втором квартале. Судя по графику, если он верен, по факту процессоры на Zen появятся только ближе к концу следующего года.
График подготовки к коммерческому выпуску процессоров AMD на архитектуре Zen
График подготовки к коммерческому выпуску процессоров AMD на архитектуре Zen

Инженерные образцы процессоров Summit Ridge — ES или engineering samples — компания начнёт поставлять партнёрам в апреле 2016 года. Обычно это уже полностью рабочие экземпляры, хотя тактовые частоты ниже, чем у финальных (коммерческих) версий. Следующая ревизия ядра Summit Ridge или кандидат к производству — PC, production candidate — намечен к поставкам в июле 2016 года. В сентябре компания AMD рассчитывает организовать поставки ревизии ядра, готового к производству — PR, production ready. Наконец, в октябре обещает состояться анонс новых настольных процессоров компании. Если представленный график верен, то это также означает, что сейчас компания завершает разработку процессоров Summit Ridge в виде подготовки цифрового проекта для создания фотомасок.

Из различных утечек на сегодняшний день о процессорах Summit Ridge известно то, что это будут модели с числом ядер до 8 штук. На каждое ядро будет приходиться по 512 КБ кэш-памяти L2 и до 16 МБ разделяемой кэш-памяти L3. Двухканальный контроллер памяти в составе Summit Ridge будет поддерживать память типа DDR4. Встроенный контроллер шины PCI Express 3.0 поддержит связь с видеокартой по 16 линиям и с периферией типа SSD по 4 линиям. Техпроцесс производства ожидается 14-нм FinFET на линиях компании GlobalFoundries. Процессорный разъём — AM4 (на врезке — FM3, но это уже устаревшая информация).
Автор: GreenCo Дата: 15.06.2015 00:01
Возможно, вскоре появится устойчивый спрос на работу с подложками FD-SOI
На днях профильный исследовательский институт CEA-Leti (Гренобль, Франция) в программу Silicon Impulse для поддержки европейских разработчиков добавил возможность разрабатывать и выпускать полупроводники на подложках из полностью обеднённого кремния на изоляторе. Это подложки FD-SOI, которые, в общем-то, выпускаются и используются где-то с 1988 года. Само собой, сегодня речь идёт об использовании подложек FD-SOI применительно к новым техпроцессам.
Слева транзистор на обычной кремниевой пластине, справа — на пластине FD-SOI
Слева транзистор на обычной кремниевой пластине, справа — на пластине FD-SOI

У разработчиков сегодня два варианта для получения решений с наилучшими характеристиками — это либо проектирование решений под 14/16-нм техпроцессы с использованием FinFET транзисторов, либо опора на 28-нм техпроцесс с использованием подложек FD-SOI. Лидеры рынка полупроводникового производства — компании Intel, Samsung и TSMC — дружно бросились осваивать техпроцессы с меньшими нормами производства на обычных пластинах. Причин тут несколько. Подложки FD-SOI выпускаются в сравнительно небольших объёмах. Для разработки чипов применительно к производству на FD-SOI мало библиотек с готовыми блоками. Всё это приводит к тому, что клиентов на FD-SOI нет, а значит, нет стимула внедрять в производство соответствующий техпроцесс.
Преимущества при переходе к 28-нм техпроцессу на подложках FD-SOI
Преимущества при переходе к 28-нм техпроцессу на подложках FD-SOI

Возвращаясь к инициативе CEA-Leti, отметим, в Европе заказы на выпуск чипов на FD-SOI собирается выполнять компания STMicroelectronics. Первую партию пластин планируется запустить в производство в феврале 2016 года. Это, а также ряд других признаков, отмечает автор интернет-ресурс EE Times, может свидетельствовать о переломном моменте в промышленной судьбе производства на пластинах FD-SOI. Выше и ниже даны два слайда компании Samsung, которые показывают преимущество 28-нм техпроцесса на FD-SOI над 28-нм техпроцессом на монолитных пластинах. Компания Samsung, кстати, активно использует пластины FD-SOI для выпуска 28-нм ЦАП.
Преимущества при переходе к 28-нм техпроцессу на обычных подложках
Преимущества при переходе к 28-нм техпроцессу на обычных подложках

Наибольший интерес к переходу на 28-нм техпроцесс с использованием подложек FD-SOI проявляют китайцы. В частности, зафиксированы визиты высокопоставленных китайских руководителей предприятий и фондов в Гренобль для контакта с CEA-Leti. На местах ведутся дискуссии и готовятся проекты. Возможно, Китай таким образом пытается обойти эмбарго на поставки 16/14-нм техпроцессов в страну, не сильно теряя в характеристиках решений. Кстати, говорят, что исполнительный директор компании GlobalFoundries так прямо и спросил на заседании руководства: «Где, собственно, клиенты на FD-SOI? Работать!». Компания GlobalFoundries осенью получит в свои руки заводы компании IBM, а последняя могла и умела работать с такими подложками.
Автор: GreenCo Дата: 15.06.2015 00:02
NVIDIA получила патент на шлем виртуальной реальности с возможностью 3D-съёмки
Шумиха вокруг шлема виртуальной реальности компании Oculus VR породила волну интереса к данной теме. Иные последователи успели выпустить собственные версии шлемов или очков даже раньше компании Oculus VR, чей шлем выйдет только через семь-восемь месяцев. А другие пока только патентуют свои разработки, которые должны в чём-то превзойти возможности «оригинала». Так, на прошлой неделе стало известно о заявке на патент компании NVIDIA, в которой представлено описание устройства HMII (Head-Mounted Integrated Interface) с шестью встроенными камерами.
Иллюстрация из патента NVIDIA на шлем виртуальной реальности
Иллюстрация из патента NVIDIA на шлем виртуальной реальности

Шлем компании NVIDIA, который может опираться на «самую производительную в настоящий момент» 20-нм SoC Tegra X1 с восемью 64-разрядными ядрами ARM и с графикой поколения Maxwell с 256 потоковыми процессорами, несёт две фронтальные камеры — по одной возле каждого окуляра, две боковые камеры с каждой стороны устройства на торцах и две камеры, направленные вниз. Фронтальные и боковые камеры призваны вести 3D-съёмку и, в идеале, помогать в оцифровке окружающего ландшафта. В задачу камер, направленных вниз, вменяется распознавание жестов пользователя с достаточно высокой точностью, вплоть до распознавания незначительных движений пальцами.

Отметим, от патента до готового изделия путь настолько неблизкий, что не каждый патент может похвастаться наличием коммерческой версии устройства. Так и с этим шлемом NVIDIA. Выпустить может и не выпустит, но нервы конкурентам рассчитывает потрепать.
Автор: GreenCo Дата: 15.06.2015 00:03