Новости за день

Дебютировало шестое поколение процессоров Intel Core: встречаем Core i7-6700K и i5-6600K
Вчера на специальном мероприятии в Германии компания Intel представила две первые модели шестого поколения процессоров Intel Core — это процессоры Core i7-6700K и i5-6600K с разблокированным множителем. Для полного раскрытия разгонного потенциала новинок, включая разгон графического ядра и изменения частот шины и напряжения питания, компания рекомендует использовать платы на новом наборе логики Intel Z170.
Новая и оригинальная упаковка для коробочных версий процессоров Intel
Новая и оригинальная упаковка для коробочных версий процессоров Intel

Процессоры Core i7-6700K и i5-6600K включают по четыре ядра, только в первом случае заявлена поддержка технологии Hyper-Threading (до 8 вычислительных потоков), а во втором её нет. Оптовая стоимость модели Core i7-6700K составляет 350 долларов США, модели i5-6600K — 243 доллара. Модель с меньшей стоимостью имеет также сниженные рабочие частоты (3,5/3,9 ГГц против 4/4,2 ГГц у флагмана) и меньший объём кэш-памяти (6 МБ против 8 МБ у Core i7-6700K).
Диаграмма платформы Intel Skylake-K
Диаграмма платформы Intel Skylake-K

Оба процессора поддерживают два канала DDR4-2133 и DDR3L-1600 с возможностью подключения двух модулей DIMM в каждом канале (для разгона может быть задействован профиль Intel Extreme Memory Profile в SPD модулей). В то же время отметим, что в материнских платах соседство слотов под память DDR4-2133 и DDR3L-1600 может быть редкостью. Встроенный в процессоры контроллер PCI Express 3.0 поддерживает 16 линий и может быть сконфигурирован для работы в режимах 1x16, 2x8 или 1x8 и 2x4. Встроенное видеоядро Intel HD Graphics 530 обещает поддержку API Microsoft DirectX 12 и дисплеи разрешением Ultra HD 4K. Частота Intel HD Graphics 530 лежит в диапазоне 350-1200 МГц. Значение потребления равно 91 Вт — это новый уровень в классификации процессоров Intel.
Автор: GreenCo Дата: 06.08.2015 11:26
Toshiba представила стек из 16 кристаллов NAND-флэш с TSVs-соединениями
Сквозные соединения типа TSVs появились не сегодня, хотя именно сегодня многослойная флэш-память с использованием сквозных каналов металлизации начинает набирать обороты. Задолго до этого сквозные вертикальные каналы металлизации были известны как тип соединения «манхаттан». С помощью вертикальных каналов металлизации производители микросхем собирали в стек несколько кристаллов и значительно экономили на общей площади решения, поскольку иначе все соединения между вертикально расположенными кристаллами необходимо было выполнять с помощью тончайших проводков. Также вертикальные соединения заметно снижали токовую нагрузку на цепи — экономили на потреблении.
Строение 16-кристальных флэш-микросхем Toshiba с использованием TSVs-соединений
Строение 16-кристальных флэш-микросхем Toshiba с использованием TSVs-соединений

Компания Toshiba вспомнила о подобной компоновке микросхем и сообщила о подготовке к производству 8- и 16-кристальных сборок, этажи которых соединяются исключительно за счёт вертикальных TSVs-соединений. В первом случае на выходе получается 128-ГБ корпус, во втором —256-ГБ. Нетрудно подсчитать, что каждый отдельный кристалл (этаж) имеет ёмкость 128-Гбит. Эти микросхемы компания Toshiba поддерживает интерфейсом Toggle DDR со скоростью обмена свыше 1 Гбит/с. Демонстрация разработки запланирована на 11 августа на конференции Flash Memory Summit 2015. О начале массового производства и о доступности образцов не сообщается.
Автор: GreenCo Дата: 06.08.2015 14:03