Новости за день

Согласно сообщению тайваньских источников, компания TSMC придерживается заявленного графика начала производства 16-нм FinFET полупроводников. В то же время есть неприятная для компании информация о возможном замедлении развёртывания новейшего производства.

Если верить слухам, компания Apple запросила поставщиков 16/14-нм SoC Apple A9 — компании TSMC и Samsung — снизить стоимость продукции. Компания Samsung якобы согласилась на это и, к тому же, едва ли не бесплатно занимается также упаковкой и тестированием процессоров A9. Компания TSMC не готова снизить цены и поэтому ожидает снижения объёмов заказов Apple.

В августе это может привести к тому, что вместо запланированного объёма производства 30 тыс. 300-мм пластин с 16-нм чипами тайваньская компания выпустит менее 20 тыс. подложек. В итоге это обещает замедлить темпы перевода производства на 16-нм техпроцесс. Другие клиенты компании TSMC своими скромными заказами не могут восполнить недостающие объёмы.

На мероприятии Flash Memory Summit 2015, которое вчера открыло свои двери, представители компании HGST (подразделение компании Western Digital) зачитали и зачитают ещё ряд докладов. Наиболее интересный с нашей точки зрения доклад будет завтра, в котором HGST уделит внимание накопителям на энергонезависимой памяти с изменением фазового состояния вещества (Phase Change Memory, PCM). До сих пор память PCM, запись в ячейку которой опирается на переход вещества из аморфного состояния в кристаллическое и обратно, в SSD-накопителях фактически не использовалась. Современные технологии не позволяли выпускать достаточно ёмкие PCM-микросхемы, что ограничивало использование данного типа памяти. Возможно, компания HGST нас чем-то удивит.

Доклад первого дня был посвящён рекомендациям перехода на новые интерфейсы энергонезависимой памяти. По мнению разработчиков — компаний HGST и Mellanox — серверную память DRAM-типа необходимо заменять энергонезависимой памятью типа PCM. На операциях по регенерации данных в ОЗУ сегодня расходуется 20-30 % от потребляемой серверами электроэнергии. Замена памяти типа DRAM на PCM позволит избежать подобных «потерь». При этом выбор памяти типа PCM неслучаен. Скорость работы PCM приближается к скорости работы DRAM. Это важный момент для архитектуры «вычислений в памяти». Партнёры продемонстрировали на стенде работу с PCM-подсистемой на уровне 3 млн. IOPS. Задержки при произвольном доступе при этом для чтения 512-байтных блоков были менее 2 мкс, а пропускная способность с использованием доступа по интерфейсу InfiniBand превысила 3,5 ГБ/с для двух 1-КБ блоков.

Обратим внимание на используемый интерфейс. Кроме InfiniBand можно также использовать Ethernet. Попросту говоря, блоки памяти выносятся в отдельные модули с доступом по RDMA (Remote Direct Memory Access). Это позволит перевести на новую архитектуру все действующие серверные платформы даже без вмешательства в BIOS.

Вчера компания Samsung сообщила о начале массового производства третьего поколения памяти 3D V-NAND. На замену 32-слойным 128-Гбит MLC и TLC микросхемам идут 256-битные 48-слойные микросхемы типа TLC (запись трёх бит в каждую ячейку). Очевидно, это должно означать дальнейшее снижение себестоимости хранения данных на твёрдотельной памяти. Но пока до этого далеко, хотя компания Samsung расширяет спектр моделей SSD на памяти 3D V-NAND, и объявила сегодня о подготовке трёх новых серий твёрдотельных накопителей на базе многослойной флэш-памяти.

О цене вопроса мы поговорим в следующей заметке, а пока представим вашему вниманию серию PCIe-накопителей PM1725, серию 2,5-дюймовых SSD PM1633 и серию 2,5-дюймовых и M.2 SSD PM953. Все серии соответствуют спецификациям NVM Express, что подчёркивает серверную сущность новинок. В то же время в серии PM953 будут накопители для массовых производительных настольных систем и ноутбуков.

В серии PM1725 будут модели ёмкостью 3,2-ТБ и 6,4-ТБ. Устоявшаяся скорость чтения решений достигает 5,5 ГБ/с, а устоявшаяся скорость записи — 1,8 ГБ/с. Значение IOPS в режимах чтения случайных блоков составляет один миллион (!) операций в секунду. При записи IOPS составляет 120000 операций в секунду. В течение 5 лет гарантийного срока модели PM1725 можно переписывать пять раз в сутки. Серия PM1633 в 2,5-дюймовом формфакторе вооружена интерфейсом SAS 12 Гбит/с. Модельный ряд: 480 ГБ, 960 ГБ, 1,92 ТБ и 3,84 ТБ. Представлена также модель PM1633а ёмкостью 16 ТБ. Устоявшиеся скорости чтения моделей PM1633 равны 1,1 ГБ/с, а скорости записи — 1 ГБ/с. Значение IOPS при чтении случайных блоков равно 160000 операций, а при записи — до 18000.

Серия PM953 в 2,5-дюймовом формфакторе содержит модели ёмкостью 480 ГБ, 960 ГБ и 1,92 ТБ. Модели в формфакторе M.2 не имеют самой старшей версии. О скоростных характеристиках моделей серии PM953 не сообщается.