Новости за день

TSMC по плану начала массовое производство 16-нм решений
Согласно сообщению тайваньских источников, компания TSMC придерживается заявленного графика начала производства 16-нм FinFET полупроводников. В то же время есть неприятная для компании информация о возможном замедлении развёртывания новейшего производства.

Если верить слухам, компания Apple запросила поставщиков 16/14-нм SoC Apple A9 — компании TSMC и Samsung — снизить стоимость продукции. Компания Samsung якобы согласилась на это и, к тому же, едва ли не бесплатно занимается также упаковкой и тестированием процессоров A9. Компания TSMC не готова снизить цены и поэтому ожидает снижения объёмов заказов Apple.

В августе это может привести к тому, что вместо запланированного объёма производства 30 тыс. 300-мм пластин с 16-нм чипами тайваньская компания выпустит менее 20 тыс. подложек. В итоге это обещает замедлить темпы перевода производства на 16-нм техпроцесс. Другие клиенты компании TSMC своими скромными заказами не могут восполнить недостающие объёмы.
Автор: GreenCo Дата: 12.08.2015 10:16
HGST и Mellanox предлагают вместо DRAM использовать PCM
На мероприятии Flash Memory Summit 2015, которое вчера открыло свои двери, представители компании HGST (подразделение компании Western Digital) зачитали и зачитают ещё ряд докладов. Наиболее интересный с нашей точки зрения доклад будет завтра, в котором HGST уделит внимание накопителям на энергонезависимой памяти с изменением фазового состояния вещества (Phase Change Memory, PCM). До сих пор память PCM, запись в ячейку которой опирается на переход вещества из аморфного состояния в кристаллическое и обратно, в SSD-накопителях фактически не использовалась. Современные технологии не позволяли выпускать достаточно ёмкие PCM-микросхемы, что ограничивало использование данного типа памяти. Возможно, компания HGST нас чем-то удивит.

Доклад первого дня был посвящён рекомендациям перехода на новые интерфейсы энергонезависимой памяти. По мнению разработчиков — компаний HGST и Mellanox — серверную память DRAM-типа необходимо заменять энергонезависимой памятью типа PCM. На операциях по регенерации данных в ОЗУ сегодня расходуется 20-30 % от потребляемой серверами электроэнергии. Замена памяти типа DRAM на PCM позволит избежать подобных «потерь». При этом выбор памяти типа PCM неслучаен. Скорость работы PCM приближается к скорости работы DRAM. Это важный момент для архитектуры «вычислений в памяти». Партнёры продемонстрировали на стенде работу с PCM-подсистемой на уровне 3 млн. IOPS. Задержки при произвольном доступе при этом для чтения 512-байтных блоков были менее 2 мкс, а пропускная способность с использованием доступа по интерфейсу InfiniBand превысила 3,5 ГБ/с для двух 1-КБ блоков.

Обратим внимание на используемый интерфейс. Кроме InfiniBand можно также использовать Ethernet. Попросту говоря, блоки памяти выносятся в отдельные модули с доступом по RDMA (Remote Direct Memory Access). Это позволит перевести на новую архитектуру все действующие серверные платформы даже без вмешательства в BIOS.
Автор: GreenCo Дата: 12.08.2015 12:05
На основе памяти 3D V-NAND компания Samsung подготовила три новые серии SSD
Вчера компания Samsung сообщила о начале массового производства третьего поколения памяти 3D V-NAND. На замену 32-слойным 128-Гбит MLC и TLC микросхемам идут 256-битные 48-слойные микросхемы типа TLC (запись трёх бит в каждую ячейку). Очевидно, это должно означать дальнейшее снижение себестоимости хранения данных на твёрдотельной памяти. Но пока до этого далеко, хотя компания Samsung расширяет спектр моделей SSD на памяти 3D V-NAND, и объявила сегодня о подготовке трёх новых серий твёрдотельных накопителей на базе многослойной флэш-памяти.

О цене вопроса мы поговорим в следующей заметке, а пока представим вашему вниманию серию PCIe-накопителей PM1725, серию 2,5-дюймовых SSD PM1633 и серию 2,5-дюймовых и M.2 SSD PM953. Все серии соответствуют спецификациям NVM Express, что подчёркивает серверную сущность новинок. В то же время в серии PM953 будут накопители для массовых производительных настольных систем и ноутбуков.
SSD накопители Samsung серий PM1725 (ниже на фото) и PM1633 (выше)
SSD накопители Samsung серий PM1725 (ниже на фото) и PM1633 (выше)

В серии PM1725 будут модели ёмкостью 3,2-ТБ и 6,4-ТБ. Устоявшаяся скорость чтения решений достигает 5,5 ГБ/с, а устоявшаяся скорость записи — 1,8 ГБ/с. Значение IOPS в режимах чтения случайных блоков составляет один миллион (!) операций в секунду. При записи IOPS составляет 120000 операций в секунду. В течение 5 лет гарантийного срока модели PM1725 можно переписывать пять раз в сутки. Серия PM1633 в 2,5-дюймовом формфакторе вооружена интерфейсом SAS 12 Гбит/с. Модельный ряд: 480 ГБ, 960 ГБ, 1,92 ТБ и 3,84 ТБ. Представлена также модель PM1633а ёмкостью 16 ТБ. Устоявшиеся скорости чтения моделей PM1633 равны 1,1 ГБ/с, а скорости записи — 1 ГБ/с. Значение IOPS при чтении случайных блоков равно 160000 операций, а при записи — до 18000.

Серия PM953 в 2,5-дюймовом формфакторе содержит модели ёмкостью 480 ГБ, 960 ГБ и 1,92 ТБ. Модели в формфакторе M.2 не имеют самой старшей версии. О скоростных характеристиках моделей серии PM953 не сообщается.
Автор: GreenCo Дата: 12.08.2015 13:14