Новости за день

Слияние компаний NXP и Freescale привело к появлению нового крупного игрока на рынке RF-комплектующих
Сделка по слиянию компаний NXP и Freescale привела к одному интересному результату. Для получения от регулирующих органов (скорее всего — китайских) разрешения на слияние, компания NXP должна была продать подразделение по выпуску радиочастотных силовых элементов и модулей. Совместными усилиями NXP и Freescale контролировали свыше 60 % рынка усилителей мощности для базовых станций сотовой связи и вещания. Поэтому ещё в мае текущего года компания NXP за 1,8 млрд. долларов США продала соответствующее подразделение китайской финансовой группе из Пекина — Jianguang Asset Management Ltd. Вскоре после этого подразделение стало независимой компанией Ampleon со штаб-квартирой в Нидерландах (в г. Неймеген).

Отделение Ampleon от материнской компании NXP не привело к сокращению персонала или производственных мощностей. Тем самым компания Ampleon стала вторым по величине в мире после NXP поставщиком радиочастотных силовых компонентов (NXP приютила RF-подразделение Freescale). В дальнейшем Ampleon под чутким наблюдением китайцев намерена развиваться в новом направлении. На повестке дня, как считают специалисты и аналитики, печи на RF-излучении, RF-системы зажигания, RF-обогревательные приборы, плазменные RF-лампы освещения и многое другое. Ниже на графике вы можете видеть прогноз развития новых направлений вплоть до 2020 года, и он впечатляет широтой перспектив.
Прогноз развития рынка RF-компонентов с учётом новых направлений
Прогноз развития рынка RF-компонентов с учётом новых направлений

В компании Ampleon под эгидой образованного ею альянса RF Energy Alliance уже работают над спецификациями для RF-печей. Считается, что такие печи смогут точнее дозировать как энергию для разогрева, так и создавать строго локализованные участки разогрева. Готовка обещает стать проще, экономичнее и без лишнего повреждения продуктов. Ожидаются подобные печи в период с 2016 по 2017 год. Кроме этого компания обещает ещё много интересного с использованием мощных RF-транзисторов.
Автор: GreenCo Дата: 14.12.2015 00:01
AMD может на год раньше Intel представить системную логику с поддержкой USB 3.1
В конце недели мы сообщили, что тайваньские источники уверены в работе местной компании ASMedia над логикой для процессоров с архитектурой AMD Zen. В оригинальном сообщении также была информация, которую мы решили вынести в отдельную новость. Авторы популярного тайваньского интернет-ресурса DigiTimes сообщили, что первый чипсет компании Intel с интегрированным контроллером USB 3.1 выйдет только для платформы Cannon Lake (10-нм процессоры Intel). Произойдёт это событие во второй половине 2017 года. Получается, что компания AMD в кои веки почти на год обгонит Intel. Ведь нативная поддержка USB 3.1 со всеми возможностями этого стандарта обещает появиться вместе с платформой AMD Zen в четвёртом квартале 2016 года.
Автор: GreenCo Дата: 14.12.2015 00:02
Разработана архитектура ячейки SRAM на одном транзисторе
В настоящий момент одна ячейка памяти типа SRAM обычно состоит из 6 транзисторов (используются также модификации с ячейкой от 4 до 8 транзисторов). Это необходимо для того, чтобы сохранить производительность и избежать потери данных от помех или от внешнего воздействия (свет, тепло, радиация и так далее). Подобное строение памяти неизбежно ведёт к пожиранию массивом SRAM и так дефицитного места на кристалле процессора. Как вариант предложена однотранзисторная псевдо-SRAM на основе логики работы и строения ячейки DRAM. Подобную конструкцию, если мы не ошибаемся, использует компания Apple в процессорах Ax. Но это всё не то. «Чистая» однотранзисторная SRAM была невозможна. Была...
Архитектура транзистора Zeno Semiconductor для 1T-ячейки SRAM
Архитектура транзистора Zeno Semiconductor для 1T-ячейки SRAM

На прошлой неделе на конференции International Electron Devices Meeting 2015 молодая компания Zeno Semiconductor представила биполярный NMOS транзистор, который при ближайшем рассмотрении оказался составлен из структур двух транзисторов с открытой базой. Получился этакий виртуальный транзистор с возможностью работать подобно двухтранзисторной ячейке SRAM. Разработчик предлагает создавать из подобных транзисторов энергоэффективные однотранзисторные ячейки SRAM и производительные двухтранзисторные. В обоих случаях площадь ячейки SRAM Zeno окажется в разы меньше площади классической 6T-SRAM. Это экономия места и энергопотребления, включая выигрыш на снижении утечек.
Характеристики 1T и 2T ячеек SRAM на транзисторе Zeno
Характеристики 1T и 2T ячеек SRAM на транзисторе Zeno

Сообщается, что площадь ячейки SRAM Zeno в 28-нм техпроцессе равна 0,025 кв. мкм. Типичная 6T-SRAM в данном техпроцессе занимает 0,127 кв. мкм. Интересно отметить, что новая ячейка даже меньше 10-нм FinFET SRAM Samsung с площадью 0,040 кв. мкм. Также разработчики сообщают, что надёжность инновационной однотранзисторной ячейки окажется не хуже показателя SEU (Single Event Upsets) для 6T-SRAM. Точных измерений пока нет, но на это намекает резкое снижение площади ячейки, а значит, относительное воздействие паразитных факторов в целом будет ослаблено. Добавим, компания Zeno обещает лицензировать разработку по «разумной» цене. Ждём последователей.
Автор: GreenCo Дата: 14.12.2015 00:03