Новости за день

Samsung начнёт массовый выпуск 18-нм DRAM во втором квартале 2016 года
В марте 2014 года компания Samsung стала первой, кто приступил к массовому выпуску компьютерной DRAM-памяти с нормами класса 20 нм. Для достижения этого результата потребовалось преодолеть ряд технологических проблем. В частности, для каждого критически важного слоя потребовалось перейти на два фотошаблона, что увеличило число циклов, необходимых для полной обработки каждой пластины. Но оно того стоило. Снижение масштаба техпроцесса вновь увеличило число кристаллов на пластине на величину порядка 30 %. Новый рубеж будет взят во втором квартале 2016 года. По данным южно-корейского издания Digital Times, DRAM с нормами 18 нм компания Samsung начнёт выпускать во втором квартале 2016 года.

Следующими модификациями техпроцесса Samsung класса 10 нм станут техпроцессы 15 нм (1y) и 10 нм (1z). Они будут постепенно введены в строй в период с 2016 по 2020 годы. Достоверной информации о конкурентах пока нет. По данным DRAMeXchange, компания SK Hynix в конце 2016 года приступит только к опытному выпуску 18-нм микросхем DRAM-памяти.
Автор: GreenCo Дата: 23.12.2015 12:45