Новости за день

О компоновке модели SSD Seagate объёмом 60 ТБ
На прошлой неделе прошло такое ежегодное мероприятие, как Flash Memory Summit. Среди экспонатов особенно выделялся прототип твёрдотельного накопителя компании Seagate ёмкостью 60 ТБ в 3,5-дюймовом формфакторе. В продажу такие накопители должны поступить в 2017 году. Целевое назначение — хранение холодных и горячих данных в составе серверов. Интерфейс соответствует — 2-канальный SAS 12 Гбит/с. Наши японские коллеги раздобыли информацию о конструкции накопителя столь рекордной ёмкости.

Накопитель состоит из трёх печатных плат с двухсторонним монтажом. На каждой стороне платы кроме одной, на которой расположен контролер LSI/Seagate TT50761 и коммутаторы, располагается по 16 «микросхем» 3D NAND компании Micron. Слово «микросхем» взято в кавычки. Каждый чип памяти — это условно механическая сборка (упаковка) из 16 кристаллов 32-слойной TLC 3D NAND 384 Гбит. Иначе говоря, обращение к стеку из 16 кристаллов в одной упаковке происходит как к 16 отдельным чипам, а не как к стеку с общим контролером. Это упрощает производство сверхплотных микросхем и экономит пространство внутри накопителя. Модель ёмкостью 60 ТБ состоит из 80 корпусов флэш-памяти, хотя они фактически представляют собой 1280 микросхем 3D NAND TLC. Тем самым открывается путь к созданию 20-30 ТБ SSD в формфакторе 2,5 дюйма, для чего понадобится около 30 16-кристальных корпусов.

Для повышения надёжности микросхемы соединены с использованием RAID-подобной технологии RAISE. Без потери данных допускается одновременный отказ 20 локальных участков флэш-памяти. Информация полностью восстанавливается. Добавим, устоявшаяся скорость чтения достигает 1,5 ГБ/с, а устоявшаяся скорость записи — 1 ГБ/с. В сочетании с огромной ёмкостью — это впечатляет.
Автор: GreenCo Дата: 16.08.2016 08:27
Western Digital разрабатывает накопитель на памяти ReRAM
Как известно, компания Western Digital поглотила компанию SanDisk. Вместе с ней она получила доступ к производству флэш-памяти NAND-типа и к перспективным разработкам в этой сфере. Одна из них — это резистивная память с произвольной выборкой или ReRAM (RRAM). Память ReRAM относят к новому классу памяти SCM (storage class memory). Это одновременно и оперативная память и память для долговременного хранения данных. К памяти SCM относится также память 3D XPoint компаний Intel и Micron, а также память типа MRAM (магниторезистивная). Такая память по скорости работы снизу приближается к памяти DRAM, но несколько дешевле её и при этом энергонезависимая.

Компания SanDisk последние годы разрабатывала память ReRAM совместно с компанией Toshiba, что неудивительно, поскольку обе они владели одним и тем же производством флэш-памяти в Японии. В октябре прошлого года компания SanDisk заключила договор на разработку ReRAM совместно с компанией HP. Последняя называет память ReRAM словом «мемристор» и тоже имеет внушительный пакет разработок по этому направлению. Впрочем, выпускать ReRAM всё равно будет компания Toshiba на заводе Fab 2 в Йоккаити. Теперь уже совместно с компанией Western Digital.

Как признались в компании Western Digital, разработки накопителей с использованием памяти ReRAM уже ведутся и в обозримом будущем они появятся на рынке. С учётом прежних планов компании Toshiba — это произойдёт в районе 2020 года. Память ReRAM будет дороже памяти 3D NAND равной ёмкости (в терминах Toshiba — BiCS), но дешевле производства DRAM равного объёма.
Автор: GreenCo Дата: 16.08.2016 11:03