Новости за день

Новый процессорный разъём Intel LGA 3647 на видео и в картинках
Новое поколение процессоров Intel Xeon Phi — 14-нм Knight Landing — получило возможность установки в процессорный разъём на материнской плате. Для решения с 70-ю ядрами компания разработала процессорный разъём LGA 3647. Как оказалось, разъём LGA 3647 станет стандартным разъёмом для будущих обычных серверных процессоров линейки Xeon и, что интересно, будет штатным разъёмом для настольных процессоров максимальной производительности. Сегодня это процессоры с литерой «E» с разъёмом LGA 2011-3. Разъём LGA 2011 во всех его версиях покинет рынок серверов и мощных настольных систем.

Увидеть новый процессорный разъём Intel LGA 3647 в картинках и на видео позволил сайт ServeTheHome. В сравнении с актуальными моделями процессоров Intel (Intel Xeon E5 на ядрах Broadwell EP и Xeon D на ядрах Broadwell DE) новый разъём впечатляет своими размерами. На его площади могут одновременно поместиться четыре процессора Xeon D в BGA-упаковке.
Процессор Intel Xeon D на фоне разъёма LGA 3647
Процессор Intel Xeon D на фоне разъёма LGA 3647

На снимке мы видим материнскую плату Supermicro 2U4N. На ней процессорный разъём соседствует с шестью слотами DRAM. Разъём LGA 3647 позволит организовать процессорам шестиканальный доступ к оперативной памяти.
Процессор Intel Xeon Phi в разъёме LGA 3647
Процессор Intel Xeon Phi в разъёме LGA 3647

Можно отметить, что новый процессорный разъём лишён механических защёлок. Крепление процессора с радиатором на плату осуществляется с помощью четырёх винтов. Авторы заметки поясняют, что с материнской платой идёт подробная инструкция по сборке и установке процессора в разъём. Кстати, с таким большим процессорным разъёмом материнских плат формфактора MiniITX можно не ждать, а ведь для разъёма LGA 2011 выпускались интересные компактные решения.
Автор: GreenCo Дата: 06.10.2016 11:49
Samsung ускоряет ввод в строй «суперфабрики» для выпуска 3D NAND
В мае прошлого года компания Samsung заложила первый камень в фундамент нового и самого большого в мире завода по выпуску полупроводников — фабрики Line 18 в городе Пхёнтхэк (Pyeongtaek). Предприятие стоимостью под $14 млрд будет иметь 2,89 млн квадратных метров полов рабочих цехов. Проектная мощность завода — это 200 тыс. 300-мм пластин в месяц. Завод будет вводиться в строй поэтапно четырьмя фазами. Первая очередь линий должна была заработать в марте-апреле 2017 года с началом выхода первой продукции квартал спустя. Предприятие Line 18, напомним, предназначено для выпуска флэш-памяти 3D NAND.
Завод Samsung Line 18 в городе Пхёнтхэк (Южная Корея, проект)
Завод Samsung Line 18 в городе Пхёнтхэк (Южная Корея, проект)

Как сообщили на днях южнокорейские источники, первая очередь линий на Line 18 начнёт работу на один квартал раньше запланированного — уже в декабре этого года. Первой продукцией предприятия станет 64-слойная память 3D NAND. В готовом для установки в устройства виде он появится примерно в марте следующего года. Добавим, коммерческий выпуск 64-слойной 3D NAND компания Samsung начнёт в конце текущего года на другом своём предприятии — на заводе вблизи города Хвасонг (Hwaseong). Это будет уже четвёртое поколение многослойной памяти Samsung. Три предыдущих поколения использовали 32-слойную структуру.

Увеличение объёмов производства многослойной памяти обещает приблизить то время, когда разница в цене между SSD и HDD сотрётся настолько, что покупка жёсткого диска станет неинтересным занятием. Например, к 2020 году, по прогнозам компании Samsung, исчезнет разница в цене между 512-ГБ SSD и 1-ТБ HDD. В целом разрыв в ценах между SSD и HDD одинаковой ёмкости будет только сокращаться. И чем больше памяти 3D NAND будет выпускаться, тем скорее это произойдёт.
Автор: GreenCo Дата: 06.10.2016 13:00