Новости за день

В феврале 2017 года Toshiba начнёт строить новый завод по выпуску 3D NAND
В марте совет директоров компании Toshiba определил приблизительную смету на строительство очередного завода по выпуску многослойной памяти 3D NAND (в терминологии Toshiba — BiCS Flash). В течение трёх лет на эти цели планируется потратить около $3,2 млрд. Вчера совет директоров компании определился со сроками строительства первой очереди цехов и линий. Официальным пресс-релизом компания сообщила, что строительство нового завода начнётся в феврале 2017 года с вводом первых производственных линий в эксплуатацию летом 2018 года.

В данный момент компания не имеет чётких планов по объёмам производства первой и второй очереди линий. Объёмы производства и задействованный техпроцесс будут определены позднее в соответствии с актуальной рыночной потребностью в памяти NAND-флэш. Также в компании рассчитывают, что компания Western Digital как наследник активов давнего партнёра Toshiba — компании SanDisk — примет посильное участие в финансировании нового проекта. Пока Western Digital никак не прокомментировала данное предложение.

Кроме новых цехов в Йоккаити, где расположено главное производство Toshiba по выпуску 3D NAND (завод Fab 2), рядом с новым предприятием будет построен современный центр по исследованиям и разработкам, что создаст смычку между наукой и производством по отдельно взятой теме. От чего, надо понимать, выиграют все участники процесса. Также в компании сообщают, что для повышения производительности управлять производством на новом заводе будет искусственный интеллект. Помимо прочего завод получит энергоэффективное производственное оборудование, LED-освещение зданий и сейсмоустойчивую конструкцию строений.
Автор: GreenCo Дата: 09.11.2016 13:01
В ноябре компания SK Hynix приступит к массовому выпуску 48-слойной 3D NAND
По данным интернет-ресурса The Korea Economic Daily, до конца ноября компания SK Hynix приступит к выпуску 48-слойной памяти 3D NAND. В течение декабря ежемесячные объёмы производства могут достичь 20-30 000 пластин диаметром 300 мм. Сообщается, что к настоящему дню SK Hynix ежемесячно выпускает только 10 000 пластин с 36-слойными микросхемами 3D NAND. Очевидно, что такие объёмы нельзя назвать внушительными, тогда как компания Samsung уже не первый год каждый месяц выпускает на порядок больше пластин с памятью 3D NAND (от 40 000 до 100 000).

Согласно ранним планам SK Hynix, 36-слойная память 3D NAND выпускается ёмкостью 128 Гбит на кристалл и MLC-ячейкой (кристаллы могут упаковываться в стек, что позволяет доводить ёмкость отдельных микросхем до 256 ГБ). Микросхемы SK Hynix 3D NAND с 48 слоями будут выпускаться в виде кристаллов ёмкостью 256 Гбит с ячейкой TLC. Следующим этапом, как уверяют в компании, станет разработка и внедрение в производство 72-слойных микросхем 3D NAND. Эти планы должны быть реализованы в течение второй половины следующего года.
Автор: GreenCo Дата: 09.11.2016 14:00