Новости за день

Карты SD для запуска приложений получат отличительную метку
Рядовой покупатель редко задумывается о выборе какой-то особенной карточки памяти для установки в смартфон или планшет. Главное, чтобы ёмкость была больше. Тем не менее, для данного класса техники по мере развития устройств и программ скорость работы карты памяти с приложениями становится важным параметром для комфортной работы. Длительная загрузка и медленное исполнение кода вызывают раздражение. Уменьшить этот раздражитель может помочь простая метка на карточках памяти, информирующая покупателя о назначении карты для запуска на ней приложений.

Отраслевая организация SD Association в обновлённых спецификациях SD Specification 5.1 ввела новую метку Application Performance Class. Карты памяти c меткой A1 появятся на рынке несколько месяцев спустя. Наличие метки A1 на карточке будет означать, что скорость произвольного доступа к данным на карте в режиме чтения будет не менее 1500 IOPS, а скорость записи произвольных блоков не опустится ниже 500 IOPS. При этом устоявшаяся скорость передачи данных с карты не должна быть ниже 10 МБ/с. В дальнейшем будут определены другие классы скорости для запуска приложений и, безусловно, никто не запрещает использовать карты памяти с метками для запуска приложений для записи файлов, фото и видео.
Автор: GreenCo Дата: 29.11.2016 12:30
TSMC планирует представить 12-нм техпроцесс
Если верить китайским источникам, для выпуска полупроводников компания TSMC собирается предложить своим клиентам 12-нм техпроцесс. Отметим, только в конце октября TSMC представила третье поколение 16-нм техпроцесса (две разновидности так называемого техпроцесса CLN16FFC) и находится в фазе подготовки к запуску в массовое производство 10-нм чипов. Появление в списке предложений компании 12-нм техпроцесса якобы связано с маркетинговыми соображениями, чтобы перехватить часть заказов на выпуск 14-нм решений компаний Samsung и GlobalFoundries. Утверждается, что между 16-нм и 12-нм техпроцессами TSMC есть существенная разница в размерах элементов, а не простое размещение условно 12-нм транзисторов на 16-нм межслойной контактной группе (сохранение 16-нм проводников для цепей с 12-нм транзисторами/затворами). Иными словами, 12-нм техпроцесс TSMC сможет обеспечить лучшие сигнальные характеристики для транзисторов, чем 16-нм или 14-нм техпроцессы.
Автор: GreenCo Дата: 29.11.2016 14:23