Новости за день

SK Hynix приступила к опытному производству памяти класса 10 нм
Удивительно, какой точной иногда бывает информация, выложенная на популярном тайваньском интернет-ресурсе DigiTimes. Год назад источник сообщил этому изданию, что компания Samsung начнёт массовый выпуск DRAM-микросхем с нормами класса 10 нм во втором квартале 2016 года, а у компании SK Hynix опытный выпуск памяти с похожими нормами стартует только в конце 2016. Как нам уже известно, Samsung в конце марта 2016 приступила к массовому выпуску 18-нм микросхем памяти. Что касается компании SK Hynix, то на днях издание ETnews раскрыло информацию о начале этим производителем опытного производства памяти 10-нм класса.

К массовому производству DRAM с нормами класса 10 нм SK Hynix приступит во втором квартале 2017 года. Параллельно в компании ведётся разработка ещё двух поколений 10-нм памяти: 1y и 1z (к первому поколению относится техпроцесс 1x). Если привести в пример подобную классификацию компании Samsung, то к поколению 1x относится 18-нм память, к поколению 1y — 15-нм, а к поколению 1z — 10-нм. Нетрудно увидеть, что даже в пределах одного поколения разрыв по себестоимости может быть очень большим (с учётом разного числа кристаллов на подложке).

В то же время следует уточнить, что переход к нормам производства с нормами класса 10 нм заставил перейти с проекции с использованием двух фотошаблонов на слой на проекцию с тремя фотошаблонами на слой, а также сильно усложнил структуру ячеек памяти (во избежание потери данных под воздействием паразитных факторов). Комплекс принятых для снижения масштаба техпроцесса мер сделал переход на выпуск 10-нм памяти очень сложным и затратным мероприятием. Компания Micron, если верить источнику, до сих пор пытается наладить массовый выпуск DRAM с использованием техпроцесса 2z.
Автор: GreenCo Дата: 16.12.2016 12:30
Micron организовала консорциум Xccela для продвижения нового интерфейса памяти
Компания Micron продолжает экспериментировать с сигнальными интерфейсами памяти (пепел Rambus стучит в её сердце?). Среди относительно свежих разработок в активе Micron есть фирменная энергонезависимая память NOR-типа под именем XTRMFlash. Память XTRMFlash вооружена новым сигнальным интерфейсом XTRMBus, который работает всего по 11 линиям и имеет значительную пропускную способность. Интерфейс XTRMBus выгодно отличается от унифицированного 40-контактного параллельного интерфейса доступа к NOR-флэш и 6-контактного последовательного интерфейса Quad SPI. Шина XTRMBus занимает значительно меньше места на плате при разводке и обеспечивает обмен данными в режиме чтения на уровне 400 МБ/с.

Вчера компания Micron сделала шаг на пути к унификации интерфейса XTRMBus. Точнее, теперь интерфейс получил новое коммерческое имя Xccela Bus, а память с его использованием будет называться Xccela. Для распространения интерфейса среди производителей компания учредила консорциум Xccela Consortium. Первыми участниками консорциума стали компании Micron, Winbond Electronics, GigaDevice Semiconductor и AP Memory Technology. Обещано, что интерфейс Xccela будет открытым, хотя никто не отменял всякие членские сборы и оплату за проверку на совместимость (сертификацию).

Главное, что надо отметить, компания Micron рассчитывает увидеть интерфейс Xccela Bus не только к качестве интерфейса доступа к NOR-флэш, но также в качестве интерфейса для любой памяти, включая оперативную и в виде интерфейса для любой цифровой электроники в составе SoC, заказных БИС и везде. Пока, судя из перечня участников консорциума, об этом говорить сильно преждевременно.
Автор: GreenCo Дата: 16.12.2016 13:22