Новости за день

Рабочие станции Apple Mac Pro не обновлялись с 2013 года. Тогда, четыре года назад, Apple выпустила Mac Pro в интересном цилиндрическом корпусе. Новые рабочие станции должны получить свою изюминку, чтобы не затеряться в тени предшественников. Как оказалось, теперь Mac Pro будут выпускаться в виде моноблоков. Точнее, компания начнёт выпуск iMac Pro. Остаётся до конца неизвестным будет ли компания выпускать настольные варианты рабочих станций в виде раздельных систем. По слухам, в Apple разрабатывают некий «модульный» дизайн Mac Pro, но слухи в отношении разработок Apple нередко бывают ошибочными.

Новая линейка iMac Pro получит 8-, 10 или 18-ядерный процессор Intel. В качестве графической подсистемы выступят адаптеры AMD на архитектуре Vega: Radeon Pro Vega 64 либо Radeon Pro Vega 56. Будут ли это общедоступные видеокарты или для Apple компания AMD выпустит отчасти уникальные адаптеры, не известно. Старшее решение получит 64 вычислительных блока (4096 потоковых процессоров) и 16 ГБ встроенной на подложку памяти HBM2 с шиной 2048 бит и пропускной способностью 480 ГБ/с. Младший адаптер вооружён GPU с 56 вычислительными блоками (3584 потоковых процессора), 8 ГБ памяти HBM2 с пропускной способностью 400 ГБ/с. Отсутствие в производстве 18-ядерных процессоров Intel и GPU Vega 64/56 отодвигает начало продаж iMac Pro на декабрь текущего года.

Кстати, стоимость решения в базовой конфигурации будет начинаться с $5000. В эту сумму войдёт 27-дюймовый экран с разрешением 5К (5120 х 2880 пикселей) яркостью 500 кд/м2, 32 ГБ памяти DDR4-2666 с поддержкой ECC (опционально — 64 или 128 ГБ), 1-ТБ SSD (опционально — 2 или 4 ТБ). Среди портов iMac Pro важно отметить 4 порта Thunderbolt 3 (совместимы с USB Type-C/3.1) и 4 порта USB 3.0. Габариты iMac Pro составляют 650 х 516 х 203 мм, а вес — 9,7 кг.

Две недели назад мы рассказали о планах Samsung приступить к рисковому производству с нормами 5 нм в 2019 году и нормами 4 нм в 2020 году. Оба этих техпроцесса будут использовать новую архитектуру транзисторов: вместо рёбер FinFET разработчики предложили создавать стеки из наностраниц с окружающих их затвором. Поскольку все четыре стороны каждой наностраницы или перемычки в составе канала окружены материалом затвора, это существенно увеличит пропускаемые через канал токи, улучшит управляемость каналом и снизит токи утечек. Как это выглядит в разрезе, можно увидеть на изображении ниже.

В разработке новой архитектуры участвовали компании IBM, Samsung и GlobalFoundries на базе объединения IBM Research Alliance. Следовательно, от каждой из компаний (кроме IBM) в будущем можно ждать практического внедрения этой технологии. Уточним, для выпуска 5-нм чипов производители будут использовать сканеры EUV-диапазона с длиной волны 13,5 нм.

Сообщается, что при переходе с 7-нм FinFET техпроцесса на 5-нм «наностраничный» возможен рост плотности размещения транзисторов на величину до 50 % и увеличение производительности до 40 % при условии сохранения потребления энергии на прежнем уровне. При равной производительности 5-нм «наностраничные» чипы будут потреблять на 75 % энергии меньше, чем актуальные 10-нм FinFET решения. Последнее обстоятельство позволяет разработчикам выразить уверенность в появлении смартфонов, которые по два-три дня не будут нуждаться в зарядке аккумуляторов.