Новости за день

GlobalFoundries на пути к освоению 7-нм техпроцесса
Вчера вечером компания GlobalFoundries сообщила, что она готова предоставить инструменты для немедленного проектирования и производства в будущем году полупроводников на основе техпроцесса 7LP FinFET (Leading-Performance). Этот техпроцесс обеспечит до 40 % прироста производительности по сравнению с техпроцессом 14 нм FinFET и позволит до 50 % снизить рабочую площадь кристаллов. На основе техпроцесса 7LP FinFET ожидаются высокопроизводительные мобильные, серверные и сетевые процессоры.

Техпроцесс 7LP FinFET использует традиционную иммерсионную литографию со сканерами 193 нм. Впоследствии компания готовится внедрить для создания критически важных слоёв литографию в EUV-диапазоне, но произойдёт это, по-видимому, не раньше 2019 года. Две опытные EUV-установки GlobalFoundries начнёт размещать на линиях завода Fab 8 в США только во второй половине текущего года. Впоследствии это снизит себестоимость производства, поскольку в рамках техпроцесса 7LP FinFET для ряда слоёв сегодня требуется использовать по три фотошаблона и, соответственно, по три цикла обработки на слой.

В компании GlobalFoundries рассчитывают, что доступность инструментов проектирования полупроводников для техпроцесса 7LP FinFET позволит начать опытное производство решений уже в первой половине 2018 года и начать массовый выпуск 7-нм решений во второй половине того же года. Компания TSMC, например, обещает начать массовый выпуск 7-нм продукции в первом квартале 2018 года — на шесть месяцев раньше GlobalFoundries и, похоже, на несколько месяцев раньше компании Samsung. Это, якобы, заставило компанию Qualcomm перенести заказы на выпуск 7-нм решений с мощностей Samsung обратно на заводы TSMC. Но это уже другая история.
Автор: GreenCo Дата: 14.06.2017 11:30