Новости за день

Intel построит в Индии новый центр для проектирования процессоров
Центр разработок компании Intel в Индии создал массу интересных решений, включая архитектуру процессоров Core и Xeon. C 1999 года компания инвестировала в индийское подразделение и в страну $4,5 млрд. Новым вкладом в экономику Индии станет анонсированный вчера проект по строительству нового здания для центра разработок на территории кампуса Intel в Бангалоре. Строительством будет заниматься местный подрядчик, используя местные материалы. Смета проекта составит $178 млн.

Новое здание будет «зелёным и умным». Для управления строением и его инфраструктурой будут использованы технологии вещей (датчиков) с подключением к Интернету. Энергия для питания систем строения будет браться из возобновляемых источников. При этом сам процесс строительства также станет инновацией. Для постройки сооружения будет использоваться новейшая технология «One Story High Technology», которая предполагает сборку каждого нового этажа на земле с последующим подъёмом на высоту и окончательным монтажом. Подобный подход обещает на 30 % сократить сроки строительства.

Общая полезная площадь нового строения, включая лаборатории, составит 57 600 м2. Работники нового центра будут заниматься дизайном чипов и верификацией разработок. Новый центр поможет индийскому подразделению Intel консолидировать творческую деятельность на территории страны в одном месте.
Автор: GreenCo Дата: 15.06.2017 12:00
Samsung объявила о серийном производстве 64-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC
Сегодня компания Samsung опубликовала пресс-релиз, в котором сообщила о начале серийного выпуска 256-Гбит памяти 3D NAND TLC. На самом деле, данный тип микросхем компания Samsung начала выпускать в относительно заметных количествах ещё в конце 2016 года, что позволило начать поставку оценочной продукции клиентам в виде SSD в январе 2017 года. Сегодняшний анонс, надо понимать, посвящён запуску производства на новом заводе компании в Южной Корее (в городе Пхёнтхэк). Запуск производства был намечен на середину-конец июня, что, по-видимому, и произошло.
«Семейный портрет»: от микросхем 3D NAND до накопителей Samsung
«Семейный портрет»: от микросхем 3D NAND до накопителей Samsung

Память с 64-слоями стала на 30 % экономичнее по потреблению, чем предыдущая 48-слойная память той же плотности. За это надо благодарить снижение напряжения питания с 3,3 В до 2,5 В. Также новинка обладает самой быстрой на сегодня скоростью страничной записи (на уровне 500 мкс). Этот показатель в 4 раза лучше, чем у 10-нм планарной NAND и в 1,5 раза лучше, чем у 48-слойной 3D NAND. Кроме того, надёжность 64-слойной памяти на 20 % больше, чем в случае 48-слойной памяти.

На базе 64-слойных микросхем Samsung планирует начать выпуск SSD потребительского и корпоративного классов. Позже в текущем году 64-слойные микросхемы 3D NAND будут использоваться для выпуска карточек памяти и встроенной памяти. В будущем Samsung обещает представить 3D NAND с числом слоёв более 90 и ёмкостью от 1 Тбит и выше. Но в ближайшем будущем — осенью этого года — компании предстоит выдержать удар со стороны более прогрессивной памяти конкурентов. Напомним, Toshiba (и Western Digital) готовят к массовому производству 64-слойную 512-Гбит 3D NAND TLC, а компания SK Hynix начнёт массовый выпуск 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC.
Автор: GreenCo Дата: 15.06.2017 14:05