Официальным пресс-релизом компания Toshiba
сообщила, что в начале июня она начала поставлять ознакомительные образцы первой в мире 64-слойной памяти BiCS FLASH (3D NAND) с ячейкой QLC (quadruple-level cell, четырёхуровневая). Ёмкость чипа составляет 768 Гбит (96 ГБ). Также компания может упаковывать в один корпус до 16 таких чипов, что даёт однокорпусное решение объёмом 1,5 ТБ. О начале массового производства разработки не сообщается. Следует ожидать, что это произойдёт только в новом 2018 году.

Ознакомительные образцы 64-слойных 768-Гбит 3D NAND QLC Toshiba
Вторым пресс-релизом Toshiba
доложила о начале закупки оборудования для нового завода по выпуску 3D NAND. Цеха Fab 6, напомним, компания
начала возводить в феврале текущего года на своей основной производственной площадке в Йоккаити. Сумма инвестиций на закупку оборудования и на строительство второй очереди цехов составит 180 млрд иен (около $1,6 млрд). Работа первой очереди цехов Fab 6 начнётся летом 2018 года. Новые линии будут выпускать 96-слойноую 3D NAND, о разработке которой Toshiba сообщила впервые.
Также в Toshiba напоминают, что они остаются открытыми для совместного строительства и оснащения Fab 6 в содружестве с подразделением SanDisk компании Western Digital. Если SanDisk и Western Digital не захотят участвовать в новом совместном проекте, подразделение Toshiba Memory Corporation будет самостоятельно финансировать и строить завод. Пока Toshiba и Western Digital бьют совместно нажитые «горшки» на фоне противоречий о дальнейшей судьбе подразделения Toshiba Memory Corporation и это сказалось на анонсе новинок. Но об этом в следующей новости.