Новости за день

Toshiba представила первую в мире 3D NAND с записью 4 бит в ячейку
Официальным пресс-релизом компания Toshiba сообщила, что в начале июня она начала поставлять ознакомительные образцы первой в мире 64-слойной памяти BiCS FLASH (3D NAND) с ячейкой QLC (quadruple-level cell, четырёхуровневая). Ёмкость чипа составляет 768 Гбит (96 ГБ). Также компания может упаковывать в один корпус до 16 таких чипов, что даёт однокорпусное решение объёмом 1,5 ТБ. О начале массового производства разработки не сообщается. Следует ожидать, что это произойдёт только в новом 2018 году.
Ознакомительные образцы 64-слойных 768-Гбит 3D NAND QLC Toshiba
Ознакомительные образцы 64-слойных 768-Гбит 3D NAND QLC Toshiba

Вторым пресс-релизом Toshiba доложила о начале закупки оборудования для нового завода по выпуску 3D NAND. Цеха Fab 6, напомним, компания начала возводить в феврале текущего года на своей основной производственной площадке в Йоккаити. Сумма инвестиций на закупку оборудования и на строительство второй очереди цехов составит 180 млрд иен (около $1,6 млрд). Работа первой очереди цехов Fab 6 начнётся летом 2018 года. Новые линии будут выпускать 96-слойноую 3D NAND, о разработке которой Toshiba сообщила впервые.

Также в Toshiba напоминают, что они остаются открытыми для совместного строительства и оснащения Fab 6 в содружестве с подразделением SanDisk компании Western Digital. Если SanDisk и Western Digital не захотят участвовать в новом совместном проекте, подразделение Toshiba Memory Corporation будет самостоятельно финансировать и строить завод. Пока Toshiba и Western Digital бьют совместно нажитые «горшки» на фоне противоречий о дальнейшей судьбе подразделения Toshiba Memory Corporation и это сказалось на анонсе новинок. Но об этом в следующей новости.
Автор: GreenCo Дата: 28.06.2017 12:41
Toshiba и Western Digital сообщили о разработке 96-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC
Компании Toshiba и Western Digital выпустили раздельные пресс-релизы, в которых каждая из них сообщила о разработке уникальной пока в индустрии 96-слойной 3D NAND TLC ёмкостью 256 Гбит. Образцы 96-слойной памяти каждая из компаний начнёт поставлять во второй половине текущего года, а массовое производство обещают начать в 2018 году.

Увеличение числа рабочих слоёв с 64 до 96 увеличивает плотность прибора памяти на 40 %. В то же время компании обещают адаптировать 96-слойную память 3D NAND до производства 512-Гбит микросхем 3D NAND TLC и микросхем с хранением 4 бит данных в каждой ячейке (QLC).

Компания Western Digital в своей версии пресс-релиза не преминула подчеркнуть, что новая разработка обозначает её технологическим лидером рынка флэш-памяти. Но следует отметить, что Toshiba в состоянии ограничить доступ Western Digital как к совместным разработкам, так и на предприятия, которые выпускают 3D NAND, включая перспективную 96-слойную. Как раз сегодня Toshiba подала иск против Western Digital в окружной суд Токио с намерением отсудить у партнёра около $1 млрд за вмешательство в продажу подразделения Toshiba Memory Corporation.
Автор: GreenCo Дата: 28.06.2017 13:34