Официальным пресс-релизом компания Samsung Electronics
сообщила, что она ставит перед собой задачу сфокусироваться на производстве 8-ГБ микросхем памяти типа HBM2. Каждая такая микросхема состоит из 8 кристаллов и одного контроллера в основании стека, соединённых сквозными вертикальными соединениями TSVs. Всего на слой приходится более 5000 контактов с вертикальными «колоннами» TSVs и более 40 000 контактов на микросхему.

Востребованное решение
Это чрезвычайно сложная технология, ведь в месте каждого контакта кремниевая подложка испытывает напряжение материала и может быть деформирована вследствие циклов нагревания/охлаждения. В компании не раскрывают технологические нормы производства чипов HBM2. Можно ожидать, что, как и в случае 4-ГБ четырёхслойных микросхем HBM2, Samsung использует техпроцесс класса 20 нм.
В начале июня
сообщалось, что Samsung начала закупать ключевое для выпуска микросхем с TSVs-соединениями оборудование в виде станков для термокомпрессионной сварки. Сегодняшняя новость о расширении выпуска микросхем HBM2 прямо подтверждает планы компании стать лидером по производству памяти HBM2. В первом полугодии следующего года компания обещает свыше половины памяти HBM2 выпускать в виде 8-ГБ микросхем.
Такие микросхемы, напомним, устанавливаются на одну подложку рядом с GPU или CPU. Для работы подсистемы памяти на основе HBM2 достаточно одной микросхемы, но можно устанавливать два, три или четыре чипа. В последнем случае можно получить подсистемы памяти объёмом 32 ГБ с суммарной пропускной способностью 1 ТБ/с. Память HBM2, уверены в Samsung, будет кстати не только для выпуска видеокарт, но также для сетевого оборудования, систем машинного обучения и для
других решений с высочайшими требованиями к скорости работы с памятью.