Новости за день

Нынешний август будет отмечен не только анонсом и стартом продаж флагманов Intel линейки Skylake-X, но и анонсом 8-го поколения настольных процессоров линейки Core. Компания Intel выпустила специальный пресс-релиз, в котором сообщила о готовящемся 21 августа анонсе процессоров 8-го поколения. Как мы догадываемся, это будут процессоры, которые пока скрываются под кодовым именем Coffee Lake. Они обещают оказаться до 30 % производительнее предшественников, хотя сохранят технологические нормы производства 14 нм (14++).

Анонс и живая трансляция мероприятия через Facebook начнутся в 19 часов вечера по московскому времени. Старт продаж моделей Core 8-го поколения ожидается намного позже. Скорее всего, это произойдёт в конце ноября. Модели поколения Coffee Lake станут первыми массовыми 6-ядерными процессорами компании, хотя ради этого, похоже, придётся покупать новые материнские платы. Несмотря на сохранение разъёма LGA 1151, процессоры Coffee Lake получат изменённую ревизию разъёма в виде LGA1151 r2 (v2). Предполагается, что в этом виновна новая архитектура процессоров и, в частности, перенос регулятора напряжения питания процессоров с материнских плат на кристалл. Что же, через 12 дней мы всё узнаем.

На отраслевом мероприятии компания Samsung заявила, что в 2018 году начнёт производство 1-Тбит многослойной памяти типа 3D NAND. В настоящий момент максимальная плотность выпускаемой компаниями памяти 3D NAD равна 512 Гбит. В 2018 году компании Toshiba и Western Digital собираются приступить к производству 768-Гбит кристаллов 3D NAND, для чего они будут использовать четырёхбитовую запись в ячейку (QLC) и 96-слойную структуру 3D NAND. В компании Samsung не пояснили, сколько уровней будет у 1-Тбит 3D NAND, но возможность записи типа QLC не стали отрицать.

Вместе с 1-Тбит кристаллами 3D NAND компания Samsung внедрит новый тип многокристальной (стековой) упаковки памяти. Сообщается, что 1-Тбит память будет упаковываться в столбик с числом кристаллов в стеке до 32 штук. Для этого потребуется нижний дополнительной слой, который необходим для осуществления проводной обвязки всех кристаллов в стеке. Ёмкость такого однокорпусного решения будет достигать 4 ТБ, а накопители в формфакторе 2,5 дюйма на основе подобных микросхем получат ёмкость до 128 ТБ.

Отдельно в Samsung упомянули, что готовится выпуск удешевлённой версии особенной памяти Z-NAND. Память Z-NAND была анонсирована в августе прошлого года как альтернатива памяти Intel 3D XPoint. За счёт оптимизированной архитектуры и записи всего одного бита в ячейку память Samsung Z-NAND имеет достаточно низкий уровень задержек, чтобы конкурировать с 3D XPoint. Так, заявленная латентность при чтении у накопителей Intel на памяти 3D XPoint равна 10 мкс. Опытные накопители на памяти Z-NAND имеют задержки на уровне 15 мкс. Удешевление памяти Z-NAND будет возможным по той причине, что Samsung увеличит плотность записи, заменив технологию SLC двухбитовой записью MLC. Латентность от этого пострадает, но незначительно, если верить Samsung.