Новости за день

Toshiba сообщила о подписании меморандума с группой компаний, включая SK Hynix
Вчера руководство Toshiba сделало «ход конём». Поскольку сроки принятия решения о выборе покупателя полупроводникового бизнеса компании реально поджимают, был сделан в некотором роде провокационный ход. Официальным пресс-релизом компания сообщила, что её руководством был подписан меморандум о взаимопонимании с консорциумом, во главе с американским инвестиционным фондом Bain Capital Private Equity. Помимо Bain Capital в консорциум вошли фонд Innovation Network Corporation, банк Development Bank of Japan и компания SK Hynix.

Подписание меморандума, отметили в Toshiba, не означает прекращение переговоров с двумя другими консорциумами, в один из которых входит компания Western Digital Corporation. Однако сам факт подписания меморандума стал определённым раздражителем для Western Digital. В компании выразили сожаление произведённым действием и пообещали не оставить это без ответа, если подразделение Toshiba Memory в итоге не достанется компании Western Digital.

Добавим, консорциум с Bain Capital Private Equity сделал самое богатое предложение Toshiba, так что просто отмахнуться от него было нельзя. Так что меморандум может оказаться страховкой генералитета Toshiba от возможных проблем с акционерами, если Western Digital, так или иначе, заставит отдать Toshiba Memory ей.
Автор: GreenCo Дата: 14.09.2017 11:10
Производство Z-SSD Samsung на памяти Z-NAND отложено до следующего года
В августе 2016 года компания Samsung представила флэш-память под кодовым названием Z-NAND. В марте 2017 года на памяти Z-NAND выпущен опытный твердотельный накопитель Z-SSD ёмкостью 1 ТБ (для работы на нём доступно только 800 ГБ). Эта модель под именем SZ985 начала распространяться среди клиентов компании, в число которых на раннем этапе вошли компании NetApp и Datera. Модели SZ985 оказались интересными по характеристикам, но массовое производство накопителей на памяти Z-NAND отложено до 2018 года. Во всяком случае, о таком положении дел сообщает сайт Business Korea.
Демонстрация опытного экземпляра SSD Samsung на памяти Z-NAND
Демонстрация опытного экземпляра SSD Samsung на памяти Z-NAND

Память Z-NAND стала ответом Samsung на память 3D XPoint компаний Intel и Micron. Правда, ничего революционного в ней нет. Это гибрид однобитовой ячейки SLC и многослойной памяти 3D NAND. За счёт множества слоёв, о числе которых пока не сообщается, появилась возможность выпускать относительно плотную память типа SLC. Это даёт рост скорости доступа и снижение задержек, хотя с объёмами там по-прежнему не очень хорошо. Прототип в лице SZ985, как мы видим, имеет ёмкость всего 1 ТБ, хотя для данного класса и исполнения накопителей на обычной памяти MLC и TLC выпускаются накопители объёмом до 4 ТБ и выше. И всё же, накопители Intel Optane на памяти 3D XPoint тоже не могут похвастаться высокой плотностью записи, так что, квиты.

По устоявшимся скоростям чтения и записи Samsung Z-SSD выглядят привлекательнее Intel Optane, обеспечивая до 3,2 ГБ/с для каждого из режимов. Задержки при обращении лучше у Intel Optane, опускаясь чуть ниже 10 мкс, тогда как Samsung Z-SSD показывает задержки на уровне 15-16 мкс. Об устойчивости к износу данных нет, но у ячеек SLC этот параметр определённо лучше, чем у ячеек MLC. В следующем году, кстати, Samsung планирует начать производство Z-NAND с двухбитовой ячейкой, так что за памятью Z-NAND определённо кроются кое-какие технологические секреты, кроме однобитовой записи. Жаль только, что ждать их придётся ещё год или около того.
Автор: GreenCo Дата: 14.09.2017 12:29