Новости за день

Модули DIMM на памяти 3D XPoint выйдут во второй половине 2018 года
В январе этого года на квартальной конференции директор Intel Брайан Кржанич сообщил, что компания начала опытные поставки модулей оперативной памяти на микросхемах 3D XPoint. Коммерческие поставки планок памяти под брендом Optane компания планировала начать в 2018 году. На днях на конференции UBS Global Technology исполнительный вице-президент Intel Навин Шеной (Navin Shenoy) подтвердил, что модули памяти Optane в исполнении NVDIMM будут доступны для покупки во второй половине 2018 года.
Память NVDIMM Intel Optane появится во второй половине 2018 года
Память NVDIMM Intel Optane появится во второй половине 2018 года

Модули NVDIMM актуального поколения совместимы со слотами DIMM DDR4 и выпускаются в двух стандартных вариантах: NVDIMM-N и NVDIMM-F. В первом случае это планки памяти с микросхемами DRAM и NAND и внешней батарейкой для аварийной перезаписи данных из DRAM в NAND, а во втором — это фактически SSD в исполнении планки DIMM. Для перспективных типов энергонезависимой памяти типа 3D XPoint, ReRAM, MRAM или других введён стандарт NVDIMM-P. Память Intel Opane, очевидно, будут выпускаться с поддержкой спецификаций NVDIMM-P.

Необходимость в памяти NVDIMM возникла по мере роста объёмов ОЗУ в серверах. Потеря данных в случае сбоев и процесс обратной загрузки информации с внешних носителей в память стал непозволительно длительным. Модули NVDIMM позволяют продолжить процесс с того места, когда произошёл сбой, поскольку информация остаётся в памяти. Это требует доработки программного обеспечения и контроллеров памяти, но всё это уже ведётся, и достигло определённой степени зрелости. На этом фоне память Intel 3D XPoint представляется лучшей альтернативой для NVDIMM, поскольку она энергонезависимая, а скорость её работы (латентность) приближается к скорости работы DRAM. К тому же память 3D XPoint по плотности превышает возможности DRAM, что для серверной памяти тоже важно.
Автор: GreenCo Дата: 16.11.2017 09:22
Заводы Samsung и SK Hynix были на время остановлены землетрясением
По данным южнокорейского интернет-ресурса Business Korea, полупроводниковые заводы компаний Samsung и SK Hynix, а также заводы компании LG Display были временно остановлены в среду 15 ноября в момент начала землетрясения в этой стране. Утверждается, что линии на всех производствах не получили каких-либо повреждений и были запущены вскоре после прекращения толчков. Остановка линий произошла автоматически после срабатывания датчиков вибрации на чувствительном к толчкам оборудовании. Прежде всего, это литографические сканеры.

Несмотря на декларируемое отсутствие потерь, простой и повреждение части или даже всех пластин, находящихся в работе в момент остановки линий, наверняка имели место. Доклад о возможных потерях подготовили аналитики Dramexchange, но он пока закрыт для широкого распространения. Рынок DRAM сегодня характеризуется превышением спроса над предложением, и даже небольшой провал в объёмах производства способен вызвать очередной рост цен на память и продукцию на её основе. Ждём подробностей.
Автор: GreenCo Дата: 16.11.2017 12:26