Новости за день

Zhaoxin KX-5000 — 8-ядерная x86 SoC VIA Technologies
После многих лет молчания тайваньская компания VIA Technologies не сошла с арены рынка x86-совместимых процессоров. В мае 2016 года вместе с китайской компанией Shanghai Zhaoxin Semiconductor разработчики из VIA представили новые вычислительные ядра Katherine (Катерина) и 4- и 8-ядерные процессоры на их основе. В частности, вышли 28-нм потребительские процессоры ZX-C, северный мост ZX-100C и серверные (корпоративные) процессоры FC-1080/1081. Компания Lenovo тогда анонсировала ноутбук на процессоре ZX-C, а компания Tsinghua Tongfang Chaoxiang серию десктопов Z8000. Добавим, 8-ядерные версии процессоров представляли собой пару 4-ядерных кристаллов на общей подложке (в одной упаковке).
Диаграмма процессоров ZX-C и KX-5000
Диаграмма процессоров ZX-C и KX-5000

В середине ноября этого года на конференции China IC Design Conference 2017 (ICCM) компания Zhaoxin представила очередное поколение процессоров на ядрах Katherine. Этими решениями стали однокристальные сборки KX-5000 с 4 или с 8 x86-совместимыми ядрами. Сборки KX-5000 также выпускаются с использованием 28-нм LP техпроцесса на линиях китайского производителя компании Shanghai Huali Microelectronics Corporation (HLMC). Забегая вперёд, отметим, следующие модели процессоров (SoC) KX-6000 будут выпускаться на линиях компании TSMC с использованием техпроцесса 16 FF+.

Сборки KX-5000 самодостаточны, хотя лишены ряда важных интерфейсов. Для полноты платформы они могут комплектоваться 40-нм южным мостом ZX-200, который добавит поддержку портов USB, включая USB 3.1 и его разновидность — USB Type-C, порты SATA 6 Гбит/с и сетевой порт Gigabit Ethernet. Сама сборка KX-5000 несёт интегрированное видеоядро, блоки по обработке и выводу графики и звука, встроенный контроллер PCI Express 3.0 и двухканальный контроллер памяти DDR4 с поддержкой памяти вплоть до DDR4-2400.
Автор: GreenCo Дата: 28.11.2017 11:52
Samsung обещает значительно улучшить литиево-ионные аккумуляторы
На сайте Nature появилась статья, в которой исследователи компании Samsung Electronics делятся опытом по улучшению ключевых характеристик литиево-ионных аккумуляторов. Сообщается, что Samsung запатентовала технологию, которая позволит создавать литиево-ионные аккумуляторы с 5-кратно ускоренным временем заряда (до 12 минут вместо одного часа) и с увеличенной до 45 % ёмкостью.

Для улучшения характеристик аккумуляторов предложено покрывать анод и катод, а также добавлять в электролит графеновые шарики, выращенные вокруг крупиц классического диоксида кремния. Шарики получаются наноразмерные и равномерно покрывают насыщенной никелем катод и анод. В перспективе коммерческие аккумуляторы с графеновыми шариками могут достичь плотности запасаемой энергии до 800 Вт*ч/Л.

Также такие аккумуляторы обещают выдерживать высокие рабочие температуры, что важно для эксплуатации автомобильных и промышленных аккумуляторов. Например, заявленная деградация при 60 градусах по Цельсию и 500 циклах заряда составляет 21,4 % от первоначальной ёмкости.
Автор: GreenCo Дата: 28.11.2017 14:06