Новости за день

Samsung может перевести производство памяти на EUV-литографию
Безусловным лидером рынка памяти типа DRAM остаётся компания Samsung. По итогам 3 квартала 2017 года, например, она удерживает 58,3 % рынка мобильной памяти и 45,9 % рынка серверной DRAM. Компания Samsung первой приступила к производству DRAM 10-нм класса (18 нм) и в дальнейшем планирует снизить технологические нормы до 15 нм и даже до меньших значений.

В то же время для выпуска DRAM компания применяет 193-нм сканеры и иммерсионную литографию (с погружением оптической системы и пластин в жидкость). Для каждого рабочего слоя 18-нм памяти используются от двух до четырёх фотошаблонов, что прямо влияет на длительность обработки каждой пластины. Сократить производственный цикл, снизить себестоимость и ещё сильнее увеличить отрыв от конкурентов может позволить компании перевод производства DRAM на EUV-литографию с длиной волны 13,5 нм.

По данным южнокорейских источников, Samsung задумалась о подготовке к производству микросхем DRAM с использованием EUV-сканеров. Для этого соответствующее оборудование устанавливается на заводе Line 17 в городе Хвасон, а также должно начаться строительство новых цехов (завода) рядом с этим предприятием (буквально на территории для парковки автомобилей работников Line 17). В перспективе, если Samsung примет решение начать выпуск DRAM с использованием сканеров EUV, она это сможет сделать в 2019 году. В целом же компания начнёт эксплуатировать EUV-сканеры во второй половине 2018 года для выпуска 7-нм продукции в виде фирменных SoC и контрактных полупроводников аналогичного назначения.
Автор: GreenCo Дата: 01.12.2017 12:49
Toshiba приступила к опытным поставкам 2-Тбит однокорпусных SSD с шиной UFS 2.1
Последовательный интерфейс Universal Flash Storage (UFS) становится чуть более распространённым, хотя накопители с его использованием преимущественно выпускают только две компании: Samsung и Toshiba. Как раз на днях Toshiba приступила к поставкам ознакомительных образцов однокорпусных SSD с шиной UFS 2.1 и ёмкостью вплоть до 2 Тбит. Модельный ряд накопителей включает SSD ёмкостью 32, 64, 128 и 256 ГБ. Все они выполнены в упаковке со сторонами 11,5 х 13 мм, куда входят как микросхемы памяти, так и контроллер. Память, как утверждается, 64-слойная (это кристаллы по 256 и 512 Гбит).
Однокорпусные SSD Toshiba с интерфейсом Universal Flash Storage (UFS)
Однокорпусные SSD Toshiba с интерфейсом Universal Flash Storage (UFS)

Заявленная скорость последовательного чтения накопителей достигает 900 МБ/с. Скорость последовательной записи поднимается до 180 МБ/с. Значения IOPS в режимах записи и чтения случайных блоков не указываются, но утверждается, что новинки по этим показателям превосходят предшественников на 200 % при чтении и на 185 % при записи. Однокорпусные SSD Toshiba ориентированы в первую очередь на установку в смартфоны и планшеты, требования к памяти у которых растут не по дням, а по часам.
Автор: GreenCo Дата: 01.12.2017 13:41