Новости за день

Samsung первой приступила к производству 2-го поколения 10-нм памяти DRAM
В марте 2016 года Samsung первой в индустрии приступила к массовому производству микросхем оперативной памяти 10-нм класса. Официально компания не приводит точные нормы техпроцесса, но известно, что в первом поколении Samsung использовала 18-нм техпроцесс. Сегодня компания объявила о начале производства второго поколения чипов DRAM 10-нм класса. Из сторонних источников известно, что это, скорее всего, 17-нм техпроцесс. После 20-нм класса шаг снижения масштаба техпроцесса снизился с 2-3 нм до 1 нм. Ожидается, что Samsung ещё два раза снизит технологические нормы: до 16 нм и 15 нм.

Переход с 1-го 10-нм поколения техпроцесса на 2-е для чипов 8 Гбит DDR4 увеличил продуктивность (выход) продукции на 30 %, что выглядит необычно для шага техпроцесса в 1 нм, но в способность Samsung без EUV освоить выпуск 16-нм и, особенно, 15-нм DRAM верится с трудом. Также в компании сообщили, что переход на 2-е поколение 10-нм техпроцесса увеличит производительность транзисторов на 10 % и на 15 % увеличит энергоэффективность. В частном случае 8-Гбит память DDR4 способна работать со скоростью 3600 Мбит/с на каждый контакт шины данных. Кроме DDR4 второе поколение 10-нм техпроцесса поможет компании Samsung выпускать память DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.
Автор: GreenCo Дата: 21.12.2017 10:39
Micron обещает начать поставки GDDR6 в начале нового года
И компания SK Hynix, и компания Samsung уже представили готовые к производству разработки чипов GDDR6. В первом случае речь идёт о 8-Гбит чипе с производительностью 16 Гбит/с на контакт, подготовленном для производства с третьим поколением техпроцесса класса 20 нм (2Z, возможно — это 21 нм или 20 нм), а во втором случае с той же производительностью 16 Гбит/с на контакт представлен уже 16-Гбит чип GDDR6. Добавим, Samsung не раскрыла детали о техпроцессе, с помощью которого она будет выпускать память GDDR6. С учётом перевода производства памяти Samsung на техпроцесс класса 10 нм память GDDR6 также может опираться на 10-нм класс техпроцесса первого (18 нм) или даже второго поколения (17 нм или меньше).

Компания Micron на одной из пресс-конференций год назад сообщила, что память GDDR6 она планирует выпускать с использованием техпроцесса класса 10 нм, но никаких деталей о разработке не сообщала. Но на последней отчётной конференции два дня назад было подтверждено, что массовое производство и поставки памяти GDDR6 с производительностью 16 Гбит/с на контакт она начнёт в первом квартале 2018 года. Интересно, что кроме использования данной памяти в видеокартах компания Micron видит потребность GDDR6 в сфере автомобильной электроники.

По мнению Micron, системам автопилотов потребуются достаточно большие объёмы производительной бортовой памяти, поскольку массивный обмен данными с облаком для задач ИИ может быть не всегда доступен. С учётом того, что автопилотами серьёзно занимается NVIDIA, вектор интереса Micron виден невооружённым глазом. Надеемся, для видеокарт эта продукция не станет дефицитом.
Автор: GreenCo Дата: 21.12.2017 13:38