Новости за день

В России начато производство транзисторов для сетей связи 5G
«Холдинг «Росэлектроника» приступил к выпуску нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации. Опытные образцы приборов прошли испытания в составе квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов и в настоящее время поставляются более 20 предприятиям для тестовой эксплуатации».

Разработали транзисторы в воронежском АО «НИИ электронной техники» (в составе холдинга входит в Концерн «Созвездие»). Выходная мощность решений от 5 до 50 Вт. Сообщается, что транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами. Кроме сотовых сетей транзисторы GaN используются в силовой электронике: в блоках питания и преобразователях. У них предельно высокий КПД, что позволяет сделать блоки питания до 10 раз компактнее аналогов на кремниевых элементах. В свете развития электротранспорта в чистом виде и гибридного — это решающее преимущество.

Добавим, в сентябре этого года комитет JEDEC создал две рабочие группы по стандартизации так называемых широкозонных полупроводников, куда входят как GaN, так и карбид-кремниевые (SiC) решения. Сегодня львиная часть рынка GaN и SiC транзисторов принадлежит компаниям Infineon и Wolfspeed и составляет порядка 70 %. Вдвойне приятно, что российские GaN-транзисторы не только разработаны, но и попали в производство.
Автор: GreenCo Дата: 25.12.2017 09:48
Toshiba инвестирует 7 млрд иен в 7-й завод по выпуску NAND
В настоящий момент, как вы можете помнить, компания Toshiba ведёт строительство второй очереди цехов завода Fab 6 и устанавливает промышленное оборудование на первой линии на этом предприятии. Мировое соглашение с компанией Western Digital открыло последней доступ к инвестициям в Fab 6 и к дележу в будущем продукции с этого завода, который предположительно начнёт работать в четвёртом квартале 2018 года. Также Western Digital будет разрешено инвестировать в строительство 7-го завода Toshiba в Японии, который планируется возвести в городе Китаками в префектуре Иватэ.

По данным сайта TomsHardware, Toshiba определилась с объёмом начальных инвестиций в условно Fab 7. Для подготовки площадки под строительство и на начальную фазу строительства будет выделено 7 млрд иен (примерно $1,062 млрд). Часть из этой суммы должна будет оплатить компания Western Digital. Она уже сообщала, что готова инвестировать в ещё один завод в Японии и создать с Toshiba четвёртое совместное предприятие по производству NAND памяти. Завод Fab 7, как ожидается, будет выпускать 96-слойную 3D NAND с TLC и QLC ячейками. В строй он войдёт, судя по всему, в 2020 году.
Автор: GreenCo Дата: 25.12.2017 09:50