Новости за день

Samsung приступила к производству второго поколения памяти HBM2
В августе прошлого года дебютировал графический адаптер AMD с GPU Vega 10 (видеокарта Radeon RX Vega). На общей подложке с GPU располагались две микросхемы памяти HBM2 первого поколения, каждая объёмом 8 ГБ. Выпускала эту память компания Samsung Electronics. Скорость обмена по каждому контакту составляла 1,6 Гбит/с при питании 1,2 В. Увеличение питания до 1,35 В позволяло увеличить скорость передачи данных по контакту до 2 Гбит/с.
GPU AMD Vega 10 (слева, справа GPU Fiji) с двумя микросхемами Samsung HBM2 первого поколения
GPU AMD Vega 10 (слева, справа GPU Fiji) с двумя микросхемами Samsung HBM2 первого поколения

Сегодня компания Samsung сообщила, что она начинает выпускать второе поколение памяти HBM2, скорость работы которой по каждому контакту составляет рекордное для отрасли значение 2,4 Гбит/с или примерно на 50 % быстрее, если сравнивать с первым поколением микросхем HBM2. Суммарно скорость чипов HBM2 второго поколения (кодовое имя Aquabolt) составит 307 ГБ/с для 8-ГБ стека из 8 кристаллов ёмкостью 8 Гбит. Это в 9,6 раз быстрее 8-Гбит чипа памяти GDDR5 со скоростью 8 Гбит/с на контакт. Четыре чипа HBM2 Aquabolt обеспечат скорость обмена с памятью на уровне 1,2 ТБ/с, что будет востребовано ускорителями вычислений и решениями для ИИ. В игровых графических адаптерах можно ожидать появления пары чипов с общей скоростью доступа 614 ГБ/с. Напряжение питания памяти HBM2 Aquabolt при этом останется на уровне 1,2 В.
Микросхема памяти Samsung HBM2 второго поколения
Микросхема памяти Samsung HBM2 второго поколения

По словам Samsung, увеличить скорость обмена удалось за счёт уменьшения уровня расфазировки синхронизирующих импульсов. Также улучшен отвод тепла от внутренних слоёв памяти, для чего компания увеличила в стеке число отводящих тепло «буферных» слоёв. Всего на каждый кристалл в стеке приходится свыше 5000 сквозных TSVs отверстий. Дополнительно внизу стека предусмотрен слой, усиливающий механическую прочность сборки.
Автор: GreenCo Дата: 11.01.2018 10:51
На CES 2018 Intel показала SSD Optane 800P
Как сообщает сайт PCWorld, на выставочном стенде компании Intel обнаружилась не анонсированная пока линейка SSD Optane 800P. Это накопители объёмом 58 ГБ и 118 ГБ в формфакторе M.2 с двумя линиями PCIe с поддержкой протокола NVMe. По сути, SSD Optane 800P представляют собой увеличенные в объёме накопители Optane Memory M.2. Последние вышли весной в виде 16-ГБ и 32-ГБ кэширующих накопителей и, кстати, имеют внутреннюю идентификацию Optane 800P. Увеличение ёмкости до 58 ГБ и особенно до 118 ГБ позволит использовать модели линейки Optane 800P в качестве полноценных и самостоятельных твердотельных накопителей в системе.
Слева на фотографии SSD Intel Optane Memory, а справа SSD Intel 800P
Слева на фотографии SSD Intel Optane Memory, а справа SSD Intel 800P

Поставки моделей Optane 800P ожидаются в марте. Цена пока не определена, как и нет данных о характеристиках моделей. Поскольку SSD Optane 800P имеют тот же контроллер и ту же прошивку, что и модели Optane Memory, можно рассчитывать на близкие спецификации. В частности, скорость последовательного чтения будет не ниже 1,2 ГБ/с, а скорость последовательной записи окажется не ниже 280 МБ/с.

За счёт увеличения объёма (и резервирования памяти) устойчивость SSD Optane 800P к износу окажется в два раза больше, чем у SSD Optane Memory. В течение 5 лет гарантийного срока новинки позволят ежесуточно перезаписывать до 200 ГБ данных вместо 100 ГБ, как у моделей Optane Memory. Наконец, SSD Optane 800P должны научиться переходить в низкое энергетическое состояние при простое с потреблением менее 1 Вт, что откроет им путь в ноутбуки.
Автор: GreenCo Дата: 11.01.2018 11:58