Новости за день

Toshiba приступила к закупкам оборудования для второй очереди линий Fab 6
Вблизи города Йоккаити в префектуре Миэ компания Toshiba строит новый завод по выпуску памяти 3D NAND. Строительство запланировано в два этапа. Первая очередь корпусов начала строиться в феврале 2017 года. В августе компания начала закупать для линий первой очереди и для оборудования чистой комнаты первое промышленное оборудование. Тогда же компания объявила о начале строительства корпусов второй очереди.

Свежим пресс-релизом Toshiba сообщает, что совет директоров утвердил размеры первого транша на закупку оборудования для чистой комнаты второй очереди. За сумму в 27 млрд иен (примерно $250 млн) будет закуплено и установлено оборудование для кондиционирования воздуха и другие промышленные установки первой необходимости. Ожидается, что линии первой очереди начнут выпускать продукцию ближе к середине текущего года, а второй — в конце года. Согласно планам, это должна быть 96-слойная память 3D NAND в виде 256-Гбит, 512-Гбит или 768-Гбит кристаллов. В последнем случае речь идёт о ячейке с записью четырёх бит данных, тогда как в первых двух случаях речь о ячейке TLC.
Автор: GreenCo Дата: 20.02.2018 12:10
Samsung начала выпускать 30,72-ТБ SSD с интерфейсом SAS
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства самой ёмкой в индустрии модели SSD с интерфейсом SAS — 30,72-ТБ накопителя в линейке PM1643. Данная модель опирается на 512-Гбит 64-слойные кристаллы памяти 3D NAND TLC (V-NAND), упакованные в корпуса ёмкостью 1 ТБ (16 кристаллов в стековой упаковке). Объём кеш-буфера SSD равен 40 ГБ DRAM. Платформа, добавляет Samsung, основана на новом фирменном контроллере.
SSD Samsung PM1643 ёмкостью 30,72 ТБ
SSD Samsung PM1643 ёмкостью 30,72 ТБ

Благодаря интерфейсу SAS 12 Гбит/с, сообщают в Samsung, накопитель PM1643 обеспечивает устоявшуюся скорость чтения до 2,1 ГБ/с и устоявшуюся скорость записи до 1,7 ГБ/с. Правда, в данном случае цифры не сходятся, так как 12 Гбит/с — это 1,5 ГБ/с с учётом служебного трафика. Решить проблему может двойной интерфейс SAS, но в Samsung на этот счёт разъяснений нет. Для операций произвольной записи и чтения производительность достигает 400 000 IOPS и, соответственно, 50 000. Всё это в формфакторе 2,5 дюйма толщиной 15 мм.

Память DDR4, из которой собран буфер SSD, также представляет технический интерес. Как сообщают в Samsung — это первая память DRAM для SSD, собранная в стек с помощью сквозных металлизированных TSVs соединений. Всего на SSD 10 4-ГБ сборок, каждая из которых собрана из 8-Гбит кристаллов DDR4.
Накопитель объёмом 30,72 ТБ допускает одну полную перезапись в день в течение гарантийного срока эксплуатации. В дополнение к флагману позже в текущем году в линейке PM1643 будут выпущены модели ёмкостью 15,36, 7,68, 3,84, 1,92 ТБ и 960 и 800 ГБ.
Автор: GreenCo Дата: 20.02.2018 13:22