Новости за день

Qualcomm разрабатывает SoC Snapdragon XR1 для автономных VR-гарнитур
По данным информированных источников, на которые ссылается информагентство Bloomberg, компания Qualcomm разработала и готова на следующей неделе на выставке Augmented World Expo в США анонсировать уникальный однокристальный процессор Snapdragon XR1. Это первое специализированное решение Qualcomm для проектирования и выпуска автономных гарнитур для дополненной и виртуальной реальности. Ранее в этом году Qualcomm представила автономную платформу для данной категории продуктов на основе SoC Snapdragon 845. Специализированный чип Snapdragon XR1, как ожидается, окажется намного производительнее и эффективнее (и дешевле!), чем процессор Snapdragon 845, который спроектирован для флагманских смартфонов.
Эталонная гарнитура на SoC Qualcomm Snapdragon 845
Эталонная гарнитура на SoC Qualcomm Snapdragon 845

Подробно о новой разработке пока неизвестно. Утверждается, что Snapdragon XR1 несёт ядра (процессор) общего назначения, графический процессор, блоки безопасности и элементы ИИ. Кроме этого платформа воспринимает команды голосом (элементы искусственного интеллекта?) и отслеживает изменение в пространстве головы пользователя. Разработкой шлемов VR и AR на новой платформе уже якобы заинтересовались компании HTC и Vuzix. Ждём интересных анонсов.
Автор: GreenCo Дата: 24.05.2018 11:23
Samsung планирует начать 3-нм производство в 2021 году
На днях компания Samsung поделилась чрезвычайно агрессивными планами по вводу в строй новых технологических процессов для выпуска полупроводников. Как уже известно, коммерческий 7-нм техпроцесс 7LPP (7nm Low Power Plus) с частичным использованием EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм Samsung запустит во второй половине этого года. Опыт использования EUV-проекции поможет компании уже в 2019 году внедрить в коммерческое производство чипов техпроцесс с нормами 5 нм или 5LPE (5nm Low Power Early), а уже на основе опыта ввода в строй 5-нм техпроцесса в 2020 году компания обещает внедрить 4-нм техпроцесс в двух версиях 4LPE и 4LPP. Причём для максимально быстрого и с минимальным уровнем брака ввода в строй 4-нм техпроцесса Samsung сохранит структуру транзисторов FinFET.

Начиная с 3-нм техпроцесса, который компания планирует внедрить в 2021 году (на год раньше аналогичных обещаний TSMS), структура транзисторов будет изменена. Компания откажется от FinFET и возьмёт на вооружение затворы, полностью окружающие транзисторный канал. Это будут техпроцессы 3GAAE (ранний) и 3GAAP (плюс, улучшенный). Затворы примут кольцевую форму и будут окружать каналы транзисторов со всех сторон (Gate-All-Around), что поможет удержать управляющие токи и напряжения в заданном диапазоне, а каналы будут выполнены в несколько слоёв в виде наностраниц.
Пример наностраничных транзисторных каналов, полностью окружённых затворами (техпроцесс 5 нм, производство IBM)
Пример наностраничных транзисторных каналов, полностью окружённых затворами (техпроцесс 5 нм, производство IBM)

Поскольку Samsung получила данные технологии от совместных проектов с IBM и компанией AMD (GlobalFoundries), последняя пойдёт по аналогичному пути со всеми вытекающими для AMD и её процессоров последствиями. Куда и как пойдёт компания Intel, которая к 2021 году собирается едва освоить 7-нм техпроцесс, остаётся пока только догадываться.
Автор: GreenCo Дата: 24.05.2018 13:29