Новости за день

Китайский регулятор встретился с Micron: что с ценами на память?
В самом конце прошлого года стало известно, что представители китайского регулятора в лице комиссии NDRC (National Development and Reform Commission) встречались с руководством компании Samsung. Со слов информированных источников, стороны обсуждали возможность снижения или стабилизации цен на память для смартфонов. Судя по данным за первый квартал, оптовые цены на мобильную DRAM поднялись не так сильно, как ожидалось, а во втором квартале наметились признаки стабилизации цен. Иными словами, разговор был проведён в правильном русле.
Распределение долей на рынке DRAM в первом квартале 2018 года
Распределение долей на рынке DRAM в первом квартале 2018 года

В конце прошлой недели китайский антимонопольный регулятор навестил другого производителя памяти — компанию Micron. Как и Samsung (и SK Hynix) компания Micron входит в число тройки лидеров рынка DRAM, которая совокупно удерживает 96 % рынка мирового производства памяти. С руководством Micron, сообщают аналитики DRAMeXchange, беседовали представители антимонопольного бюро Министерства торговли Китая. По результатам беседы, как верит DRAMeXchange, цены на память в обозримом будущем начнут стабилизироваться или даже пойдут вниз.

В то же время следует понимать, что снизить оптовые цены на память может только насыщение и перенасыщение рынка. Все последние два года, когда память начала расти в цене, Samsung, SK Hynix и Micron не спешили наращивать выпуск DRAM, поэтому есть у них для этого резервы или нет, пока непонятно. Для запуска производства на существующих линиях требуется около 8 недель, а для развёртывания и запуска новых линий необходим минимум один год. Какие резервы могут быть задействованы для снижения цен на DRAM, остаётся только догадываться.
Автор: GreenCo Дата: 28.05.2018 07:01
Imec и стартап Unisantis анонсировали «супермасштабируемую» ячейку SRAM
Стартап Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd, возглавляемый ветераном отрасли и одним из изобретателей NAND в составе команды Toshiba — Фудзио Масуока (Fujio Masuoka), на форуме Imec Technology Forum (ITF 2018) продемонстрировал самую плотную в индустрию 6-транзисторную ячейку SRAM. Массив SRAM выполнен на опытных линиях бельгийского исследовательского центра Imec с прицелом на адаптацию к 5-нм техпроцессу. Площадь 6-транзисторной ячейки Unisantis и Imec попала в диапазон от 0,0184 мкм2 до 0,0205 мкм2. Предыдущий рекорд принадлежит компании Samsung, которая для первого поколения 7-нм техпроцесса с использованием EUV-сканеров смогла создать 6-транзисторную ячейку SRAM площадью 0,026 мкм2.
Сравнение площадей передовых ячеек SRAM на фоне прорыва Unisantis и Imec
Сравнение площадей передовых ячеек SRAM на фоне прорыва Unisantis и Imec

Рекордная плотность ячейки SRAM — базового и чудовищного по размеру компонента любого процессора — достигнута благодаря переходу с горизонтальных FinFET структур на вертикальные «нанопроводные» каналы транзисторов с охватывающими затворами (SGT, Surrounding Gate Transistor). В компании Samsung, кстати, эти затворы называют кольцевыми или GAA (Gate-All-Around). Транзисторы SGT в виде вертикальных колон Unisantis и Imec предлагают выпускать в рамках освоения 5-нм техпроцесса, тогда как Samsung рассчитывает перейти на кольцевые затворы при переходе на 3-нм техпроцесс.

Вертикальные SGT-транзисторы обещают уменьшить площадь под массивом SRAM на 20-30 %, что существенно снизит себестоимость кристаллов. Правда, эта технология пока плохо подходит для транзисторов логики, хотя с её помощью себестоимость производства DRAM, NAND и SRAM обещает оказаться такой же, как себестоимость производства FinFET-структур SRAM. Только вот FinFET SRAM дальше плохо масштабируется, а SGT-колонны с этим обещают справиться на ура.
Автор: GreenCo Дата: 28.05.2018 07:03