Новости за день

Новые массовые GPU и видеокарты NVIDIA будут представлены не позже августа
Новые массовые GPU и видеокарты NVIDIA мы ждали этой весной, благо у компании есть готовая и, в общем-то, обкатанная в производстве графическая архитектура Volta и процессор GV100. Но этого не случилось. Более серьёзные источники уверяли, что новые 7-нм GPU NVIDIA будут представлены в конце третьего квартала. Подтверждением этой возможности выступило расписание выступлений представителей NVIDIA на конференции Hot Chips 30. Конференция пройдёт в Купертино шт. Калифорния с 19 по 21 августа.

Согласно расписанию, вице-президент отдела разработки GPU в NVIDIA Стюарт Оберман (Stuart Oberman) расскажет о «следующем поколении массовых GPU». Поскольку компания в этот период обнародует достаточно много подробностей о новой разработке, официальный анонс новинок должен состояться раньше. В прошлом, например, NVIDIA могла позволить себе организовать для этого специальное мероприятие, хотя ещё до Hot Chips 30 состоится ещё одно медийное событие в виде конференции SIGGRAPH 2018 (12-16 августа, место проведения — Ванкувер). В любом случае, в течение 2,5 месяцев компания представит много для нас интересного. Ждём.
Автор: GreenCo Дата: 04.06.2018 07:18
Четвёртое поколение 3D NAND Micron будет «как у всех»
Компании Micron и Intel были и пока остаются единственными производителями 3D NAND, которые в основе памяти многослойной памяти используют ячейку с плавающим затвором (floating gate), а не ячейку с ловушкой заряда (charge trap). В этом было своё преимущество при переходе с выпуска планарной NAND на многослойную 3D NAND. Так перейти было дешевле. Все остальные лидеры производства флэш-памяти используют ячейку 3D NAND с ловушкой заряда. При налаженном производстве 3D NAND с ловушкой заряда процесс выпуска памяти выходит дешевле, а сама память ощутимо плотнее, что положительно сказывается на себестоимости в пересчёте на бит сохраняемой информации.
[CENTR][/CENTR]
На днях на встрече с аналитиками руководство Micron сообщило, что с четвёртого поколения памяти 3D NAND, а это будет память с числом слоёв свыше 96 штук (скорее всего, речь о 144-слойной памяти), компания откажется от ячейки с плавающим затвором в пользу ячейки с ловушкой заряда. Партнёр компании Micron по выпуску 3D NAND — компания Intel — вероятно с этим не согласна. Иначе как объяснить необъяснимый до этого факт, что с четвёртого поколения 3D NAND компании Intel и Micron будут разрабатывать многослойную память каждая по отдельности?

Для выпуска 3D NAND компания Intel провела глубокую модернизацию своего завода в Китае. В этом она теперь фактически независима от Micron. И в компании предпочли не идти на новые траты, ведь переход с одного типа ячейки на другой потребует существенных изменений в производственных процессах. Тем самым Intel косвенно подтверждает, что она будет делать ставку на память 3D XPoint, поскольку её 3D NAND с четвёртого поколения окажется самой архаичной, если так можно выразиться.
Автор: GreenCo Дата: 04.06.2018 07:21