Новости за день

Рокировка: разработчик графики Intel переходит на работу в графическое подразделение AMD
Забавно, компании Intel и AMD обменялись ведущими разработчиками графических процессоров. Напомним, в конце прошлого года на работу в Intel перешёл глава графического подразделения компании AMD Раджа Кодури (Raja Koduri), под которого тут же было создано подразделение для разработки дискретных графических процессоров. А на днях, если верить сообщению на сайте HEXUS, уже в компанию AMD перешёл один из ведущих графических разработчиков компании Intel — Мартин Эштон (Martin Ashton). В Intel Мартин работал в качестве вице-президента Core and Visual Computing Group, а также занимал должность главного инженера в группе Visual Technologies Team и был директором и содиректором подразделений Hardware и Architecture. Судя по регалиям, ценный кадр.

Важным моментом в этой истории является трудовая деятельность Эштона до работы в Intel. В составе Intel Мартин проработал неполных два года, а до этого 26 лет оттрубил в британской Imagination Technologies. Он специалист по мобильным графическим архитектурам PowerVR. Из этого можно сделать осторожный вывод о том, что у компании AMD может быть интерес к этому сегменту, тогда как у Intel этот интерес пропал. При этом компании AMD не обязательно лезть в смартфоны и планшеты. Она, как разработчик полузаказных решений, сможет использовать чипы с интегрированной «карманной» графикой в широком спектре коммерческих, торговых, игровых и других терминалов. Будет интересно узнать, что из этого выйдет.
Автор: GreenCo Дата: 10.07.2018 11:27
Samsung начала массовый выпуск 90(+)-слойной 256-Гбит V-NAND (3D NAND)
Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство самой передовой на сегодня многослойной памяти типа 3D NAND (V-NAND пятого поколения). Новинки не поражают большим объёмом — всего 256 Гбит в наборе из трёхбитовых ячеек TLC. Зато число слоёв в чипе превышает 90 штук. Конкуренты начнут выпускать память с подобным числом слоёв не раньше осени, а то и зимы. Заметим, ожидалось производство 96-слойной памяти 3D NAND, но Samsung говорит о числе свыше 90 слоёв без детализации точного количества. Можно предположить, что частью слоёв приходится жертвовать, поскольку 3D NAND со слоями 90+ состоит из двух установленных в стек 48-слойных кристаллов (возможен брак на стыке).

Также новинки получили последнюю версию интерфейса Toggle — Toggle DDR 4.0. Тем самым обмен с 90(+)-слойным чипами 3D NAND стал быстрее на 40 %. Поскольку при этом питание было снижено с 1,8 В до 1,2 В, то потребление осталось на уровне 64-слойной 3D NAND. Скорость обмена с использованием интерфейса Toggle DDR 4.0 поднялась до 1,4 Гбит/с с 800 Мбит/с для прежней версии стандарта. Скорость записи в ячейку также выросла — до 500 мкс или на 30 %. Скорость чтения из ячейки была улучшена до значения 50 мкс.

Технологичность производства V-NAND пятого поколения улучшена за счёт новых технологий депонирования и за счёт снижения толщины слоёв на 20 %. Это позволило увеличить объёмы производства на 30 % за то же время. Что же, как мы неоднократно убеждались, памяти много не бывает. Вскоре в пятом поколении V-NAND компания обещает представить 1-Тбит чипы и чипы с записью четырёх бит в ячейку.
Автор: GreenCo Дата: 10.07.2018 12:20