Новости за день

Intel и Micron также прекратят совместную разработку 3D XPoint
В январе этого года компании Intel и Micron неожиданно сообщили, что с 2019 года прекращают совместную разработку памяти 3D NAND и продуктов на её основе. При этом партнёры подчеркнули, что совместная разработка памяти 3D XPoint будет продолжена. Увы, партнёрство по созданию новых поколений 3D XPoint переживёт партнёрство по разработке 3D NAND всего на полгода или даже меньше. Вчера вечером компании объявили, что начиная со второй половины 2019 года третье поколение памяти 3D XPoint каждая из них будет разрабатывать самостоятельно.

Интересно, что производством микросхем 3D XPoint будет по-прежнему заниматься завод СП Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) в штате Юта. Раздельная разработка и совместное производство — это отдельная тема для спекуляций. Пока очевидно одно — партнёры имеют сильно различающиеся взгляды на планы по развитию и выпуску 3D XPoint и продуктов на её основе. Причём компания Micron в этом вопросе явно не выказывает активности (она до сих пор не вывела на рынок продукцию QuantX — аналог Intel Optane), тогда как Intel внешне активно интегрирует Optane в потребительские и серверные платформы.
Автор: GreenCo Дата: 17.07.2018 11:16
Samsung анонсировала первую в индустрии 8-Гбит память LPDDR5 DRAM
Компания Samsung сообщила о готовности обеспечить потребность в новой быстрой памяти для устройств связи в сетях 5-го поколения (5G) и для платформ с элементами искусственного интеллекта. Это память LPDDR5 DRAM в виде 8-Гбит чипов, выпущенная с нормами класса 10 нм. Компания готова предоставить образцы новой памяти и наладить необходимые объёмы производства, если в них появится необходимость.

Скорость обмена данными в пересчёте на контакт для памяти LPDDR5 выросла в 1,5 раза по сравнению с памятью LPDDR4X или до 6400 Мбит/с с 4266 Мбит/с. При классической 32-битной организации чипа памяти и наличии в смартфоне двух микросхем LPDDR5, что даёт так же классический 64-битный доступ, подсистема памяти сможет работать с производительностью до 51,2 ГБ/с. Иначе говоря, каждую секунду подсистема памяти смартфона сможет прокачивать по 14 фильмов с разрешением FullHD (из расчёта 3,7 ГБ каждый).

Микросхемы LPDDR5 будут предлагаться в двух модификациях: с питанием 1,1 В и пропускной способностью 6400 Мбит/с и с питанием 1,05 В с пропускной способностью 5500 Мбит/с. Рост скорости доступа с сохранением низкого уровня потребления произошёл также благодаря новой организации банков памяти чипа, которых теперь 16, а не 8. Кроме этого введён новый режим «глубокого сна», который примерно в два раза снижает потребление микросхемы LPDDR5 по сравнению с «режимом простоя» для LPDDR4X. Всё вместе позволяет говорить об общем 30% снижении потребления LPDDR5 по сравнению с памятью LPDDR4X.
Автор: GreenCo Дата: 17.07.2018 12:11