Новости за день

Впервые на саммите Flash Memory Summit с докладом о новой технологии выступят китайцы
Как мы не раз сообщали, с 2014 года в Китае начала реализовываться программа по созданию широкомасштабного национального производства памяти NAND и DRAM. Поднимать китайское производство памяти NAND (3D NAND) будет созданное в 2016 году предприятие Yangtze Memory Technologies (YMTC). Компания YMTC основана холдингом Tsinghua Unigroup на базе компании XMC. Не так давно YMTC приступила к мелкосерийному производству разработанной своими силами 32-слойной 3D NAND ёмкостью 64 Гбит. Но это только начало, хотя до полномасштабного производства китайской 3D NAND пройдёт ещё год или два. Более важно то, что YMTC готовится заявить о себе на мировом уровне. Вчера вечером YMTC выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о намерении впервые выступить с докладом на саммите Flash Memory Summit 2018.

Доклад YMTC будет посвящён фирменной технологии Xtacking. По словам компании, технология Xtacking станет прорывом в архитектуре NAND. В Китае создано решение для параллельной обработки данных в массивах NAND и для ускорения обмена по внешнему интерфейсу. Кроме того, предложена модульная структура NAND-флэш (3D NAND), которая упростит разработку новых продуктов и ускорит их выход на рынок. Технология Xtacking, по словам разработчиков, изменит представление о производительности смартфонов и накопителей всех типов на твердотельной памяти. Подобные заявления, как нетрудно понять, означают намерения китайских производителей выйти на мировой рынок, а не ограничиваться местным рынком. Лидеры рынка NAND — компании Samsung, SK Hynix и Micron — должны, как минимум, насторожиться, если не начинать пугаться.
Автор: GreenCo Дата: 26.07.2018 10:55
Samsung запустила массовое производство 16-Гбит памяти LPDDR4X на втором поколении 10-нм техпроцесса
Компания Samsung продолжает осваивать второе поколение 10-нм техпроцесса, которое она называет 1y-nm (17, 16 или 15 нм, точно не известно). С использованием техпроцесса 1y-nm она начала массовое производство микросхем памяти LPDDR4X ёмкостью 16 Гбит. Переход с первого поколения техпроцесса класса 10-нм на второе позволил ещё на 10 % снизить потребление памяти, тогда как скорость обмена по одному контакту не изменилась и осталась равной 4266 Мбит/с.

Производитель планирует упаковывать в один корпус до четырёх кристаллов LPDDR4X, обеспечивая выпуск 8-ГБ микросхем в четырёхканальной организации. Таким образом, один корпус обеспечит смартфоны подсистемами памяти с пропускной способностью до 34,1 ГБ/с. Кстати, высоту корпуса сборки удалось уменьшить на 20 %, что будет позитивно воспринято ценителями сверхтонких смартфонов. Также компания будет выпускать сборки объёмом 4 и 6 ГБ. В смартфонах новая память появится ближе к концу текущего года или уже в следующем году.
Автор: GreenCo Дата: 26.07.2018 12:16