Новости за день

SK Hynix разработала 8-Гбит DRAM второго поколения техпроцесса класса 10 нм
Как сообщает популярный тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, компания SK Hynix завершила разработку 8-Гбит кристалла памяти DRAM DDR4 для выпуска во втором поколении техпроцесса класса 10 нм (кодовое имя 1Ynm). Компания не раскрывает точную цифру технологических норм, но заявляет об увеличении выхода продукции на 20 % по сравнению с производством с предыдущими нормами (1Xnm). Уменьшение масштаба техпроцесса также позволило снизить потребление чипов памяти на 15 %.

Новая 8-Гбит память, к производству которой, скорее всего, приступят только в новом году, характеризуется скоростью обмена по шине данных на уровне 3200 Мбит/с на контакт, что является наибыстрейшим на сегодня показателем в индустрии.

Для достижения столь хороших показателей разработчики сделали ряд схемотехнических и архитектурных улучшений в конструкции DRAM. Во-первых, тактовый генератор удвоил частоту и перешёл на 4-фазную схему генерации тактовой частоты. Во-вторых, повышена чувствительность сигнальных усилителей, что снизило вероятность появления ошибок и потребление (сигнал сделали слабее или он стал слабее по естественным причинам). В-третьих, изменена структура транзисторов, что сделано в свете уменьшения технологических норм для повышения надёжности работы (каналы становятся меньше).

На первых порах 8-Гбит память DDR4 с использованием техпроцесса 1Ynm будет использоваться для модулей памяти для серверов и ПК, а позднее — для использования в различных мобильных устройствах.
Автор: GreenCo Дата: 12.11.2018 10:08